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对比文件列表
1999-06-24_WO1999031546A_发明申请_WO99031546A1 LIQUID-CRYSTAL DISPLAY USING UV LIGHT SOURCE_+++C_S_T_V_i+++.docx
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2002-12-31_US6501091B_发明授权_US06501091B1 Quantum dot white and colored light emitting diodes_+++A_C_D_E_F_G_J_K_L_O_P_V_W_Y+++.docx
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2004-09-14_US6791259B_发明授权_US06791259B1 Solid state illumination system containing a light emitting diode, a light scattering material and a luminescent material_+++A_B_C_D_E_H_K_S_T_Y_v+++.docx
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2005-06-30_US2005139851A_发明申请_US20050139851A1 Semiconductor light-emitting apparatus having wavelength conversion portion and method of fabricating the same_+++A_B_C_D_E_H_J_K_N_S_T_V_Y_f_g_q+++.docx
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2005-07-14_JP2005191420A_发明专利_JP2005191420A Semiconductor light emitting device having wavelength converting layer and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_G_H_K_Q_S_T_U_V_Y_f_w+++.docx
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2005-08-24_EP1566848A_发明公开_EP1566848A2 Wavelength converted semiconductor light emitting device_+++A_B_C_D_F_G_J_K_L_M_O_S_T_X_Y+++.docx
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2006-05-30_US7052152B_发明授权_US07052152B2 LCD backlight using two-dimensional array LEDs_+++A_B_C_D_E_J_K_L_M_O_S_T_Y_f_g_h_q_v_x+++.docx
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2006-07-04_US7070300B_发明授权_US07070300B2 Remote wavelength conversion in an illumination device_+++A_C_D_J_K_L_M_T_X_Y_f_g+++.docx
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2007-01-04_WO2007002234A_发明申请_WO2007002234A1 PACKAGE DESIGN FOR PRODUCING WHITE LIGHT WITH SHORT-WAVELENGTH LEDS AND DOWN-CONVERSION MATERIALS_+++A_C_D_G_J_K_L_T_Y_f_m_r_w+++.docx
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2007-02-22_JP2007049114A_发明专利_JP2007049114A Light emitting device and method of manufacturing the same_+++A_B_C_D_E_G_K_S_T_X_Y_f_q+++.docx
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2005-06-30_US2005139851A_发明申请_US20050139851A1 Semiconductor light-emitting apparatus having wavelength conversion portion and method of fabricating the same_+++A_B_C_D_E_H_J_K_N_S_T_V_Y_f_g_q+++.docx

您所指定的对比文件为:**2005-06-30_US2005139851A_发明申请_US20050139851A1 Semiconductor light-emitting apparatus having wavelength conversion portion and method of fabricating the same**

目标专利为:**1311照明系统CN101663769B**

本次调用的模型名称:**AI模型**

以下为特征比对表格,严格按照目标专利权利要求划分的技术特征逐项分析,并基于对比文件内容判断是否直接公开或隐含公开。

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A**:配置为发出第一原色光(31)的半导体发光设备(20) **《直接公开》**[0064]“用于半导体发光器件1,使用InGaN化合物半导体制造的蓝光半导体器件(发光峰值波长470nm)”。[0074]“用于半导体发光器件1,使用InGaN化合物半导体制造的紫外光器件(发光峰值波长395nm)”。对比文件明确公开了半导体发光器件发出蓝光或紫外光,对应目标专利的第一原色光(蓝光、紫外光或近紫外光)。因此,该特征被直接公开。
**技术特征B**:所述半导体发光设备包括被配置为吸收第一原色光(31)的至少一部分并发射第二原色光(32)的第一磷光体层(41) **《直接公开》**[0065]“YAG荧光粉在470nm蓝光激发下发出黄光(波长转换光)”。[0051]“第一波长转换层3形成在凹部底部区域,包括荧光材料,吸收半导体发光器件的光并发射转换光”。对比文件的第一波长转换层3吸收蓝光(第一原色光)并发射黄光(第二原色光),该层直接位于半导体发光器件上或附近,构成发光设备的一部分。因此直接公开。
**技术特征C**:第二磷光体层(42,45) **《直接公开》**[0058]“第二波长转换层5布置在凹部开口处,覆盖半导体发光器件上方”。[0059]“第二波长转换层5形成在密封部分上”。对比文件明确设置了第二波长转换层5,区别于第一波长转换层,因此直接公开了第二磷光体层。
**技术特征D**:与所述半导体发光设备(20)物理地隔开并且被配置为吸收第一或者第二原色光(31,32)的至少一部分并发射第三原色光(33) **《直接公开》**[0058]“第二波长转换层5与半导体发光器件1隔开一定距离(通过密封材料4)”。[0023]“到达第二波长转换层的基本波长光(第一原色光)被转换为一次波长转换光(第三原色光)”。[0061]“第二波长转换层可吸收蓝光并发射黄光”。第二波长转换层5与半导体发光器件物理隔开(通过密封材料),且吸收蓝光(第一原色光)并发射黄光(第三原色光)。因此直接公开。
**技术特征E**:其中所述照明系统被配置为组合所述第一原色光(31)、第二原色光(32)和第三原色光(33)以形成照明系统(10)的输出光(50) **《直接公开》**[0023]“基本波长光(蓝光)和一次波长转换光(黄光)以及二次波长转换光(黄光)被发射出去”。[0067]“图4显示均匀的白光输出”。对比文件的输出光包括未被吸收的蓝光、第一层转换的黄光和第二层转换的黄光,三者混合形成白光,因此直接公开了组合三种光形成输出光。
**技术特征F**:选择第二磷光体层(42,45)的有效厚度以校正所述输出光(50)的色点 **《隐含公开》**[0060]“第二波长转换层5的厚度在20-150μm,过厚会降低输出效率,且厚度优选小于第一层”。[0066]“将第二层材料施加到密封部分顶部凹陷形成第二层”。对比文件虽未明确提及“校正色点”,但本领域技术人员公知,荧光粉层厚度直接影响光转换量和色点。对比文件给出了第二层厚度范围且优选小于第一层,隐含了通过调整厚度可改变输出光色点,从而进行校正。因此隐含公开。
**技术特征G**:从而获得所述输出光(50)的期望的目标点 **《隐含公开》**[0067]“图4显示均匀的白光输出”。[0080]“均匀的光发射几乎遍及整个区域”。对比文件最终获得均匀的白光,即目标色点(白点)。通过厚度调整(特征F)得到期望色点,因此隐含公开了获得期望目标点。
**技术特征H**:其中第三原色光(33)与第二原色光(32)相同 **《直接公开》**[0061]“第一波长转换层和第二波长转换层可由相同的波长转换材料制成”。[0065]“YAG荧光粉用于第一层和第二层,均发出黄光”。对比文件第一层和第二层使用相同YAG荧光粉,均发出黄光,因此第三原色光与第二原色光相同(颜色类别相同)。直接公开。
**技术特征I**:而第三原色光(33)的波长谱不同于第二原色光(32)的波长谱;并且中该有效厚度定义为每单位面积具有相同磷光体质量的纯、非多孔磷光体层的厚度 **(未公开)**[0061]“第一层和第二层可使用不同波长转换材料”。未定义有效厚度。对比文件虽提到可使用不同材料导致波长谱不同,但未定义“有效厚度”及其具体概念。特征I包含两部分,第二部分(有效厚度定义)完全未公开,因此整体未公开。
**技术特征J**:其中所述第二磷光体层(42,45)位于在所述照明系统(9,10,11,12,13,14)的一光学部件(25,26,80,90)上 **《直接公开》**[0058]“第二波长转换层5形成在密封部分4上”。[0059]“第二层通过点胶施加在密封部分上”。密封部分4为透光材料,属于光学部件,第二层直接位于其上。因此直接公开。
**技术特征K**:从而所述第二磷光体层(42,45)与所述半导体发光设备(20)物理地隔开 **《直接公开》**[0058]“第二层布置在凹部开口处,与半导体发光器件1隔开一定距离”。[0055]“密封材料4保持该距离”。第二层通过密封材料间隔,与半导体发光器件物理分离,直接公开。
**技术特征L**:其中所述光学部件(25,80,90)包括 **(未公开)**对比文件未公开光学部件具体为衬底、盖板、透明杯等。特征L引导后续子特征,对比文件未公开这些具体光学部件,因此未公开。
**技术特征M**:包括漫反射涂层的衬底(25) **(未公开)**[0044]“可在凹部内侧面形成高反射材料层”。未提及衬底上具有漫反射涂层。对比文件在凹部侧壁有反射涂层,但衬底(基底平面部分)无漫反射涂层,因此未公开。
**技术特征N**:凹陷(26)的侧壁 **《直接公开》**[0044]“凹部6的侧壁可形成高反射材料层”。[0045]“凹部形状为截锥、截棱锥等,有倾斜内壁”。对比文件明确有凹部及其侧壁,且侧壁可作为反射光学部件,因此直接公开。
**技术特征O**:盖板(80) **(未公开)**对比文件无盖板结构。现有技术中虽有光透射基底,但非本发明实施例。对比文件未使用盖板,因此未公开。
**技术特征P**:透明杯(90) **(未公开)**对比文件无透明杯结构。对比文件未公开透明杯,因此未公开。
**技术特征Q**:其中第一磷光体层(41)所进行的光转换被配置为提供比第二磷光体层(42,45)更高程度的光转换 **《隐含公开》**[0060]“第二波长转换层厚度优选小于第一波长转换层”。[0023]“基本波长光和一次波长转换光都到达第一层,第一层进行转换”。第一层厚度通常更大,且承担来自第二层的二次转换,因此转换程度更高。本领域技术人员可合理推断,因此隐含公开。
**技术特征R**:所述光转换的程度能够通过色点在1976CIE色度图上离开原色(31)色点的偏移进行测量 **(未公开)**对比文件未提及CIE色度图或色点偏移测量。对比文件无任何关于色度图或测量方法的记载,因此未公开。
**技术特征S**:其中第一磷光体层(41)包括第一磷光体材料 **《直接公开》**[0051]“第一波长转换层3包含荧光材料如YAG”。[0065]“第一层由YAG荧光粉形成”。直接公开第一层包含磷光体材料。
**技术特征T**:第二磷光体层(42,45)包括第二磷光体材料 **《直接公开》**[0058]“第二波长转换层5包含荧光材料”。[0066]“第二层由YAG荧光粉形成”。直接公开第二层包含磷光体材料。
**技术特征U**:第一磷光体层(41)中第一磷光体材料的有效厚度大于第二磷光体层(42,45)中第二磷光体材料的有效厚度 **(未公开)**[0060]“第二层厚度20-150μm,第一层厚度20-200μm,第二层优选小于第一层”。对比文件仅涉及物理厚度,未定义“有效厚度”,且物理厚度关系不必然对应有效厚度关系。无有效厚度概念,因此未公开。
**技术特征V**:其中第三原色光(33)的主波长大于或等于第二原色光(32)的主波长 **《直接公开》**[0065]“第一层和第二层均使用YAG,发出黄光,主波长相同”。[0061]“可使用不同材料,但通常主波长范围相近”。当使用相同荧光粉时,主波长相等,满足“大于或等于”。直接公开。
**技术特征W**:其中第二磷光体层(42,45)被进一步配置为吸收至少一部分第一和第二原色光(31,32) **(未公开)**[0023]“第二层吸收基本波长光(第一原色光),一次波长转换光(第二原色光)主要被反射或散射,未被第二层吸收”。对比文件第二层主要吸收第一原色光,未公开吸收第二原色光,因此未公开。
**技术特征X**:其中第二磷光体层(42)包括两种或者更多种在物理上相互隔开的磷光体材料(45a,45b) **(未公开)**[0061]“第二层可混合多种荧光粉”。[0058]“第二层为单一层,未提及分层或物理隔开”。对比文件第二层为单一层或混合层,未公开物理隔开的不同材料,因此未公开。
**技术特征Y**:其中所述照明系统(10,11,12,13,14)被配置为形成显现为白色的混合输出 **《直接公开》**[0067]“图4显示均匀的白光输出”。[0080]“均匀的光发射,几乎无强度不均匀”。对比文件直接公开了输出白光,因此直接公开。

基于上述比对,对比文件直接公开了技术特征:A、B、C、D、E、H、J、K、N、S、T、V、Y;隐含公开了技术特征:F、G、Q。其余特征未公开。

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