对比文件名称：1998-06-09_None_发明专利_JPH10151794A Light emitting device and method for molding it
目标专利名称：1304带有发光二极管的照明系统CN100576588C
本次调用的模型名称：Claude
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：至少一个发光二极管芯片《直接公开》 | 【0017】“透光性支持体上にはＬＥＤチップ３０２を１個以上配置させても良い。” | 对比文件明确公开了LED芯片（发光二极管芯片），并且可以设置一个或多个，因此直接公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：每个发光二极管芯片包括设置有用来发光的发光层(1)的LED衬底(2)《直接公开》 | 【0025】“半導体を発光層として形成させたＬＥＤチップ”；【0050】“ＬＥＤチップは、洗浄させたサファイヤ基板上に…半導体を成膜” | 对比文件公开了LED芯片由基板（如蓝宝石）和在其上形成的半导体发光层构成，因此直接公开了每个芯片包括发光层和衬底。 |
| 技术特征C：所述至少一个发光二极管芯片排列在光学衬底(10)上《直接公开》 | 【0014】“透光性支持体１０１のレンズ部と光軸が合うように透光性接着剤１０４としてエポキシ樹脂を用いてＬＥＤチップを凹部内にダイボンディングさせてある。” | 对比文件公开了LED芯片通过透光性粘合剂固定在透光性支持体（相当于光学衬底）的凹部内，即排列在透光性支持体上，因此直接公开。 |
| 技术特征D：所述至少一个发光二极管芯片的发光层(1)面对光学衬底(10)《未公开》 | 无直接或隐含公开 | 对比文件中，LED芯片的基板面（如蓝宝石）朝向透光性支持体，发光层背向（参见【0014】“サファイア基板面がレンズ部に向くように”），因此发光层不面对光学衬底，本特征未被公开。 |
| 技术特征E：所述至少一个发光二极管芯片发出的光经由光学衬底(10)的出光窗口(11)发出，该出光窗口(11)背向发光层(1)《直接公开》 | 【0014】“透光性支持体１０１のレンズ部（出光窗口）と光軸が合うように…”；【0015】“光の取り出し部位と、導電性ワイヤー形成部位と、を分離” | 对比文件公开了LED芯片的光通过透光性支持体的透镜部（出光窗口）发出，透镜部位于与芯片相对的一侧，背向芯片的发光层，因此直接公开。 |
| 技术特征F：光学衬底(10)包括散热装置《未公开》 | 无 | 对比文件的透光性支持体由树脂或玻璃形成，未公开其包括散热装置；外部电极虽可导热但未明确作为散热装置，且不是光学衬底本身的一部分，因此本特征未被公开。 |
| 技术特征G：光学衬底(10)包括半透明多晶陶瓷材料《未公开》 | 无 | 对比文件未提及半透明多晶陶瓷材料，其透光性支持体材料为树脂或玻璃，因此本特征未被公开。 |
| 技术特征H：该半透明多晶陶瓷材料作为散热装置《未公开》 | 无 | 由于技术特征G未被公开，本特征亦未被公开。 |
| 技术特征I：该半透明多晶陶瓷材料对于由发光二极管芯片发出的光是半透明的《未公开》 | 无 | 对比文件未公开半透明多晶陶瓷材料，因此本特征未被公开。 |
| 技术特征J：其中半透明多晶陶瓷材料选自包括钇铝石榴石、多晶氧化铝和氮化铝的组《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何上述材料，因此本特征未被公开。 |
| 技术特征K：其中散热装置包括施加于光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧上的金属化层(16)《隐含公开》 | 【0014】“外部電極１０５となる銀メッキされた銅板が埋め込まれている。…透光性支持体１０１中から凹部内に露出した外部電極１０５”；【0034】“透光性支持体３０１形成後に金属を蒸着、メッキやスパッタリングにより形成” | 对比文件公开了在透光性支持体背向出光窗口的一侧（凹部内）设置有金属外部电极，该金属层可以起到散热作用，本领域技术人员可以合理推断该金属层可作为散热装置的一部分，因此隐含公开。 |
| 技术特征L：其中散热装置包括施加于光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧的散热器(17)《未公开》 | 无 | 对比文件未公开专门的散热器结构，因此本特征未被公开。 |
| 技术特征M：其中所述至少一个发光二极管芯片被嵌入进光学衬底(10)中《未公开》 | 无 | 对比文件中LED芯片固定在凹部内，但未完全嵌入光学衬底中，而是被保护部件覆盖，因此本特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中光学衬底(10)包括：-用于将由发光二极管芯片发出的光的至少一部分转换成不同颜色的光的发光材料《未公开》 | 无 | 对比文件中的荧光物质包含在透光性粘合剂中，而非光学衬底本身，因此本特征未被公开。 |
| 技术特征O：和/或-等于发光二极管芯片的折射率的折射率《未公开》 | 无 | 对比文件未提及光学衬底具有与芯片相等的折射率，因此本特征未被公开。 |
| 技术特征P：和/或-选自包括微透镜和衍射图案的组的光学结构《未公开》 | 无 | 对比文件公开了宏观透镜，但未公开微透镜或衍射图案，因此本特征未被公开。 |
| 技术特征Q：其中金属连接(23)设置在光学衬底(10)背向出光窗口(11)的一侧《直接公开》 | 【0014】“外部電極１０５となる銀メッキされた銅板が埋め込まれている。…透光性支持体１０１中から凹部内に露出した外部電極１０５” | 对比文件公开了金属外部电极设置在透光性支持体背向出光窗口的凹部内，即背向出光窗口的一侧，因此直接公开。 |
| 技术特征R：该金属连接(23)给所述至少一个发光二极管芯片供电《直接公开》 | 【0014】“ＬＥＤチップ１０２の電極と、外部電極１０５と、を導電性ワイヤー１０３である金線を用いてそれぞれワイヤーボンディング”；【0028】“導電性ワイヤー１０３は、ＬＥＤチップ１０２の電極及び外部電極１０５との…電気伝導性” | 对比文件公开了外部电极通过导线与LED芯片电极连接，为芯片供电，因此直接公开。 |
| 技术特征S：其中光键合装置(12)设置在所述至少一个发光二极管芯片和光学衬底(10)之间《直接公开》 | 【0014】“透光性接着剤１０４としてエポキシ樹脂を用いてＬＥＤチップを凹部内にダイボンディング”；【0029】“透光性接着剤１０４とは、透光性支持体１０１と発光素子であるＬＥＤチップ１０２とを固定” | 对比文件公开了在LED芯片和透光性支持体之间设置透光性粘合剂（光键合装置），用于固定和光耦合，因此直接公开。 |
| 技术特征T：其中至少一个发光二极管芯片在标称功率下驱动时，辐射功率输出至少为100mW《未公开》 | 无 | 对比文件未提及芯片的辐射功率输出值，因此本特征未被公开。 |
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