**对比文件名称**：2010-06-24_JP2010141204A_发明专利_JP2010141204A Wiring board and method of manufacturing the same
**目标专利名称**：用于基板的超细间距和间隔互连CN105493278B
**本次调用模型名称**：GPT-4
**特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括第一表面和第二表面的第一电介质层。 《直接公开》 | [2] 段落：“本実施形態に係る配線基板（半導体パッケージ）１０は、図示のように、複数の配線層１１，１４，１７，２０が絶縁層（具体的には、樹脂層）１２，１５，１８を介在させて積層され...” 图1清晰显示了包括树脂层12、15、18等多个绝缘层（电介质层）。 | 对比文件明确公开了配线基板包含多个绝缘层（树脂层），例如最外层的树脂层12（对应图1）。该树脂层具有上表面（第一表面）和下表面（第二表面），作为承载互连的结构层。其作用与目标专利中作为互连载体和绝缘体的第一电介质层相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：嵌入在所述第一电介质层中的第一互连，所述第一互连包括第一侧和第二侧，所述第一侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第二侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触，其中所述第一互连是第一迹线。 《直接公开》 | [2] 段落：“...配線層１１...この配線層１１の所定の複数箇所に画定された各部分は、チップを搭載するためのパッドＰ１及び他のパッケージをＰＯＰ接合するためのパッドＰ２として機能する。” 图1、图2(e)-图3(a)显示了配线层11形成于支持基材60a上，随后被树脂层12覆盖。图1中空腔CV暴露了配线层11（即P1、P2）的顶面。 | 对比文件公开了配线层11（即第一互连）被形成并嵌入在树脂层12（第一电介质层）中。其底面和侧面被树脂层12围绕（第一侧被围绕）。由于其顶部在空腔CV内暴露，因此其顶面（第二侧）的至少一部分不与树脂层12接触。配线层11作为导电通路，其作用与目标专利中传导信号的“迹线”相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第一互连的所述第二侧的第一空腔，其中所述第一空腔具有与所述第一互连的互连宽度基本相等的空腔宽度。 《未公开》 | [2] 段落：“このコアレス基板の一方の面側（図示の例では上側）の最外層の樹脂層１２には、本発明を特徴付ける凹部（キャビティ）ＣＶが形成されている。” 图1、图5、图6等显示了空腔CV。 | 对比文件确实公开了在树脂层12（第一电介质层）中形成空腔（キャビティCV），该空腔穿过树脂层12的表面到达其下方的配线层11（第一互连）的顶面（第二侧）。然而，对比文件的说明书和附图均未描述或暗示该空腔CV的宽度与它所暴露的配线层11（例如P1或P2）的宽度具有“基本相等”的特定关系。目标专利强调此宽度相等关系是为了实现特定的超细间距和间隔效果。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出这一具体的尺寸关系特征。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D**：以及包括第三侧和第四侧的第二互连，其中所述第三侧至少部分地耦合到所述第一电介质层的所述第一表面上，其中所述第二互连是第二迹线。 《直接公开》 | [2] 段落：“次の工程では（図４（ａ）参照）、ビアホールＶＨ１，ＶＨ２が形成された絶縁層１２上に、各ビアホールＶＨ１，ＶＨ２をそれぞれ充填して（ビア１３ａ，１３ｂの形成）、各パッドＰ１，Ｐ２に接続される所要パターンの配線層１４を形成する。” 图1、图4(a)显示了位于树脂层12上表面的配线层14。 | 对比文件公开了在树脂层12（第一电介质层）的上表面（第一表面）上形成有配线层14。该配线层14通过通孔（ビア13a， 13b）与下层的配线层11连接，即其至少一部分（底面，可对应第三侧）耦合到树脂层12的上表面。配线层14作为导电通路，其作用与目标专利中的“迹线”相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：以及至少部分地在所述第一空腔中的第五互连，所述第五互连耦合至所述第一互连。 《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件中，空腔CV内暴露的是配线层11（第一互连）本身的表面（即P1， P2），并未在空腔CV内另行设置一个“第五互连”并使其耦合至第一互连。目标专利的第五互连（例如焊盘）是位于空腔内的一个附加互连结构。对比文件完全没有揭示这一结构。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中推理出存在这样一个额外的、位于空腔内的互连。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连，所述第三互连包括第五侧和第六侧，所述第五侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第六侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触。 《直接公开》 | [2] 段落：“...パッドＰ１...パッドＰ２...（配線層１１の所要の箇所に画定された部分）...” 图1显示了配线层11中包含多个被定义为焊盘（P1， P2）的部分，它们都嵌入在树脂层12中。 | 对比文件公开的配线层11中包含了多个独立的互连部分（例如P1和P2）。如前所述，这些互连部分（例如P2）同样嵌入在树脂层12（第一电介质层）中，其侧面被树脂层围绕（第五侧被围绕），并且其顶面（第六侧）在空腔CV的对应位置暴露，即至少一部分不与树脂层接触。这与特征B中第一互连的结构完全相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征G**：穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第三互连的所述第六侧的第二空腔，其中所述第二空腔具有与所述第三互连的第二互连宽度基本相等的第二空腔宽度。 《未公开》 | 同技术特征C的引用。对比文件的空腔CV是一个连续的区域，同时暴露下方的多个互连（如P1和P2），并非为每个互连单独形成独立的空腔。 | 对比文件中的空腔CV是一个较大的、覆盖芯片搭载区域的单一凹槽，它同时暴露了其下方的多个互连（如P1和P2）。说明书和附图均未公开存在与第三互连（如P2）一一对应且宽度基本相等的“第二空腔”。目标专利中强调每个空腔与对应互连的宽度基本相等，是实现超细间距的关键。对比文件的结构和目的（收容芯片、充当树脂坝）与此不同。本领域技术人员无法从对比文件推理出存在多个独立的、宽度与互连匹配的空腔。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连包括第七侧和第八侧，其中所述第七侧耦合至所述第一电介质层的所述第一表面。 《直接公开》 | [2] 段落：“さらに、この配線層２０の所定の箇所に画定されるパッドＰ３，Ｐ４の部分を除いて表面（絶縁層１８及び配線層２０）を覆うようにソルダレジスト層２１を形成する。” 图1显示了位于树脂层18（可视为另一电介质层）上表面的配线层20。 | 对比文件公开了在绝缘层（例如树脂层18）的上表面形成有配线层20。该配线层20的底面（可对应第七侧）耦合到树脂层18的表面。其作用同样是作为导电互连。虽然目标专利权利要求此处指定为“第一电介质层”，但根据说明书，基板可包含多个电介质层，且互连可以形成在不同层的表面。对比文件公开了在电介质层表面形成互连这一通用特征。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔约为30微米(μm)。 《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件全文未提及任何互连（如P1与P2）之间的具体间隔数值，尤其是“约为30微米”这一精确数值。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出这一具体的尺寸限定。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔小于为30微米(μm)。 《未公开》 | 无对应内容。 | 理由同技术特征I。对比文件未公开任何具体的互连间隔数值，更未公开“小于30微米”这一范围。无法从对比文件中推理得出。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔约为10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。 《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未提及嵌入式互连（如P1）与表面互连（如配线层14的部分）之间的具体间隔数值。目标专利中“约为10微米”的特定间距是实现超细间距的核心。对比文件没有给出任何相关教导或暗示。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔小于10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。 《未公开》 | 无对应内容。 | 理由同技术特征K。对比文件未公开“小于10微米”的间隔。 |
| **技术特征M**：其特征在于，进一步包括：所述第一电介质层的所述第一表面上的第三互连，所述第三互连耦合至所述第一互连。 《未公开》 | [2] 段落：“パッドＰ１には、本パッケージ１０に搭載される半導体素子等の電子部品（チップ）の電極パッドがはんだバンプ等の導電性材料を用いてフリップチップ接続され...” 图1显示了焊盘P1是配线层11的一部分，而非其表面上独立的互连。 | 对比文件中，与第一互连（配线层11的P1部分）电连接的是外部器件（芯片）的电极，而非基板自身第一电介质层表面上的另一个“第三互连”。目标专利中“第三互连”是基板表面结构的一部分。对比文件未公开此结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连耦合至所述第二互连。 《未公开》 | 同技术特征M的分析。对比文件中，与表面互连（如配线层14）电连接的是上层配线或通孔，而非一个特指的、耦合到第二互连的表面“第四互连”。 | 对比文件未明确公开在第二互连（如配线层14）所在的第一电介质层表面上，存在一个专门耦合至该第二互连的、独立的“第四互连”。其互连结构是通过通孔在层间连接。本领域技术人员无法从对比文件直接得出或合理推断出这一特定耦合关系的表面互连特征。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述第三互连和所述第四互连是焊盘。 《未公开》 | [2] 段落：“...パッドＰ１及び他のパッケージをＰＯＰ接合するためのパッドＰ２として機能する。” 对比文件中的“パッド”是配线层11上被定义的区域，是嵌入式互连的暴露部分。 | 对比文件虽然使用了“パッド（焊盘）”一词，但其所指的P1、P2是嵌入式互连（配线层11）的端部区域，其主体是嵌入在电介质中的迹线结构。而目标专利权利要求中的“第三互连和第四互连是焊盘”应理解为独立于迹线的、主要用于连接接口的表面结构（如说明书所述焊盘是为互连提供耦合接口的元件）。两者在结构和作用上存在差异。对比文件未公开这种作为独立表面结构的焊盘。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述基板是封装基板。 《直接公开》 | [2] 段落：“かかる配線基板は、半導体チップ等を搭載するパッケージとしての機能を果たすという点で、以下の記述では便宜上、「半導体パッケージ」ともいう。” | 对比文件明确其配线基板用作搭载半导体芯片的“半导体封装”，即封装基板。其作用与目标专利的基板相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，进一步包括第二电介质层。 《直接公开》 | [2] 段落：“...複数の配線層１１，１４，１７，２０が絶縁層（具体的には、樹脂層）１２，１５，１８を介在させて積層され...” | 对比文件图1及说明明确公开了基板包含多个绝缘层（电介质层），例如树脂层12、15、18。因此，“包括第二电介质层”这一特征被直接公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述基板被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。 《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件仅描述了配线基板本身及其在半导体封装中的应用，并未提及将其纳入任何具体的终端电子设备中。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述基板被纳入移动电话中。 《未公开》 | 无对应内容。 | 理由同技术特征R。对比文件未提及移动电话等具体设备。 |
| **技术特征T**：其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连。 《直接公开》 | 同技术特征F。 | 该特征与技术特征F的前半部分实质相同。对比文件公开了嵌入在树脂层12（第一电介质层）中的多个互连部分（如P1， P2），因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征U**：以及至少部分地在所述第三互连上的第四互连。 《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件中没有任何一个互连是“至少部分地在”另一个嵌入式互连之上的结构。互连之间通过垂直的通孔连接。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第三互连包括第一横截面尺寸，并且所述第四互连包括小于所述第一横截面尺寸的第二横截面尺寸。 《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未描述任何互连之间的尺寸关系，特别是横截面尺寸的大小比较。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述第四互连部分地在所述第三互连上并且部分地在所述第一电介质层上。 《未公开》 | 无对应内容。 | 理由同技术特征U。对比文件不存在这样的叠层互连结构。 |
| **技术特征X**：其特征在于，所述第四互连是焊盘。 《未公开》 | 同技术特征O的分析。 | 对比文件未公开作为独立表面结构的“焊盘”式的第四互连。 |
| **技术特征Y**：其特征在于，所述第三互连耦合至所述第一互连。 《未公开》 | 对比文件中的互连（如P1和P2）都是配线层11的一部分，它们之间可能存在电连接（通过配线层11的图案），但说明书未明确描述特定的耦合关系。目标专利权利要求中的“耦合至”意指电连接。对比文件未明确揭示第三互连与第一互连之间的这种具体连接关系。 | 虽然对比文件的配线层11可能包含相互连接的图案，但本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地确定其中必然存在一个“第三互连”专门“耦合至”另一个“第一互连”。该特征限定了互连间特定的连接关系，而对比文件未明确公开。因此，该技术特征未被直接公开。隐含公开判断：对比文件公开了配线层11形成互连网络，本领域技术人员可以理解，根据设计需要，其中的互连部分可以相互连接。因此，可以合理推断出存在“第三互连耦合至第一互连”的可能性。这属于对比文件部分公开的内容（有互连网络）可能与其他公知常识（互连可互相连接）组合所能得出的技术方案。根据宽松的隐含公开判断标准，可以认为该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征Z**：其特征在于，进一步包括所述第一电介质层上的第三互连。 《直接公开》 | 同技术特征D和H的分析。对比文件公开了在电介质层（如树脂层12、18）表面上形成的互连（如配线层14、20）。 | 该特征与技术特征D和H的“表面互连”特征类似。对比文件明确公开了在电介质层表面上的互连结构。因此，该技术特征被直接公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<D>>><<<F>>><<<H>>><<<P>>><<<Q>>><<<Z>>><<<y>>>