### 对比文件名称
2005-07-14_JP2005191420A_发明专利_JP2005191420A Semiconductor light emitting device having wavelength converting layer and its manufacturing method
### 目标专利名称
1311照明系统CN101663769B
### 本次调用模型名称
DeepSeek
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## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：-配置为发出第一原色光(31)的半导体发光设备(20) **《直接公开》** | 说明书第[2]段：“半導体発光素子１としては…特に紫外光から青色光を発光するもの、より好適には半導体発光素子１の発光ピーク波長範囲としては３００～４９０ｎｍが好適である。” 以及实施例1：“ＩｎＧａＮ系化合物半導体（発光波長ピーク４７０ｎｍ）によって構成された青色発光の半導体発光素子１”。 | 对比文件明确公开了半导体发光元件1，其发射峰值波长为470nm的蓝光（第一原色光）或395nm的紫外光，该元件对应于目标专利的半导体发光设备，用于发出第一原色光。 |
| **技术特征B**：所述半导体发光设备包括被配置为吸收第一原色光(31)的至少一部分并发射第二原色光(32)的第一磷光体层(41) **《直接公开》** | 说明书第[2]段：“第一の波長変換層３は、凹部６の底部領域に形成される。” 以及“波長変換層３は半導体発光素子１から放射された光により励起されて発光する蛍光材料を樹脂に分散させた構成”。实施例1中第一波长转换层3使用YAG系荧光体，吸收蓝光并发射黄光。 | 对比文件的第一波长转换层3设置在凹部底部，吸收半导体发光元件1发出的蓝光（第一原色光）并激发发射黄光（第二原色光），其位置和功能与目标专利的第一磷光体层完全相同。 |
| **技术特征C**：-第二磷光体层(42，45) **《直接公开》** | 说明书第[2]段：“凹部６の開口部で半導体発光素子１の上方に距離を隔てて第二の波長変換層５が形成されている。” | 对比文件明确公开了第二波长转换层5，直接对应于目标专利的第二磷光体层。 |
| **技术特征D**：与所述半导体发光设备(20)物理地隔开并且被配置为吸收第一或者第二原色光(31，32)的至少一部分并发射第三原色光(33) **《直接公开》** | 说明书第[2]段：“第二の波長変換層５は、凹部６の開口部の表面側であって半導体発光素子１の少なくとも上方を平面視状態において覆うように、半導体発光素子１および第一の波長変換層３から適宜の距離を隔てて配設する。” 以及“第二の波長変換層５は半導体発光素子１から放射された光により励起されて発光する蛍光材料を樹脂に分散させた構成”。 | 第二波长转换层5通过凹部内的封止材料与半导体发光元件1物理隔开，它吸收半导体发光元件1发出的第一原色光（蓝光）并转换发射第三原色光（黄光或其他颜色），完全符合特征D。 |
| **技术特征E**：其中所述照明系统被配置为组合所述第一原色光(31)、第二原色光(32)和第三原色光(33)以形成照明系统(10)的输出光(50) **《直接公开》** | 说明书第[2]段实施例1：蓝色LED（470nm）+YAG荧光体，输出白光。该白光由未转换的蓝光（第一原色光）和YAG发射的黄光（第二/第三原色光）混合而成。 | 对比文件的光输出是未转换的蓝光与第一、第二波长转换层发射的转换光（黄光）的混合，形成白光，与特征E的组合输出一致。 |
| **技术特征F**：选择第二磷光体层(42，45)的有效厚度以校正所述输出光(50)的色点 **《隐含公开》** | 说明书第[2]段：“第二の波長変換層の厚さとしては…２０μｍ〜１５０μｍの範囲、好適には第一波長変換層よりも薄い厚みとすると良い。” 以及“第一の波長変換層３の厚さとしては…２０〜２００μｍ程度”。 | 对比文件明确给出了第二波长转换层的厚度范围并优选比第一层薄，调整厚度会改变转换比例从而影响输出光的色点。本领域技术人员完全可以合理推断出通过选择第二层的厚度（有效厚度）来校正输出光的色点以符合期望，尽管对比文件未明确提及“校正色点”，但该特征隐含在厚度控制中。 |
| **技术特征G**：从而获得所述输出光(50)的期望的目标点 **《直接公开》** | 说明书第[2]段：“ほぼ全体が均一に白色に発光し、かつ、大きな輝度ムラも観察されなかった。” 实施例1和2的目标都是获得均匀的白光。 | 对比文件通过设置两波长转换层实现了均匀的白光输出，该白光即为期望的目标色点，直接公开了获得期望目标点的效果。 |
| **技术特征H**：其中第三原色光(33)与第二原色光(32)相同 **《直接公开》** | 说明书第[2]段：“第一の波長変換層３と第二の波長変換層５は同じ構成材料を用いることを考慮している。” 实施例1中两层均使用YAG系黄色荧光体。 | 当第一和第二波长转换层使用相同材料时，两者发射的光谱相同，即第三原色光与第二原色光相同，对比文件直接公开了这一情形。 |
| **技术特征I**：而第三原色光(33)的波长谱不同于第二原色光(32)的波长谱；并且中该有效厚度定义为每单位面积具有相同磷光体质量的纯、非多孔磷光体层的厚度 **《不公开》** | 对比文件未公开第三原色光波长谱不同于第二原色光的明确示例，也未定义有效厚度。虽然对比文件提到可以使用不同材料，但未明确要求波长谱不同；且有效厚度的定义（纯、非多孔磷光体层厚度）在对比文件中完全没有提及。 | 特征I包含两个技术要素，对比文件均未直接公开，也无法合理推导出有效厚度的特定定义。因此该特征不公开。 |
| **技术特征J**：其中所述第二磷光体层(42，45)位于在所述照明系统(9，10，11，12，13，14)的一光学部件(25，26，80，90)上 **《不公开》** | 对比文件第二波长转换层5形成在封止部4上表面或凹部开口部，但封止部并非目标专利所列举的光学部件（衬底、凹陷侧壁、盖板、透明杯）。 | 目标专利特征J中的光学部件特指衬底、凹陷侧壁、盖板、透明杯，对比文件的第二层未设置在这些部件上，因此不公开。 |
| **技术特征K**：从而所述第二磷光体层(42，45)与所述半导体发光设备(20)物理地隔开 **《直接公开》** | 同特征D，第二层与半导体发光元件之间隔有封止材料，两者物理隔开。 | 对比文件直接公开了第二层与半导体发光元件物理隔开的结构，与特征K一致。 |
| **技术特征L**：其中所述光学部件(25，80，90)包括 **《不公开》** | 对比文件未公开任何光学部件包括后续具体部件。 | 特征L本身是上位概括，但对比文件无对应教导，不公开。 |
| **技术特征M**：包括漫反射涂层的衬底(25) **《不公开》** | 对比文件基板部7a为绝缘性树脂或陶瓷，未提及漫反射涂层，且第二层不在其上。 | 对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征N**：凹陷(26)的侧壁 **《不公开》** | 对比文件有凹部6侧壁，但第二波长转换层5位于开口部，不在侧壁上。 | 对比文件未公开第二层位于凹陷侧壁。 |
| **技术特征O**：盖板(80) **《不公开》** | 对比文件无盖板结构。 | 对比文件未公开盖板。 |
| **技术特征P**：透明杯(90) **《不公开》** | 对比文件无透明杯结构。 | 对比文件未公开透明杯。 |
| **技术特征Q**：其中第一磷光体层(41)所进行的光转换被配置为提供比第二磷光体层(42，45)更高程度的光转换 **《直接公开》** | 说明书第[2]段：“第一の波長変換層３の厚さとしては…２０〜２００μｍ程度”、“第二の波長変換層の厚さとしては…２０μｍ〜１５０μｍの範囲、好適には第一波長変換層よりも薄い厚み”。 | 对比文件明确第一层厚度大于第二层，且第一层位于底部，第二层位于顶部，通常第一层承担主要转换，因此第一层转换程度更高，直接公开。 |
| **技术特征R**：所述光转换的程度能够通过色点在1976CIE色度图上离开原色(31)色点的偏移进行测量 **《不公开》** | 对比文件未提及CIE色度图或色点偏移测量。 | 对比文件完全没有公开该测量方式，不公开。 |
| **技术特征S**：其中第一磷光体层(41)包括第一磷光体材料 **《直接公开》** | 说明书第[2]段：第一波长转换层3使用YAG系荧光体等荧光材料。 | 直接公开。 |
| **技术特征T**：第二磷光体层(42，45)包括第二磷光体材料 **《直接公开》** | 说明书第[2]段：第二波长转换层5使用荧光材料，可以与第一层相同或不同。 | 直接公开。 |
| **技术特征U**：第一磷光体层(41)中第一磷光体材料的有效厚度大于第二磷光体层(42，45)中第二磷光体材料的有效厚度 **《直接公开》** | 说明书第[2]段：“第一の波長変換層３の厚さ…２０〜２００μｍ”、“第二の波長変換層の厚さ…２０μｍ〜１５０μｍ、好適には第一波長変換層よりも薄い厚み”。 | 对比文件直接公开了第一层厚度大于第二层，在相同磷光体密度下，实际厚度直接反映有效厚度，因此本领域技术人员能毫无疑义地确定第一层有效厚度大于第二层。 |
| **技术特征V**：其中第三原色光(33)的主波长大于或等于第二原色光(32)的主波长 **《直接公开》** | 实施例1中，第一层和第二层均使用YAG黄色荧光体，发射光谱相同，主波长相等。 | 当两层使用相同材料时，第三原色光主波长等于第二原色光主波长，满足大于或等于条件，直接公开。 |
| **技术特征W**：其中第二磷光体层(42，45)被进一步配置为吸收至少一部分第一和第二原色光(31，32) **《隐含公开》** | 说明书第[2]段：“第二の波長変換層に到達した光は、…一部は第一波長光のまま…あるいは波長変換を受けて発光装置内部へ放射される。この、いわば発光装置内部へ散乱および／または放射された第一波長光および／または第二波長光は、基体底部に形成された第一の波長変換層へ到達し…” 以及第二层可混合不同荧光材料。 | 对比文件虽未明确第二层吸收第二原色光，但本领域技术人员可以合理选择第二层材料使其也能吸收第一层发射的第二原色光（如使用对黄光有吸收的荧光粉），从而增强转换。这种可能性使得特征W被隐含公开。 |
| **技术特征X**：其中第二磷光体层(42)包括两种或者更多种在物理上相互隔开的磷光体材料(45a，45b) **《不公开》** | 对比文件仅提到混合荧光材料，未涉及物理上隔开的子层结构。 | 对比文件没有公开物理隔开的多层磷光体材料，不公开。 |
| **技术特征Y**：其中所述照明系统(10，11，12，13，14)被配置为形成显现为白色的混合输出 **《直接公开》** | 说明书第[2]段：实施例1和2均输出白光，图3、图6显示均匀白色发光。 | 对比文件的发光装置输出白光，直接公开。 |
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## 公开性代码
根据上述分析，对比文件直接公开的技术特征对应的代码（大写）：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<G>>><<<H>>><<<K>>><<<Q>>><<<S>>><<<T>>><<<U>>><<<V>>><<<Y>>>
对比文件隐含公开的技术特征对应的代码（小写）：
<<<f>>><<<w>>>