对比文件名称：1999-08-31_US5945741A_发明授权_US5945741A Semiconductor chip housing having a reinforcing plate
目标专利名称：245用于基板的超细间距和间隔互连CN105493278B
模型名称：GPT-4
根据目标专利说明书，其核心在于提供一种具有嵌入式互连和表面互连的基板结构，通过使嵌入式互连偏离电介质层表面形成空腔，或通过将焊盘等互连部分设置在空腔中，来增加互连之间的有效间隔，从而在减小互连间距（提高密度）的同时避免短路。对比文件US5945741A涉及一种具有增强板的半导体芯片外壳，其薄膜电路包括形成在绝缘层上的互连（引线）。
以下将严格按照目标专利权利要求中已划分的技术特征，结合对比文件内容进行逐一比对和公开性判断。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括第一表面和第二表面的第一电介质层《直接公开》 | 说明书第[0027]段：“Reference numeral 1 shown in the figures is a film circuit on which a plurality of interconnecting films 3 are formed to serve as leads on the back surface of an insulating layer 2.”；图2(D)显示了绝缘层2。 | 对比文件明确公开了绝缘层2（insulating layer 2），其作为薄膜电路1的组成部分，必然具有第一表面（形成互连薄膜3的一面）和第二表面（相对面）。这与目标专利中的“第一电介质层”结构相同，在各自技术方案中均作为承载和隔离互连的介电基础层。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征B**：嵌入在所述第一电介质层中的第一互连，所述第一互连包括第一侧和第二侧，所述第一侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第二侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触，其中所述第一互连是第一迹线《隐含公开》 | 说明书第[0027]段：“...a plurality of interconnecting films 3 are formed to serve as leads on the back surface of an insulating layer 2.”；第[0030]段：“(B) Next, leads 3, . . . , 3 are formed on the coated underlayer 14 as shown in FIG. 2 (B).”；第[0033]段：“(D) Next, insulating layers (insulation films) 2 are selectively formed on the surface of the stacking plate 11 on which the leads 3 were formed.”；第[0038]段：“(G) Next, as shown in FIG. 2(G), the coated underlayer 14 and the aluminum layer 13 serving as an etching stopper are etched out with the leads 3, . . . , 3 used as a mask. This etching makes the leads 3, . . . , 3 independent of each other...” | 对比文件公开了在涂层底层14上形成引线3，然后在其上选择性形成绝缘层2（见步骤D）。随后，通过蚀刻去除涂层底层14和铝层13，使引线3彼此独立（见步骤G）。此工艺导致引线3的底部（与底层14接触的一侧）在蚀刻后悬空，至少有一部分不与绝缘层2接触。同时，引线3的侧面和部分顶面被选择性形成的绝缘层2所覆盖或围绕。引线3在电路中作为导电路径，其作用与目标专利中的“迹线”相同。虽然对比文件未明确使用“嵌入”一词，但根据其制造工艺（在已形成的引线上形成绝缘层，然后去除下方支撑层），本领域技术人员能够毫无疑义地得出引线3是部分嵌入在绝缘层2中，且其下侧至少部分暴露的结构。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征C**：穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第一互连的所述第二侧的第一空腔，其中所述第一空腔具有与所述第一互连的互连宽度基本相等的空腔宽度《直接公开》 | 说明书第[0033]段：“Reference numerals 21, . . . , 21 each denote an opening for exposing a portion for creating a ball electrode 6 of the lead 3 of each insulating layer 2. The insulating layers 2 are selectively formed in such a way that the openings 21 result.”；图2(D)清晰显示了开口21。 | 对比文件明确公开了在绝缘层2上形成的开口21，其目的是暴露引线3的一部分以形成球电极6。该开口21穿过绝缘层2（第一电介质层）的表面到达下方的引线3。从图2(D)可以看出，开口21的宽度大致与其所暴露的引线3部分的宽度相等，以满足在其上形成球电极的工艺要求。这与目标专利中“空腔宽度与互连宽度基本相等”的技术特征一致，且作用类似（均为暴露互连以进行后续连接）。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征D**：以及包括第三侧和第四侧的第二互连，其中所述第三侧至少部分地耦合到所述第一电介质层的所述第一表面上，其中所述第二互连是第二迹线《隐含公开》 | 说明书第[0027]段：“...a plurality of interconnecting films 3 are formed to serve as leads on the back surface of an insulating layer 2.”；第[0038]段：“(G) Next, as shown in FIG. 2(G), the coated underlayer 14 and the aluminum layer 13 serving as an etching stopper are etched out with the leads 3, . . . , 3 used as a mask. This etching makes the leads 3, . . . , 3 independent of each other...”；图1(A), 2(D), 2(G)。 | 对比文件公开了多个互连薄膜3（interconnecting films 3）作为引线。这些引线3在制造完成后，位于绝缘层2的表面上（具体是背表面）。每个引线3必然有多个侧面。在蚀刻掉底层14和13后，引线3的底部悬空，但其顶部和部分侧面与绝缘层2接触并耦合（即位于绝缘层2的表面上）。引线3作为导电路径，其作用就是迹线。虽然对比文件没有明确区分“第一互连”和“第二互连”，但本领域技术人员从公开的具有多个引线3的结构中，能够合理推断出其中至少有两个引线可以分别对应于权利要求中的“第一互连”和“第二互连”。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征E**：以及至少部分地在所述第一空腔中的第五互连，所述第五互连耦合至所述第一互连。《直接公开》 | 说明书第[0033]段：“...openings 21... exposing a portion for creating a ball electrode 6 of the lead 3...”；第[0035]段：“(E) Then, solder balls 6, . . . , 6 each to serve as an external terminal are formed on the surfaces of the leads 3, . . . , 3 with the insulating layers 2 used as a mask as shown in FIG. 2(E).”；图2(E)。 | 对比文件明确公开了球电极6（solder balls 6）形成在开口21中，并位于引线3的暴露部分上，从而耦合至引线3。球电极6在对比文件中作为外部端子，是一种互连形式（根据目标专利说明书[0095]段，互连可包括焊盘、柱、焊料如焊球）。因此，“至少部分地在第一空腔（即开口21）中并耦合至第一互连（即引线3）的第五互连（即球电极6）”这一技术方案已被对比文件直接公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连，所述第三互连包括第五侧和第六侧，所述第五侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第六侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触《隐含公开》 | 说明书第[0027]段：“Reference numeral 3E is a interconnecting film 3 which is formed along the periphery of the film circuit 1 to serve as a ground line.”；关于引线3的制造和结构描述同特征B。 | 对比文件不仅公开了作为信号引线的互连薄膜3，还公开了作为接地线3E的互连薄膜。接地线3E同样是形成在绝缘层2上的互连薄膜，其制造工艺和最终结构与其他引线3相同（见特征B论述）。因此，它同样具有被绝缘层2围绕的侧面以及至少部分不与绝缘层接触的底侧。本领域技术人员可以从公开的具有多个互连（包括特定功能的接地线）的结构中，合理推断出存在“第三互连”。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征G**：穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第三互连的所述第六侧的第二空腔，其中所述第二空腔具有与所述第三互连的第二互连宽度基本相等的第二空腔宽度《隐含公开》 | 说明书第[0033]段：“Reference numerals 21, . . . , 21 each denote an opening for exposing a portion for creating a ball electrode 6 of the lead 3...”；图2(D)显示了多个开口21。 | 对比文件公开了有多个开口21，分别用于暴露不同的引线3（包括作为接地线的引线3E）以形成球电极。每个开口21都穿过绝缘层2到达其对应的引线。基于特征C的相同理由，每个开口的宽度也基本与其所暴露的引线部分的宽度相等。虽然对比文件未明确区分“第一空腔”和“第二空腔”，但本领域技术人员从存在多个开口这一事实，能够合理推断出存在对应于不同互连的多个空腔。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征H**：以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连包括第七侧和第八侧，其中所述第七侧耦合至所述第一电介质层的所述第一表面。《隐含公开》 | 同特征D的引用。对比文件公开了多个位于绝缘层2表面上的互连薄膜3。 | 如特征D所述，对比文件公开了多个互连薄膜3位于绝缘层2的表面上。这些互连中的任意一个，只要其未在顶部被绝缘层2完全覆盖（即至少部分暴露），并且其侧面与绝缘层2接触，就可以被认为是“第一电介质层的所述第一表面上的第四互连”。本领域技术人员能够从公开的多个表面互连中合理推断出该特征。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔约为30微米(μm)。《未公开》 | 对比文件全文未提及任何互连之间的具体间距数值。 | 对比文件完全没有公开任何关于互连之间横向间隔的具体数值，特别是“约为30微米”这一具体尺寸。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出该技术特征。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔小于为30微米(μm)。《未公开》 | 对比文件全文未提及任何互连之间的具体间距数值。 | 同上，对比文件未公开任何具体的互连间隔数值，包括“小于30微米”这一范围。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出该技术特征。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔约为10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。《未公开》 | 对比文件全文未提及任何互连之间的具体间距数值。 | 对比文件完全没有公开任何关于互连之间横向间隔的具体数值，特别是“约为10微米”这一具体尺寸。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出该技术特征。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔小于10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。《未公开》 | 对比文件全文未提及任何互连之间的具体间距数值。 | 同上，对比文件未公开任何具体的互连间隔数值，包括“小于10微米”这一范围。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出该技术特征。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，进一步包括：所述第一电介质层的所述第一表面上的第三互连，所述第三互连耦合至所述第一互连《直接公开》 | 说明书第[0035]段：“(E) Then, solder balls 6, . . . , 6 each to serve as an external terminal are formed on the surfaces of the leads 3, . . . , 3 with the insulating layers 2 used a mask...”；图2(E), 3(E)。 | 对比文件明确公开了球电极6形成在引线3上，并位于绝缘层2的开口处。球电极6是一种互连（外部端子），它位于绝缘层2的表面区域（尽管在空腔内，但其顶部高于绝缘层表面），并且直接耦合至作为“第一互连”的引线3。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征N**：以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连耦合至所述第二互连。《直接公开》 | 同上。对比文件公开了多个球电极6，每个都耦合至一个引线3。 | 如特征M所述，对比文件公开了多个球电极6分别耦合至不同的引线3。因此，必然存在一个球电极6耦合至作为“第二互连”的另一个引线3。该球电极6即对应于“第四互连”。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述第三互连和所述第四互连是焊盘。《直接公开》 | 说明书第[0035]段：“...solder balls 6, . . . , 6 each to serve as an external terminal...”；目标专利说明书[0098]段：“焊盘是在集成器件中提供电路径的一种形式的互连。在一些实现中，焊盘是为由不同材料制成的互连提供耦合接口的元件或组件。例如，焊盘可被配置成提供用于焊料（例如，焊球）的接口。” | 对比文件中的“球电极6”作为外部端子，其作用是为与外部电路（如通过焊料）的连接提供接口。根据目标专利对“焊盘”的定义（为不同材料互连提供耦合接口，如用于焊料），球电极6正是起到了焊盘的作用。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述基板是封装基板。《直接公开》 | 说明书标题及全文，例如第[0002]段：“...semiconductor package...”，图1(A), 3(E)等所示的完整器件结构。 | 对比文件涉及的是“半导体芯片外壳”（Semiconductor chip housing），其薄膜电路1是封装结构的一部分，用于承载和连接半导体芯片4。这本质上就是一种封装基板。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，进一步包括第二电介质层。《未公开》 | 对比文件中只明确描述了一个绝缘层2（insulating layer 2）。 | 对比文件全文仅提及一个绝缘层2，用于覆盖和图案化互连薄膜3。没有公开或暗示存在第二电介质层。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述基板被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。《未公开》 | 对比文件全文未提及该半导体器件或基板应用于任何具体的终端产品。 | 对比文件仅描述了半导体器件本身的结构和制造方法，并未提及其具体的下游应用或纳入何种电子设备中。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述基板被纳入移动电话中。《未公开》 | 对比文件全文未提及该半导体器件或基板应用于移动电话。 | 同上，对比文件未提及其应用于移动电话。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征T**：其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连《隐含公开》 | 同特征F的引用。对比文件公开了作为接地线3E的互连薄膜，其结构是嵌入在绝缘层2中的。 | 如特征F所述，对比文件公开了除信号引线外，还有作为接地线的互连薄膜3E，其制造和结构表明它是嵌入在绝缘层2中的。这构成了“第三互连”。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征U**：以及至少部分地在所述第三互连上的第四互连。《直接公开》 | 说明书第[0035]段：“...solder balls 6, . . . , 6 each to serve as an external terminal are formed on the surfaces of the leads 3, . . . , 3...”；该描述适用于所有引线，包括作为接地线的3E。 | 对比文件公开了在引线3（包括作为接地线的第三互连3E）上形成球电极6。球电极6至少部分地位于其下方的引线3之上。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第三互连包括第一横截面尺寸，并且所述第四互连包括小于所述第一横截面尺寸的第二横截面尺寸。《未公开》 | 对比文件全文未对不同互连（引线3与球电极6）的横截面尺寸关系进行任何描述或图示。 | 对比文件没有提供任何信息表明互连（引线）与其上的球电极之间存在特定的尺寸大小关系。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出“第四互连的横截面尺寸小于第三互连”这一结论。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述第四互连部分地在所述第三互连上并且部分地在所述第一电介质层上。《直接公开》 | 说明书第[0033]段：“...openings 21 for exposing a portion... of the lead 3...”；第[0035]段：球电极6形成在开口21中的引线3上。图2(D), 2(E)。 | 对比文件公开的开口21穿过绝缘层2到达引线3。球电极6形成在这个开口内，因此它必然部分位于下方的引线3上，部分位于开口侧壁的绝缘层2材料上。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征X**：其特征在于，所述第四互连是焊盘。《直接公开》 | 同特征O的引用和论述。 | 如特征O所述，对比文件中的球电极6根据目标专利的定义属于焊盘。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征Y**：其特征在于，所述第四互连耦合至所述第一互连。《隐含公开》 | 说明书第[0035]段：球电极6形成在引线3上。 | 对比文件公开了球电极6（第四互连）形成并耦合在引线3上。虽然“第一互连”在对比文件中没有特指，但球电极6所耦合的引线3，可以理解为是该特定上下文中的“第一互连”。本领域技术人员能够合理推断出该耦合关系。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征Z**：其特征在于，进一步包括所述第一电介质层上的第三互连。《隐含公开》 | 同特征D、H的引用。对比文件公开了多个位于绝缘层2表面上的互连薄膜3。 | 如特征D、H所述，对比文件公开了多个互连薄膜3位于绝缘层2的表面上。这些互连中的任意一个，只要其未被绝缘层完全覆盖并起到互连作用，都可以被视为“第一电介质层上的第三互连”。本领域技术人员能够从中合理推断出该特征。因此，该技术特征被隐含公开。 |
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