对比文件名称：2011-03-22_US7911037B_发明授权_US07911037B1 Method and structure for creating embedded metal features
目标专利名称：245用于基板的超细间距和间隔互连CN105493278B
模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括第一表面和第二表面的第一电介质层《直接公开》 | [0063] “dielectric layer first surface 103A; dielectric layer second surface 105A, opposite dielectric layer first surface 103A; dielectric layer 101A, positioned between dielectric layer first surface 103A and dielectric layer second surface 105A;” | 对比文件明确公开了电介质层101A，其具有第一表面103A和与第一表面相对的第二表面105A。这与目标专利权利要求中的“第一电介质层”及其“第一表面和第二表面”的特征完全相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| 技术特征B：嵌入在所述第一电介质层中的第一互连，所述第一互连包括第一侧和第二侧，所述第一侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第二侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触，其中所述第一互连是第一迹线《直接公开》 | [0063] “first bias trace 107A ... is embedded within dielectric layer 101A ... such that a first bias trace first surface 123A that is substantially level with, or slightly above or below, dielectric layer first surface 103A.” [0063] “first signal trace 109A ... is embedded within dielectric layer 101A ... such that a first signal trace first surface 128A that is substantially level with, or slightly above or below, dielectric layer first surface 103A.” [0065] “first bias trace 107A, first signal trace 109A, and second bias trace 111A are made of conductive material, such as a metal, filling trenches formed by LASER ablation” | 对比文件公开了“嵌入式偏置迹线”（如107A）和“嵌入式信号迹线”（如109A）。这些迹线被嵌入在电介质层（101A）中。迹线的侧面（第一侧）被电介质材料围绕。迹线的顶部表面（第二侧，如123A、128A）与电介质层的顶表面（103A）基本齐平、略高或略低，这意味着该顶部表面的至少一部分（当齐平或略高时）不与电介质层接触（即暴露或凸起）。这些“bias trace”和“signal trace”即为导电的“迹线”。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| 技术特征C：穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第一互连的所述第二侧的第一空腔，其中所述第一空腔具有与所述第一互连的互连宽度基本相等的空腔宽度《隐含公开》 | [0092] “first bias trace trench 231 is formed with a first bias trace trench depth 233 into dielectric layer 201 and with a first bias trace trench horizontal width 235 at dielectric layer first surface 203.” [0101] “layer of conductive material 271 has been applied ... and filled first bias trace trench 231 ... with conductive material, thereby forming first bias trace 207” | 对比文件描述了通过激光烧蚀等方法在电介质层第一表面形成沟槽（如231），然后用导电材料填充沟槽以形成嵌入式迹线（如207）。该沟槽即相当于目标专利中的“第一空腔”，它穿过电介质层第一表面并到达最终将形成互连的位置。沟槽的宽度（235）被精确控制，且填充后形成的迹线宽度（即互连宽度）必然与沟槽宽度基本相等。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，在形成迹线之前的制造阶段，该沟槽（空腔）的宽度与最终形成的迹线宽度是相对应的。因此，技术特征C被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征D：以及包括第三侧和第四侧的第二互连，其中所述第三侧至少部分地耦合到所述第一电介质层的所述第一表面上，其中所述第二互连是第二迹线《直接公开》 | [0128] “out-of-plane first bias trace 508 includes an out-of-plane first bias trace first surface 524 that is an out-of-plane first bias trace height 542 above dielectric layer first surface 503. In one embodiment, out-of-plane first bias trace 508 is in electrical contact with dielectric layer first surface 503.” [0129] “out-of-plane first signal trace 510 ... is in electrical contact with dielectric layer first surface 503.” [0123] “out-of-plane first bias trace 508, out-of-plane first signal trace 510, and out-of-plane second bias trace 512 are made of conductive material, such as a metal.” | 对比文件公开了“平面外”（out-of-plane）的偏置迹线（508）和信号迹线（510），它们位于电介质层第一表面（503）之上。这些迹线具有顶部表面（第四侧）和底部表面（第三侧），其底部表面与电介质层第一表面电接触（即耦合）。这些结构明确为“迹线”（trace）。因此，技术特征D被对比文件直接公开。 |
| 技术特征E：以及至少部分地在所述第一空腔中的第五互连，所述第五互连耦合至所述第一互连。《隐含公开》 | [0140] “in-plane and out-of-plane embedded trace substrate 560 includes out-of-plane third bias trace 563C ... out-of-plane third bias trace 563C ... are formed directly over in-plane first bias trace 507C” [0141] “out-of-plane third bias trace 563C ... are made of a conductive material” 结合[0161]-[0166]关于在光刻胶沟槽中电镀形成平面外迹线的描述。 | 对比文件公开了“平面外第三偏置迹线563C”直接形成在“平面内第一偏置迹线507C”的上方。结合制造方法（图6G-6J），平面外迹线是在光刻胶层中形成的沟槽（可视为一种“空腔”）内通过电镀形成的，并且该沟槽位于平面内迹线的上方区域。平面外迹线与下方的平面内迹线通过共享的晶种层或直接沉积而电性连接（耦合）。虽然对比文件未明确使用“空腔”一词描述最终结构中的凹槽，但本领域技术人员基于其制造方法可以合理推断，平面外迹线是至少部分地在由光刻胶定义的、位于平面内迹线上方的空间（即空腔）中形成的，并耦合至该平面内迹线。因此，技术特征E被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征F：其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连，所述第三互连包括第五侧和第六侧，所述第五侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第六侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触《直接公开》 | [0063] “second bias trace 111A ... is embedded within embedded trace substrate body 101A ... such that a second bias trace first surface 129A that is substantially level with, or slightly above or below, dielectric layer first surface 103A.” [0071] “second signal trace 110B ... is embedded within dielectric layer 101B ... such that a second signal trace first surface 147B that is substantially level with, or slightly above or below, dielectric layer first surface 103B.” | 对比文件公开了多个嵌入式迹线，例如第二偏置迹线111A、第二信号迹线110B等。这些迹线同样嵌入在电介质层中，其侧面被电介质层围绕，顶部表面（第六侧）与电介质层表面基本齐平、略高或略低，即至少一部分不与电介质层接触。这完全符合“第三互连”的特征描述。因此，技术特征F被对比文件直接公开。 |
| 技术特征G：穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第三互连的所述第六侧的第二空腔，其中所述第二空腔具有与所述第三互连的第二互连宽度基本相等的第二空腔宽度《隐含公开》 | [0095]-[0097] 关于形成第二信号迹线沟槽242和第二偏置迹线沟槽251的描述，其方式与形成第一偏置迹线沟槽231相同。 | 基于与技术特征C相同的理由，对比文件公开了为形成多个嵌入式迹线（如第二信号迹线、第二偏置迹线）而创建相应沟槽（空腔）的方法。每个沟槽的宽度都被精确控制，并与最终填充形成的对应迹线宽度基本相等。本领域技术人员可以毫无疑义地推导出，对于每一个嵌入式迹线，都存在一个与之对应的、宽度基本相等的形成用空腔（沟槽）。因此，技术特征G被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征H：以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连包括第七侧和第八侧，其中所述第七侧耦合至所述第一电介质层的所述第一表面。《直接公开》 | [0128] “out-of-plane second bias trace 512 includes an out-of-plane second bias trace first surface 530 that is an out-of-plane second bias trace height 544 above dielectric layer first surface 503. In one embodiment, out-of-plane second bias trace 512 is in electrical contact with dielectric layer first surface 503.” | 对比文件公开了多个位于电介质层第一表面上的“平面外”迹线，例如平面外第二偏置迹线512。该迹线具有底部表面（第七侧）和顶部表面（第八侧），其底部表面与电介质层第一表面电接触（耦合）。这完全符合“第四互连”的特征描述。因此，技术特征H被对比文件直接公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔约为30微米(μm)。《隐含公开》 | [0012] “This shortened distance between signal and bias traces provided by the method and structure for creating embedded metal features disclosed herein creates a strong coupling, especially when compared with the typical 35 micrometer spacing for current substrates.” [0056] 同上。 [0085] “This shortened distance between signal and bias traces ... creates a strong coupling, especially when compared to the typical 35 micrometer spacing for current substrates.” | 对比文件明确指出，使用其公开的方法和结构可以缩短迹线间距，并特别指出常规基板的典型间距为35微米，而本发明可以实现比这更小的间距。本领域技术人员在阅读对比文件后，为了获得优于常规基板的性能（如强耦合、减小串扰、增加密度），有动机将间距设置为小于35微米的数值，例如约为30微米，这是实现“超细间距”的合理且常规的选择。因此，技术特征I被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔小于为30微米(μm)。《隐含公开》 | [0005] “it has become increasingly important ... to provide for greater density of signal routing features” [0008] “Using ablation techniques to form the bias and signal trace trenches, as disclosed herein, allows for extremely accurate control of the depth, width, shape, and horizontal displacement of the bias and signal trace trenches, often on the order of a single micron.” [0052] “Using ablation techniques to form the bias and signal trace trenches, as disclosed herein, allows for extremely accurate control of the depth, width, shape, and horizontal displacement of the bias and signal trace trenches, often on the order of a single micron.” [0080] “Using ablation techniques ... allows for very accurate control, on the order of a single micron, of first horizontal spacing 131A and second horizontal spacing 133A” | 对比文件反复强调其技术能够以微米级（甚至单微米级）的精度控制迹线之间的水平间距（横向间隔），目的是为了实现更高的布线密度。既然能够精确控制到微米量级，那么为了实现高密度，将间距设置为小于30微米（例如10微米量级，如对比文件所举例）对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，技术特征J被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔约为10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。《直接公开》 | [0012] “in one embodiment by a spacing on the order of 10 micrometers.” [0056] “in one embodiment at a spacing on the order of 10 micrometers.” [0085] “in one embodiment by a spacing 131A, 133A on the order of 10 micrometers.” | 对比文件明确且多次地公开了偏置迹线与信号迹线之间的间距在10微米量级（on the order of 10 micrometers），并且这些迹线是相邻的（例如，信号迹线109A夹在两个偏置迹线107A和111A之间）。这直接对应于目标专利中嵌入式互连（第一互连）与表面互连（第二互连）为毗邻互连且间隔约为10微米的特征。因此，技术特征K被对比文件直接公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔小于10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。《隐含公开》 | [0008], [0052] “allows for extremely accurate control ... on the order of a single micron.” [0080] “allows for very accurate control, on the order of a single micron, of first horizontal spacing 131A and second horizontal spacing 133A” | 对比文件强调其技术允许对迹线间距进行单微米量级的精确控制。既然能够精确控制到微米级，并且已经公开了10微米量级的间距，那么为了追求极致的互连密度，本领域技术人员有动机和能力将间距进一步减小到小于10微米，这属于在对比文件已公开的精确控制能力范围内的常规选择。因此，技术特征L被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，进一步包括：所述第一电介质层的所述第一表面上的第三互连，所述第三互连耦合至所述第一互连《隐含公开》 | [0140] “out-of-plane third bias trace 563C ... are formed directly over in-plane first bias trace 507C” [0133] “electrically conductive connector trace 551” (连接平面内与平面外偏置迹线) | 对比文件公开了“平面外第三偏置迹线563C”直接形成在“平面内第一偏置迹线507C”的上方，这必然意味着两者之间存在电耦合（例如通过共享的晶种层或直接沉积）。图5B还公开了连接平面内与平面外偏置迹线的导电连接迹线551。这教导了在电介质层表面上的互连（第三互连）可以耦合至嵌入在电介质层中的互连（第一互连）。因此，技术特征M被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征N：以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连耦合至所述第二互连。《隐含公开》 | [0129] “out-of-plane first signal trace 510 ... is in electrical contact with dielectric layer first surface 503.” | 对比文件公开了位于电介质层第一表面上的“平面外第一信号迹线510”。虽然未明确图示其耦合至另一个特定的表面互连（第二互连），但在基板布线设计中，表面迹线之间相互连接是常见且必要的。本领域技术人员基于对比文件公开的具有表面迹线的基板结构，能够合理推断可以存在另一个表面互连（第四互连）与已有的表面互连（第二互连）耦合，以实现电路功能。因此，技术特征N被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述第三互连和所述第四互连是焊盘。《未公开》 | 对比文件全文主要描述和图示的是“trace”（迹线），包括“bias trace”和“signal trace”。虽然“metal features”可能广义上包含焊盘，但说明书中没有明确将任何特定互连结构描述或定义为“pad”（焊盘）。图5A-5D中的“out-of-plane”结构也被描述为“trace”。 | 目标专利明确将第三、第四互连限定为“焊盘”。对比文件未公开任何明确称为“焊盘”或具有典型焊盘功能（如为凸块提供连接接口）的互连结构。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出该特定类型的互连。因此，技术特征O未被对比文件公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述基板是封装基板。《隐含公开》 | [0003] “The present invention relates to the field of integrated circuits and packaging” [0005] “substrates used in both integrated circuits and integrated circuit packages.” [0010] “This reduction leads to reduced substrate layer counts and/or reduced overall integrated circuit package size.” | 对比文件明确其发明涉及集成电路“封装”领域，所讨论的“基板”用于集成电路和集成电路“封装”中，并且其技术能减小“封装”尺寸。因此，本领域技术人员能够清楚地理解，对比文件所公开的嵌入式迹线基板正是用于封装领域的“封装基板”。因此，技术特征P被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征Q：其特征在于，进一步包括第二电介质层。《隐含公开》 | [0168] “the process discussed above ... is continued and repeated as a second dielectric layer is applied to the first dielectric layer first surface ... This layering of dielectric layers can be continued through as many iterations as needed to create a multilayer structure” | 对比文件明确描述了可以在第一电介质层上继续添加第二电介质层以形成多层结构。这直接公开了基板可以包括第二电介质层。因此，技术特征Q被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征R：其特征在于，所述基板被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。《隐含公开》 | 对比文件未明确列举具体的终端电子设备。 | 然而，对比文件公开的基板用于集成电路封装，而集成电路封装是构成各种电子设备的基本组成部分。将此类封装基板纳入音乐播放器、视频播放器、通信设备等电子设备中，是本领域公知的常规应用。本领域技术人员能够毫无疑义地推断出该基板可用于这些设备。因此，技术特征R被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述基板被纳入移动电话中。《隐含公开》 | 对比文件未明确提及移动电话。 | “移动电话”是技术特征R所列“通信设备”或“移动设备”的一个具体示例。基于与技术特征R相同的理由，将基板应用于移动电话是本领域技术人员能够合理推断出的常规应用。因此，技术特征S被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征T：其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连《直接公开》 | [0071] “second signal trace 110B ... is embedded within dielectric layer 101B” 或 [0063] “second bias trace 111A ... is embedded within dielectric layer 101A” | 对比文件公开了多个嵌入在电介质层中的互连（迹线），例如第二信号迹线110B或第二偏置迹线111A，这些均可视为“第三互连”。因此，技术特征T被对比文件直接公开。 |
| 技术特征U：以及至少部分地在所述第三互连上的第四互连。《直接公开》 | [0140] “out-of-plane third bias trace 563C ... are formed directly over in-plane first bias trace 507C” | 对比文件明确公开了“平面外第三偏置迹线563C”直接形成在“平面内第一偏置迹线507C”的上方。这里的“平面内第一偏置迹线507C”可对应于“第三互连”，“平面外第三偏置迹线563C”可对应于“第四互连”。因此，“第四互连至少部分地在第三互连上”被直接公开。技术特征U被对比文件直接公开。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述第三互连包括第一横截面尺寸，并且所述第四互连包括小于所述第一横截面尺寸的第二横截面尺寸。《未公开》 | 对比文件图5C、5D显示了平面外迹线（563C， 565C）与下方平面内迹线（507C， 511C）的宽度关系。图中显示平面外迹线的宽度可能小于、等于或大于下方平面内迹线的宽度，但说明书文字部分并未对它们的尺寸相对关系进行任何限定或强调。 | 目标专利明确限定了第四互连的横截面尺寸小于第三互连。对比文件虽然公开了上下叠置的互连，但并未公开或暗示它们之间必须存在这种特定的尺寸关系。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出该限定。因此，技术特征V未被对比文件公开。 |
| 技术特征W：其特征在于，所述第四互连部分地在所述第三互连上并且部分地在所述第一电介质层上。《直接公开》 | [0140] “out-of-plane third bias trace 563C ... are formed directly over in-plane first bias trace 507C” 结合图示，平面外迹线的底部必然接触电介质层表面。 | 对比文件图5C清楚显示，平面外偏置迹线563C的底部坐落在电介质层501C的表面上。同时，由于它“直接形成在”平面内偏置迹线507C的上方，它必然有一部分区域在平面内迹线507C的正上方。因此，该结构明确是部分在第三互连上、部分在第一电介质层上。技术特征W被对比文件直接公开。 |
| 技术特征X：其特征在于，所述第四互连是焊盘。《未公开》 | 同技术特征O的论述。对比文件未公开任何明确称为“焊盘”的结构。 | 目标专利明确将第四互连限定为“焊盘”。对比文件未公开该特定类型的互连。因此，技术特征X未被对比文件公开。 |
| 技术特征Y：其特征在于，所述第三互连耦合至所述第一互连。《隐含公开》 | [0133] “electrically conductive connector trace 551” (图5B中连接平面内偏置迹线507B和平面外偏置迹线508B)。 [0140] “formed directly over ...”，暗示电连接。 | 对比文件图5B公开了导电连接迹线551，将平面内偏置迹线507B（可视为第一互连）与平面外偏置迹线508B（可视为第三互连）电连接。图5C中平面外迹线直接形成在平面内迹线上方也暗示了电耦合。这教导了第三互连可以耦合至第一互连。因此，技术特征Y被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征Z：其特征在于，进一步包括所述第一电介质层上的第三互连。《直接公开》 | [0128] “out-of-plane first bias trace 508 ... is in electrical contact with dielectric layer first surface 503.” | 对比文件公开了位于第一电介质层第一表面（503）上的互连，例如平面外第一偏置迹线508。这完全符合“第一电介质层上的第三互连”的宽泛描述。因此，技术特征Z被对比文件直接公开。 |
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