**对比文件的名称**：2010-09-21_US7800071B_发明授权_US07800071B2 Method, apparatus, and system of reducing polarization in radiation detectors
**目标专利的名称**：1285电离辐射探测CN103562746B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括，探测器(112) <br>《直接公开》 | 对比文件[0027]：“FIG. 1 is a schematic cross-section illustration of a semiconductor radiation detector 99... includes a semiconductor plate 10...” <br>**翻译**：图1是根据本发明实施例的半导体辐射探测器99的示意性截面图...包括半导体板10... | 对比文件明确公开了半导体辐射探测器99，其相当于目标专利的探测器112，因此本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| **技术特征B**：其被配置为探测电离辐射 <br>《直接公开》 | 对比文件[0028]-[0029]：“Plate 10 may be irradiated with ionizing radiation... Each X-ray photon that is absorbed... generates... electron-hole pairs...” <br>**翻译**：板10可以被电离辐射照射...每个被吸收的X射线光子产生...电子空穴对... | 对比文件探测器用于探测X射线等电离辐射，因此直接公开。 |
| **技术特征C**：并输出指示探测到的电离辐射的信号 <br>《直接公开》 | 对比文件[0029]：“The collected charge at anodes 14... is measured at the anodes to give a measure of the energy of the absorbed photon.” <br>**翻译**：在阳极14处收集的电荷...在阳极处被测量以给出吸收光子能量的度量。 | 对比文件公开了探测器输出表示电离辐射信号（电荷测量），因此直接公开。 |
| **技术特征D**：其中，所述探测器至少包括半导体元件(118) <br>《直接公开》 | 对比文件[0027]：“...a semiconductor plate 10, formed of a semiconductor 11.” <br>**翻译**：半导体板10，由半导体11形成。 | 对比文件探测器包括半导体板（半导体元件），因此直接公开。 |
| **技术特征E**：照明子系统(120) <br>《直接公开》 | 对比文件[0038]：“...irradiating plate 10 with infra-red (IR) radiation 22. The IR radiation is generated by an IR generator 24, and the wavelength of the IR radiation may be selected, e.g., by a wavelength selector 26...” <br>**翻译**：用红外辐射22照射板10。红外辐射由红外发生器24产生，红外辐射的波长可由波长选择器26选择。 | 对比文件公开了用于产生和传递红外辐射的IR发生器和波长选择器，构成了照明子系统，因此直接公开。 |
| **技术特征F**：其被配置为生成并传递子带隙照明辐射 <br>《直接公开》 | 对比文件[0008]：“In some embodiments, the IR radiation has energy lower than the band-gap energy of the semiconductor.” <br>**翻译**：在一些实施例中，红外辐射具有低于半导体带隙能量的能量。 | 对比文件明确红外辐射能量低于带隙，即子带隙照明辐射，因此直接公开。 |
| **技术特征G**：用于选择性地照明仅所述半导体元件的子部分 <br>《隐含公开》 | 对比文件[0049]：“In this example, cathodes 12 are configured to have narrow spaces 62 between the cathodes, allowing direct access to plate 10. Fiber optics 64 are laid in spaces 62, and the fiber optics are arranged to have diffusive regions 66 along the fiber optics. IR irradiation is introduced into ends of fiber optics 64, and the diffusive regions cause some of the IR irradiation transmitted along the fiber optics to exit the fiber optics into plates 10.” <br>**翻译**：在该示例中，阴极12被配置为在阴极之间具有窄空间62，允许直接进入板10。光纤64布置在空间62中，并且光纤被布置为沿着光纤具有扩散区域66。IR辐射被引入光纤64的端部，并且扩散区域使得沿着光纤传输的一些IR辐射从光纤射出进入板10。 | 对比文件公开了通过光纤在阴极之间的窄空间将IR辐射导入半导体板，由于阴极覆盖区域可能阻挡辐射，IR辐射仅通过阴极间隙进入，从而选择性地照明与间隙对应的子部分（即光纤附近的区域）。虽然对比文件未明确表述“选择性地仅照明子部分”，但本领域技术人员依据该描述可以合理推断出IR辐射仅照明了半导体元件的局部子部分（阴极间隙区域），而非整个半导体元件。因此，技术特征G被隐含公开。 |
| **技术特征H**：以便在所述元件内部生成空间图案化的照明分布 <br>《隐含公开》 | 对比文件[0049]（同上）。 | 对比文件的光纤沿着阴极间隙布置，IR辐射从扩散区域射出，形成沿光纤的线状照明区域。多个光纤可能形成多个线状照明，从而在半导体元件内部产生线状图案的照明分布。虽然对比文件未明确称为“空间图案化”，但本领域技术人员可以理解这种线状照明分布是一种空间图案。因此，技术特征H被隐含公开。 |
| **技术特征I**：还包括电触头 <br>《直接公开》 | 对比文件[0027]：“Electrodes 12 are connected to one side of plate 10, and electrodes 14 are connected to an opposite side of plate 10.” <br>**翻译**：电极12连接到板10的一侧，电极14连接到板10的相对侧。 | 对比文件公开了电极12和14，即电触头，因此直接公开。 |
| **技术特征J**：其连接至所述半导体元件的被照明的子部分 <br>《未公开》 | 无直接或隐含公开的内容。 | 对比文件中的电极（阴极和阳极）是连接到整个半导体板，而非专门连接到被照明的子部分。目标专利的电触头（如掩模板上的导电触头）是专门附着于被照明子部分以施加偏压的。对比文件没有公开类似的电触头，也没有公开将电极仅连接至局部照明区域的技术内容。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：电源(122) <br>《直接公开》 | 对比文件[0051]：“The bias of the negative high voltage may be supplied to the cathodes of the modules 110 by thin cathode plates...” <br>**翻译**：负高压偏置可以通过薄阴极板提供给模块110的阴极... | 对比文件公开了向探测器提供偏置电压的电源，因此直接公开。 |
| **技术特征L**：其被配置为向所述电触头施加电势 <br>《直接公开》 | 对比文件[0051]（同上）。 | 对比文件公开了向阴极（电触头）施加偏置电势，因此直接公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述照明将所述子部分的导电性从第一导电性提高到更高的第二导电性 <br>《隐含公开》 | 对比文件[0040]-[0045]描述了IR辐射导致陷阱电离，产生自由载流子。例如[0044]：“When applying IR radiation... the overall effect of the IR irradiation... is a function of the IR wavelength... and the charge carrier populations...” <br>**翻译**：当施加IR辐射时...IR辐照的总体效果是IR波长...和电荷载流子群体的函数... | 对比文件未明确表述导电性提高，但本领域技术人员公知，IR辐射通过电离陷阱能级产生额外的自由电子和空穴，必然提高半导体材料的导电性。当IR辐射选择性地照明子部分时，该子部分的导电性会从低导电性（第一导电性）提高到高导电性（第二导电性）。因此，技术特征M被隐含公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述更高的第二导电性高于所述半导体元件的未被照明的子部分的导电性；并且，在没有所述照明辐射的情况下，所述第一导电性不超过所述半导体元件的所述的未被照明的子部分的导电性 <br>《隐含公开》 | 对比文件[0040]-[0045]（同上）。 | 由于对比文件隐含公开了照明区域导电性提高，本领域技术人员自然可以推断被照明区域的导电性高于未被照明区域。在无照明时，该区域的导电性（第一导电性）与未被照明区域相同或更低（因为未照明时材料均匀）。因此，技术特征N也被隐含公开。 |
| **技术特征O**：所述照明子系统包括至少一个照明源(2031、2032) <br>《直接公开》 | 对比文件[0038]：“IR generator 24” <br>**翻译**：IR发生器24。 | 对比文件公开了IR发生器作为照明源，因此直接公开。 |
| **技术特征P**：其生成所述子带隙照明辐射 <br>《直接公开》 | 对比文件[0008]：“IR radiation has energy lower than the band-gap energy” <br>**翻译**：红外辐射具有低于带隙的能量。 | 对比文件公开了IR发生器产生子带隙辐射，因此直接公开。 |
| **技术特征Q**：其中，所述照明辐射光子的能量不超过所述半导体元件的带隙的一半 <br>《未公开》 | 对比文件未公开此具体数值范围。 | 对比文件仅公开了辐射能量低于带隙，但未提及与带隙一半的关系。目标专利中“不超过带隙的一半”是特定选择，目的是使电子空穴对生成成为三级过程以降低噪音。对比文件没有教导或暗示这一具体数值，本领域技术人员也不能从对比文件内容直接且毫无疑义地得出该特征。因此，技术特征Q未被公开。 |
| **技术特征R**：其中，至少一个照明源直接或者通过光透射介质耦合至所述半导体元件 <br>《直接公开》 | 对比文件[0048]：“cathodes 12 are configured as electrodes that are thin enough to allow substantial penetration of IR irradiation... one or more mirrors 50... are oriented to reflect the IR irradiation into plate via cathode 12”；[0049]：“Fiber optics 64 are laid in spaces 62... IR irradiation is introduced into ends of fiber optics 64...”；[0050]：“IR radiation 22 to penetrate into plates 10 of the modules via sidewalls 114”；[0051]：“slab waveguide 120”。 <br>**翻译**：[0048]阴极12被配置为足够薄以允许IR辐射实质穿透...一个或多个镜子50...被定向为通过阴极12将IR辐射反射进入板；[0049]光纤64布置在空间62中...IR辐射被引入光纤64的端部...；[0050]IR辐射22通过侧壁114进入模块的板10；[0051]平板波导120。 | 对比文件公开了多种耦合方式：通过透明的阴极直接耦合，通过光纤（光透射介质）耦合，通过侧壁直接耦合，通过波导耦合。因此，直接公开。 |
| **技术特征S**：其中，所述至少一个照明源是红外照明源 <br>《直接公开》 | 对比文件[0038]：“IR generator 24” <br>**翻译**：IR发生器24。 | 对比文件公开了红外发生器，即红外照明源，因此直接公开。 |
| **技术特征T**：所述子带隙辐射是红外辐射 <br>《直接公开》 | 对比文件[0008]：“IR radiation” <br>**翻译**：红外辐射。 | 对比文件公开了子带隙辐射是红外辐射，因此直接公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述半导体元件包括碲化镉或碲化镉锌中的至少一个 <br>《直接公开》 | 对比文件[0027]：“semiconductor 11 is formed of cadmium zinc telluride (CZT)” <br>**翻译**：半导体11由碲锌镉(CZT)形成。 | 对比文件公开了CZT，即碲化镉锌，满足“至少一个”。因此直接公开。 |
| **技术特征V**：其中，所述碲化镉包括碲化镉单晶 <br>《未公开》 | 对比文件未提及单晶。 | 对比文件未提及半导体材料为单晶形式，也未暗示必须为单晶。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征W**：其中，所述碲化镉锌包括碲化镉锌的单晶 <br>《未公开》 | 对比文件未提及单晶。 | 对比文件未提及单晶，因此未被公开。 |
| **技术特征X**：还包括至少一个反射器(2261，2262) <br>《直接公开》 | 对比文件[0048]：“one or more mirrors 50” <br>**翻译**：一个或多个镜子50。 | 对比文件公开了镜子作为反射器，因此直接公开。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体元件被设置在所述照明子系统和所述至少一个反射器之间 <br>《未公开》 | 对比文件[0048]描述镜子50反射IR进入板，但未明确半导体元件在照明子系统和反射器之间。 | 对比文件未公开照明子系统、半导体元件和反射器的相对位置关系。在对比文件中，镜子可能位于照明源和半导体之间，用于将照明反射进半导体，而非半导体在照明源和反射器之间。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征Z**：所述至少一个反射器将贯穿所述半导体元件的照明辐射反射回所述半导体元件内 <br>《未公开》 | 对比文件[0048]描述镜子反射IR进入板，而非反射已经贯穿的辐射。 | 对比文件的反射器功能是将外部IR辐射反射进入半导体，而不是将已经贯穿半导体的辐射反射回半导体。目标专利的反射器用于提高照明均匀性，将透射过的辐射反射回。对比文件未公开此功能，因此未被公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<I>>><<<K>>><<<L>>><<<O>>><<<P>>><<<R>>><<<S>>><<<T>>><<<U>>><<<X>>><<<g>>><<<h>>><<<m>>><<<n>>>