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权利要求与技术特征

J 其中，所述磁场控制单元(30到34)被适配成关于所述基板(25)和/或关于所述感测单元(11，20)引导所述磁性粒子(15)
K 被适配成生成脉冲磁场。

L 其中，所述第一磁场值(403，503，503’)是零
M 所述第二磁场值(405，504，505)不同于零。

N 其中，所述脉冲磁场的脉冲包括至少两个具有相反符号的非零脉冲(504，505)
O 其中每一对接连的非零脉冲(504，505)中的脉冲具有相反符号。

P 其中，所述与时间相关的磁场的特征参数的时间平均值为零
Q 其中所述与时间相关的磁场具有从零逐渐增大和/或逐渐减小到零的包络(506)
R 其中所述磁场控制单元(30到34)被适配成生成所述与时间相关的磁场，这是通过向该磁场控制单元(30到34)施加与时间相关的电激励信号而实现的
S 其中所述磁场控制单元(30到34)被适配成通过按照与时间相关的方式关于所述基板(25)移动所述磁场控制单元(30到34)来生成所述与时间相关的磁场。

T 其中，所述移动包括旋转、平移和往复移动中的至少一种。

U 其中，所述磁场控制单元(30到34)被适配成以处在0.1Hz到1kHz之间的范围内的频率来生成所述与时间相关的磁场。

V 其中，所述磁场控制单元(30到34)被适配成以处在1Hz到100Hz之间的范围内的频率来生成所述与时间相关的磁场。

W 其中，所述磁场控制单元(30到34)被适配成重置磁体
X 其中所述磁场控制单元(30到34)包括电磁体(31到34)和/或永磁体。

Y 其包括被提供在所述基板(25)的表面处的捕获分子(75)
Z 所述捕获分子被适配成用于通过杂化与附着到所述磁性粒子(15)上的互补分子(76)结合。
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