对比文件名称：2011-04-19_US7928549B_发明授权_US07928549B2 Integrated circuit devices with multi-dimensional pad structures
目标专利名称：用于基板的超细间距和间隔互连 CN105493278B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括第一表面和第二表面的第一电介质层《未被公开》 | 段落[0024]：“Each of the device layers may comprise dielectric and/or semiconductor materials...” | 对比文件描述的是三维集成电路（3D IC）堆叠中的“器件层（device layers）”，这些层包含电介质和/或半导体材料，并内置有半导体器件和互连结构（例如，段落[0024]）。然而，这些“器件层”是构成集成电路本身的层（如控制器电路层、存储器阵列层），而非目标专利中作为承载和支撑互连结构的“基板（substrate）”或“封装基板（package substrate）”的电介质层。目标专利的“第一电介质层”是基板的一部分，用于嵌入和支撑互连（如迹线），其作用是为互连提供绝缘和结构支撑。对比文件中的“器件层”是功能性的集成电路层，其作用是实现特定的电路功能（如存储、控制）。二者在结构位置、功能和作用上均不相同。因此，本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出目标专利中作为基板一部分的“第一电介质层”。 |
| 技术特征B：嵌入在所述第一电介质层中的第一互连，所述第一互连包括第一侧和第二侧，所述第一侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第二侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触，其中所述第一互连是第一迹线《未被公开》 | 段落[0024]：“...including semiconductor devices and/or interconnecting structures therein.”；段落[0025]：“...pads 260 are further provided in one or some of the internal devices layers...”；段落[0027]：“...pads 310 and 410...”。 | 对比文件公开了在器件层内部存在“互连结构（interconnecting structures）”和“焊盘（pads）”（例如，段落[0024]、[0025]、[0027]）。然而，这些互连结构是构成3D IC内部电路连接的一部分，其作用是实现层内或层间的电连接。目标专利的“第一互连”是明确为“第一迹线”的嵌入式互连，其被“第一电介质层”围绕且部分表面暴露，这种结构旨在通过嵌入式设计减小间距、防止短路。对比文件既未明确公开“迹线”这一特定互连形式，也未描述其被电介质层“围绕”且“部分表面不接触电介质层”的嵌入式结构特征。对比文件中的互连或焊盘是作为电路功能层的一部分，其结构、位置和作用与目标专利中作为基板布线一部分的嵌入式迹线有本质区别。因此，该技术特征未被直接或隐含公开。 |
| 技术特征C：穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第一互连的所述第二侧的第一空腔，其中所述第一空腔具有与所述第一互连的互连宽度基本相等的空腔宽度《未被公开》 | 无 | 对比文件全文未提及任何“空腔（cavity）”结构，更没有描述在电介质层中形成穿过其表面到达嵌入式互连的空腔。目标专利的“第一空腔”是关键结构，用于暴露嵌入式互连的顶部并提供空间，以实现与另一互连（如第五互连）的连接或增加间隔，其宽度与互连宽度基本相等是精确控制的结构特征。对比文件完全没有涉及此类结构或概念。因此，本领域技术人员无法从对比文件的内容中进行任何合理的推理或推断得出该技术特征。 |
| 技术特征D：以及包括第三侧和第四侧的第二互连，其中所述第三侧至少部分地耦合到所述第一电介质层的所述第一表面上，其中所述第二互连是第二迹线《未被公开》 | 段落[0025]：“...a plurality of pads 250 are formed in a topmost device layer 208 of the IC device 200 and the pads 250 are exposed by a top surface thereof...”；图5c：“...the substrate 700 can be formed with a plurality of bond pads 720 thereon...”。 | 对比文件公开了在器件层顶部表面上的“焊盘（pads 250）”以及在封装基板上的“键合焊盘（bond pads 720）”。然而，目标专利的“第二互连”明确限定为“第二迹线”。迹线（trace）通常是细长的导线，用于在基板表面传导信号，而焊盘（pad）通常是面积较大的接触区域，用于连接凸块或导线。二者是不同类型的互连结构，在形状、功能和作用上存在区别。对比文件只公开了焊盘，并未公开表面上的“迹线”。因此，对比文件未公开“第二迹线”这一特定技术特征。 |
| 技术特征E：以及至少部分地在所述第一空腔中的第五互连，所述第五互连耦合至所述第一互连。《未被公开》 | 无 | 该特征依赖于“第一空腔”的存在。如特征C所述，对比文件未公开任何“空腔”结构。因此，“至少部分地在第一空腔中的第五互连”这一技术特征自然也未被公开。对比文件中没有相应的结构基础供本领域技术人员进行推理。 |
| 技术特征F：其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连，所述第三互连包括第五侧和第六侧，所述第五侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第六侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触《未被公开》 | 段落[0024]、[0025]、[0027]（同特征B） | 该特征与特征B类似，是另一个嵌入式互连（第三互连）。基于与特征B相同的理由，对比文件未公开作为基板一部分的“第一电介质层”，也未公开嵌入其中且具有特定暴露侧结构的“第三互连”。对比文件中的互连结构属于集成电路功能层，而非基板布线层。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征G：穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第三互连的所述第六侧的第二空腔，其中所述第二空腔具有与所述第三互连的第二互连宽度基本相等的第二空腔宽度《未被公开》 | 无 | 该特征与特征C类似，是另一个空腔。基于与特征C相同的理由，对比文件未公开任何“空腔”结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征H：以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连包括第七侧和第八侧，其中所述第七侧耦合至所述第一电介质层的所述第一表面。《未被公开》 | 段落[0025]、图5c（同特征D） | 该特征与特征D类似，是另一个表面互连。基于与特征D相同的理由，对比文件公开了表面上的焊盘（如pads 250, bond pads 720），但目标专利的“第四互连”在权利要求上下文中未明确限定为焊盘，其可能被解释为迹线或其他结构。即使宽泛地理解为表面互连，对比文件公开的表面焊盘是位于IC器件层顶部或封装基板上，其作用是作为I/O连接点，这与目标专利中作为基板表面布线一部分的“第四互连”在结构位置和作用上并不完全相同。但考虑到隐含公开标准宽松，若仅考虑“表面上的互连”这一最宽泛概念，对比文件可能隐含了在表面上存在互连结构。然而，由于该特征（H）是从属于包含空腔等结构的权利要求，其具体语境是目标专利的特定基板架构。对比文件并未公开该架构，因此无法合理推断出在此特定架构下的“第四互连”。综合判断，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔约为30微米(μm)。《未被公开》 | 无 | 对比文件全文未提及任何互连之间的具体间距数值，如“30微米”。目标专利中该间距是实现“超细间距”的具体量化指标。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该具体数值。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔小于为30微米(μm)。《未被公开》 | 无 | 同上。对比文件未提及任何具体的互连间距数值，因此无法得出“小于30微米”的限定。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔约为10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。《未被公开》 | 无 | 对比文件全文未提及任何互连之间的具体间距数值，如“10微米”。目标专利中该间距是实现“超细间距”的另一具体量化指标。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该具体数值。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔小于10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。《未被公开》 | 无 | 同上。对比文件未提及任何具体的互连间距数值，因此无法得出“小于10微米”的限定。 |
| 技术特征M：其特征在于，进一步包括：所述第一电介质层的所述第一表面上的第三互连，所述第三互连耦合至所述第一互连《未被公开》 | 段落[0027]、图3a-b：“...a pad 310 is formed in layer 306... Pads 310 and 410 can be connected by an internal interconnect structure (not shown)...”。 | 对比文件公开了在不同器件层（如层306中的pad 310和层406中的pad 410）中存在焊盘，并且它们可以通过内部互连结构连接（段落[0027]）。然而，这描述的是3D IC堆叠内部不同层之间的垂直连接。目标专利的“第三互连”是位于“第一电介质层的第一表面上”并“耦合至所述第一互连（嵌入式迹线）”。这是一种在基板表面上的互连与基板内部的嵌入式互连之间的连接。两者在连接所涉及的结构层次（IC内部功能层间连接 vs. 基板表面与内部布线连接）和结构类型上均不同。因此，对比文件未公开该特定技术特征。 |
| 技术特征N：以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连耦合至所述第二互连。《未被公开》 | 无明确对应 | 对比文件未明确描述位于基板（或类似物）表面上的一个互连耦合至另一个表面互连（第二互连）的结构。图5c中的导电丝740连接的是IC顶部的焊盘250和基板上的焊盘720，这不是两个都在同一基板表面上的互连之间的耦合。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述第三互连和所述第四互连是焊盘。《隐含公开》 | 段落[0025]：“...pads 250 are formed in a topmost device layer...”；段落[0025]：“...pads 260 are further provided in one or some of the internal devices layers...”；图5c：“...bond pads 720...”。 | 对比文件明确且多次公开了“焊盘（pads）”结构，例如位于最顶部器件层的pads 250，位于侧面边缘的pads 260，以及位于封装基板上的bond pads 720。焊盘是电子器件中常见的用于电连接的结构。目标专利中“第三互连和第四互连是焊盘”是对互连类型的具体限定。虽然对比文件中的焊盘位于不同的结构位置（IC层或基板），但其作为“焊盘”的基本属性和作用（提供电连接接口）是相同的。在隐含公开的宽松标准下，本领域技术人员可以从对比文件公开的“焊盘”这一概念，合理推断出在基板结构的上下文中也可以存在作为互连的“焊盘”。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述基板是封装基板。《直接公开》 | 段落[0032]：“...the substrate 700 may be formed with a recess 710...”；图5a-c，6a-c均示出了“substrate 700”。 | 对比文件明确且多次提及并图示了“substrate 700”，其用于承载和电连接IC器件200（例如图5a-c）。在集成电路封装领域，“substrate”通常即指“封装基板（package substrate）”。对比文件中的substrate 700正是起到封装基板的作用，为IC提供机械支撑、电气连接和散热路径。这与目标专利中“基板是封装基板”的技术特征完全相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征Q：其特征在于，进一步包括第二电介质层。《未被公开》 | 段落[0024]：“Each of the device layers may comprise dielectric...”，表明存在多个包含电介质的层。 | 对比文件公开了3D IC中包含多个“器件层（device layers）”，这些层可以包含电介质材料。然而，这些“器件层”是构成集成电路本身的堆叠层，其每一层都是一个完整的功能电路层。目标专利的“第二电介质层”是指在作为封装体的“基板”内部可能包含的多个电介质层之一，用于构建多层布线。二者在所属装置（IC功能堆叠 vs. 封装基板）和层级作用上不同。因此，本领域技术人员无法从对比文件直接得出或合理推断出目标专利中作为基板一部分的“第二电介质层”。 |
| 技术特征R：其特征在于，所述基板被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。《未被公开》 | 无 | 对比文件全文未提及任何具体的电子设备产品，如音乐播放器、移动电话等。该特征是关于基板最终应用的商业领域限定，属于使用场景的描述，而非对基板结构本身的技术限定。对比文件未公开此应用场景。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述基板被纳入移动电话中。《未被公开》 | 无 | 同上。对比文件未提及移动电话。 |
| 技术特征T：其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连《未被公开》 | 段落[0024]、[0025]、[0027]（同特征B， F） | 该特征与特征B和F类似。基于相同理由，对比文件未公开作为基板一部分的“第一电介质层”，也未公开嵌入其中的“第三互连”。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征U：以及至少部分地在所述第三互连上的第四互连。《隐含公开》 | 段落[0028]、图3b：“Pads 310 and 410 of each of the wafers 202 and 204 are first aligned and then bonded to thereby form a composite pad 260.”；图4e类似。 | 对比文件公开了通过对准和键合两个焊盘（如310和410）形成一个“复合焊盘（composite pad 260）”。这种结构可以理解为第四互连（上层的焊盘410）至少部分地位于第三互连（下层的焊盘310）之上，并且两者通过键合连接。虽然该结构出现在3D IC的制造过程中（晶圆键合），但“一个互连至少部分地在另一个互连之上”这一空间位置关系是明确的。在宽松的隐含公开判断标准下，本领域技术人员可以从对比文件公开的“复合焊盘”结构，合理推断出存在“至少部分地在所述第三互连上的第四互连”这种位置关系。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述第三互连包括第一横截面尺寸，并且所述第四互连包括小于所述第一横截面尺寸的第二横截面尺寸。《未被公开》 | 无 | 对比文件未描述复合焊盘中上下两个焊盘（或任何两个上下叠置的互连）之间的尺寸关系。图3a-b、4e等图示也未明确显示上层焊盘尺寸小于下层焊盘尺寸。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出这种特定的尺寸大小关系。 |
| 技术特征W：其特征在于，所述第四互连部分地在所述第三互连上并且部分地在所述第一电介质层上。《未被公开》 | 无 | 对比文件未描述第四互连（如上层的焊盘410）部分位于电介质层上的情况。在对比文件图3b、4e所示的复合焊盘形成过程中，上焊盘是与下焊盘对准键合，其并未显示上焊盘有部分延伸到下焊盘之外并位于电介质材料上。该特征涉及更复杂的空间布局，对比文件未提供任何相关信息。 |
| 技术特征X：其特征在于，所述第四互连是焊盘。《直接公开》 | 段落[0027]：“...a pad 410 is formed in the layer 406.”；段落[0028]：“Pads 310 and 410...”。 | 在对比文件描述形成复合焊盘的过程中，明确将上层结构称为“pad 410”，即焊盘。因此，“第四互连是焊盘”这一具体类型限定，被对比文件直接公开。 |
| 技术特征Y：其特征在于，所述第三互连耦合至所述第一互连。《未被公开》 | 段落[0027]：“Pads 310 and 410 can be connected by an internal interconnect structure (not shown) to thereby provide a conductive path to a device formed in the wafer.” | 对比文件提到焊盘310和410可以通过内部互连结构连接，以提供到晶圆内器件的导电路径。这里的“第三互连”（假设对应pad 310）是通过内部互连连接到器件，而非连接到目标专利中定义的“第一互连”（第一迹线）。目标专利的耦合关系是基板内部特定互连之间的连接，与对比文件描述的IC内部互连网络不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征Z：其特征在于，进一步包括所述第一电介质层上的第三互连。《未被公开》 | 段落[0025]：“...pads 250 are formed in a topmost device layer 208 of the IC device 200 and the pads 250 are exposed by a top surface thereof...”。 | 对比文件公开了在IC器件层顶部的表面上的焊盘（pads 250）。然而，这些焊盘是位于“器件层（device layer）”上，而非目标专利的“第一电介质层”（基板）上。如前所述，二者属于不同装置的不同结构层级。因此，该技术特征未被公开。 |
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