2002-09-27_JP2002280614A_发明专利_JP2002280614A Light emitting diode_+++A_C_R_b_e_f_k_q_s+++.docx

对比文件名称:2002-09-27_JP2002280614A_发明专利_JP2002280614A Light emitting diode

目标专利名称:1304带有发光二极管的照明系统CN100576588C

本次调用的模型名称:未指定

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:至少一个发光二极管芯片《直接公开》段落[0013]:“発光ダイオード素子6”(发光二极管元件6)对比文件直接公开了至少一个发光二极管芯片(发光二极管元件6),用于发光。
技术特征B:每个发光二极管芯片包括设置有用来发光的发光层(1)的LED衬底(2)《隐含公开》段落[0013]:“発光ダイオード素子6”(发光二极管元件6)对比文件公开了发光二极管元件,本领域技术人员可以合理推断该元件必然包含发光层和衬底,因此隐含公开。
技术特征C:至少一个发光二极管芯片排列在光学衬底(10)上《直接公开》段落[0013]:“発光ダイオード素子6は透明接着剤5aによって透明基板22に固着されている”(发光二极管元件6通过透明粘合剂5a固定在透明基板22上)对比文件直接公开了发光二极管芯片排列在透明基板(光学衬底)上。
技术特征D:至少一个发光二极管芯片的发光层(1)面对光学衬底(10)《未公开》对比文件未明确描述发光层朝向对比文件未公开发光层面对光学衬底,本领域技术人员不能从对比文件合理推断该朝向。
技术特征E:至少一个发光二极管芯片发出的光经由光学衬底(10)的出光窗口(11)发出,该出光窗口(11)背向发光层(1)《隐含公开》段落[0014]:“リフレクタ部25で反射した光が透明封止樹脂28を透過して透明基板22の下面側に導かれる”(被反射部25反射的光透过透明封止树脂28被引导到透明基板22的下面侧)对比文件公开了光从透明基板下面侧(出光窗口)发出,该侧背向发光二极管元件(发光层通常位于元件上表面),因此出光窗口背向发光层,隐含公开。
技术特征F:光学衬底(10)包括散热装置《隐含公开》段落[0015]:“発光ダイオード素子6が実装してある透明基板22にメタライズしてあるので、発光ダイオード素子6の放熱性が良い”(由于在安装有发光二极管元件6的透明基板22上进行了金属化,因此发光二极管元件6的散热性良好)对比文件公开了透明基板上的金属化层具有散热功能,该金属化层可视为散热装置,因此光学衬底包括散热装置,隐含公开。
技术特征G:光学衬底(10)包括半透明多晶陶瓷材料《未公开》段落[0013]:“透明基板22”为石英玻璃或蓝宝石玻璃等,非半透明多晶陶瓷对比文件未公开半透明多晶陶瓷材料。
技术特征H:该半透明多晶陶瓷材料作为散热装置《未公开》同上未公开半透明多晶陶瓷材料,故未公开其作为散热装置。
技术特征I:该半透明多晶陶瓷材料对于由发光二极管芯片发出的光是半透明的《未公开》同上未公开。
技术特征J:其中半透明多晶陶瓷材料选自包括钇铝石榴石、多晶氧化铝和氮化铝的组《未公开》对比文件未提及这些材料未公开。
技术特征K:其中散热装置包括施加于光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧上的金属化层(16)《隐含公开》段落[0013]:“透明基板22に一対の電極23、24を部分的にメタライズ”(在透明基板22上部分地金属化形成一对电极23、24)对比文件公开了透明基板上的金属化层(电极),且根据表面实装结构,该金属化层位于芯片侧(背向出光窗口),具有散热功能,隐含公开了散热装置包括该金属化层。
技术特征L:其中散热装置包括施加于光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧的散热器(17)《未公开》对比文件未提及散热器未公开。
技术特征M:其中所述至少一个发光二极管芯片被嵌入进光学衬底(10)中《未公开》段落[0013]显示芯片固定在基板表面,未嵌入未公开。
技术特征N:其中光学衬底(10)包括:-用于将由发光二极管芯片发出的光的至少一部分转换成不同颜色的光的发光材料《未公开》对比文件未提及发光材料未公开。
技术特征O:和/或-等于发光二极管芯片的折射率的折射率《未公开》对比文件未提及折射率匹配未公开。
技术特征P:和/或-选自包括微透镜和衍射图案的组的光学结构《未公开》段落[0018]:“透明基板22の下面側で、且つ発光ダイオード素子6の直上の位置に透明樹脂で放物球面状レンズまたは楕円球面状面レンズ42を形成する”(在透明基板22的下面侧且发光二极管元件6的正上方位置,用透明树脂形成抛物球面透镜或椭圆球面透镜42)对比文件公开了抛物/椭圆球面透镜,但非微透镜或衍射图案,未公开。
技术特征Q:其中金属连接(23)设置在光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧《隐含公开》段落[0013]:“一対の電極23、24を部分的にメタライズ”(一对电极23、24部分地金属化)对比文件公开了金属连接(电极),且根据表面实装结构,其位于芯片侧(背向出光窗口),隐含公开。
技术特征R:该金属连接(23)给所述至少一个发光二极管芯片供电《直接公开》段落[0013]:“一対の電極23、24”及图1显示电极连接芯片对比文件直接公开了金属连接(电极)用于给发光二极管芯片供电。
技术特征S:其中光键合装置(12)设置在所述至少一个发光二极管芯片和光学衬底(10)之间《隐含公开》段落[0013]:“透明接着剤5a”(透明粘合剂5a)对比文件公开了透明粘合剂作为光键合装置,设置在芯片和透明基板之间,用于固定和光学耦合,隐含公开。
技术特征T:其中至少一个发光二极管芯片在标称功率下驱动时,辐射功率输出至少为100mW《未公开》对比文件未提及功率输出未公开。

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