对比文件名称：2013-06-05_JP5204116B_发明专利_JP5204116B2 Enhanced ultrasound probe used piezoelectric transducer flexure mode
目标专利名称：用于2-D波束成形的压电超声换能器的超像素阵列CN106999985B
本次调用模型名称：未提供
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**<br>压电超声换能器元件阵列，所述阵列包含多个超像素区，每一超像素区包含至少两个像素组，所述至少两个像素组中的第一像素组安置于所述超像素区的中心部分中，且至少一第二像素组安置于所述超像素区的外部部分中<br>**《未公开》** | 对比文件第[0006]段描述了“２Ｄ配列”、“ｐＭＵＴｓ”、“ｐＭＵＴ配列内の素子”。第[0028]段提及“配列”、“各圧電性素子２２”。 | **论述**：对比文件公开了压电超声换能器（例如pMUT）的阵列（2D阵列），但其描述集中于pMUT的制造、集成和一般性的信号增强方法。对比文件未提及“超像素区”（superpixel region）的概念，也未描述将阵列的像素划分为具有特定空间关系（中心部分 vs. 外部部分）的“像素组”。目标专利中“超像素区”及其内部“像素组”的定义是其实现选择性波束成形（平面波 vs. 聚焦波束）的核心结构特征。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该特定阵列组织结构。 |
| **技术特征B**<br>收发器电子装置<br>**《直接公开》** | 对比文件第[0013]段提及“制御回路”。第[0028]段提及“半導体デバイス４４は…相補型金属酸化膜半導体チップ（ＣＭＯＳ）である”。第[0059]段提及“制御回路”、“システムエレクトロニクス”。 | **论述**：对比文件多次提及控制电路（制御回路）、半导体设备（如CMOS芯片）、系统电子设备等，这些均属于用于控制、驱动和/或处理换能器信号的“收发器电子装置”。该特征在对比文件中被直接公开。 |
| **技术特征C**<br>和<br>所述收发器电子装置与所述阵列之间的电耦合<br>**《隐含公开》** | 对比文件第[0028]段描述了“貫通ウェーハ相互接続４２”、“ｐＭＵＴデバイス構造８０が…半導体デバイス４４に接続された”。图2展示了通过凸块（半田バンプ46）和贯通硅通孔（貫通ウェーハ相互接続42）实现的电连接。 | **论述**：对比文件详细描述了pMUT器件结构（包含阵列）与半导体器件（控制电路）之间的电连接，例如通过贯通硅通孔（TSV）和焊料凸块实现的互连。这构成了“收发器电子装置与所述阵列之间的电耦合”。虽然连接方式的具体细节（如TSV）与目标专利可能不同，但电耦合这一基本功能特征被对比文件隐含公开。本领域技术人员能够理解，要操作换能器阵列，必然需要某种形式的电耦合。 |
| **技术特征D**<br>其中<br>所述收发器电子装置经配置以在第一模式和第二模式中的一可选择者中操作所述阵列<br>**《未公开》** | 对比文件未提及可选择的、定义明确的不同操作模式（例如第一模式、第二模式）。其内容主要围绕通过施加特定电压（如超过矫顽电场、添加额外半周期、施加DC偏压）来增强pMUT接收信号的一般性方法。 | **论述**：目标专利的核心创新之一是收发器电子装置被配置为可在两种特定模式（平面波发射模式和高声压聚焦波束模式）之间选择性地操作阵列。对比文件虽然描述了pMUT的操作（发射和接收），以及通过改变电学输入（如DC偏置）来优化性能，但并未描述或暗示存在两种可选择的、功能截然不同的阵列操作模式，更未涉及模式间的切换控制。该特征未被公开。 |
| **技术特征E**<br>在所述第一模式中，所述阵列产生具有第一声压的基本上平面超声波<br>**《未公开》** | 对比文件未描述阵列产生“基本上平面超声波”的模式或相关声场特性。 | **论述**：产生“基本上平面超声波”是目标专利中第一操作模式（例如用于表皮成像）的明确特征。对比文件未提及任何关于控制阵列产生特定波形（如平面波）的内容。其关注点在于单个或阵列pMUT的灵敏度增强，而非波前的空间成形。 |
| **技术特征F**<br>且在所述第二模式中，所述阵列从每一超像素区产生具有第二声压的经聚焦波束，所述第二声压显著高于所述第一声压。<br>**《未公开》** | 对比文件未描述从阵列的特定子区（如超像素区）产生“经聚焦波束”，也未比较不同模式下的声压。 | **论述**：目标专利的第二模式涉及从每个“超像素区”产生高声压的聚焦波束，用于皮下成像。对比文件完全没有提及“波束聚焦”、“波束成形”或通过控制阵列中不同组元的发射时序来实现聚焦。同时，“第二声压显著高于第一声压”的比较关系在对比文件中也无对应。 |
| **技术特征G**<br>其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子的第一经固定配置的导电路径，以及连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子的第二经固定配置的导电路径，所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子与所述收发器电子装置耦合。<br>**《未公开》** | 对比文件描述了互连（如TSV、焊料凸块）将pMUT阵列连接到控制电路，但未提及根据像素在超像素内的位置（中心组、外部组）进行分组，并分别通过固定配置的导电路径连接到不同驱动输入端子的具体布线方案。 | **论述**：该特征详细限定了为实现不同模式操作而设计的特定电连接拓扑结构：不同像素组通过独立的、固定配置的路径连接到不同的驱动输入端子。这是实现目标专利中时序控制（用于波束成形）的基础硬件特征。对比文件中的互连描述是泛泛的，旨在实现pMUT阵列与控制电路的一般性连接，并未公开这种基于像素空间位置的分组和独立驱动路径的特定配置。 |
| **技术特征H**<br>其中：<br>在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者<br>**《未公开》** | 对比文件未描述在不同驱动输入端子上“同时发射信号”以产生特定波形的操作模式。 | **论述**：该特征描述了在第一（平面波）模式下对驱动输入端子的特定控制逻辑。对比文件没有涉及对不同驱动输入端子（或等效结构）的发射信号进行同步控制以实现特定声场（如平面波）的内容。 |
| **技术特征I**<br>且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者，使得在将第一发射信号递送到所述第二驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生时间延迟。<br>**《未公开》** | 对比文件未描述对阵列的不同部分“依序发射信号”并引入可控的“时间延迟”以实现波束聚焦的操作。 | **论述**：该特征描述了在第二（聚焦波束）模式下，通过向不同像素组顺序施加具有时间延迟的驱动信号来实现发射侧波束成形的关键方法。对比文件完全未提及通过控制发射信号的时序来形成聚焦波束的技术。其信号增强方法集中于电压波形本身（如添加半周期、DC偏置），而非不同换能器元件之间的相对发射时序。 |
| **技术特征J**<br>其中：<br>所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的七个像素<br>**《未公开》** | 对比文件未描述具有“六方晶格”、“六边形”排列的七个像素构成的“超像素区”。 | **论述**：该特征限定了超像素区的一种具体几何形状和像素排布（六方晶格上的七像素六边形）。这是目标专利中实现波束成形的具体实施例细节。对比文件中没有公开任何类似的特定像素分组几何形状。 |
| **技术特征K**<br>所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素<br>**《未公开》** | 同特征J，对比文件未公开“超像素区”及其内部的“第一像素组”概念，因此也不可能公开其包含一个中心像素。 | **论述**：该特征依赖于特征J定义的超像素结构。由于特征J未被公开，且对比文件本身也未描述任何类似的像素分组和中心像素概念，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征L**<br>且所述第二像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的所述外部部分中。<br>**《未公开》** | 同特征J、K，对比文件未公开“超像素区”、“第一像素组（中心像素）”、“第二像素组”等概念，因此也不可能公开第二像素组包含六个等距外部像素的具体排布。 | **论述**：该特征进一步定义了超像素区内外部像素的具体数量和空间关系。这是目标专利具体实施例的细节。对比文件中无相应内容。 |
| **技术特征M**<br>其进一步包含第三像素组和第四像素组，其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的十九个像素<br>**《未公开》** | 对比文件未描述包含十九个像素、划分为多个像素组（如第三、第四像素组）的“超像素区”。 | **论述**：该特征定义了另一种更复杂的超像素结构（十九像素六边形，包含更多像素组）。这是目标专利的另一实施例。对比文件中无任何对应描述。 |
| **技术特征N**<br>所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素<br>**《未公开》** | 同特征M，由于超像素区结构未被公开，其内部的第一像素组（中心像素）也未被公开。 | **论述**：依赖于特征M，未被公开。 |
| **技术特征O**<br>所述第二像素组包含以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的外部部分中的六个像素<br>**《未公开》** | 同特征M、N，由于超像素区及中心像素未被公开，第二像素组的具体构成也未被公开。 | **论述**：依赖于特征M、N，未被公开。 |
| **技术特征P**<br>且所述第三像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者安置于与所述第二像素组中的每一像素相比距所述中心像素较大距离处，且与所述第四像素组中的每一像素相比距所述中心像素较小距离处。<br>**《未公开》** | 同特征M、N、O，由于超像素区、中心像素及各像素组未被公开，第三像素组相对于其他像素组的相对距离关系也未被公开。 | **论述**：该特征描述了多个像素组之间精确的相对空间距离关系，是实现特定波束成形效果的关键。对比文件中无任何相关内容。 |
| **技术特征Q**<br>其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含：第一经固定配置的导电路径，其连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子<br>**《未公开》** | 同特征G，对比文件未公开基于“像素组”划分的独立驱动路径。 | **论述**：该特征是特征G在包含更多像素组（如第三、第四组）的实施例中的具体化。由于对比文件未公开像素组的概念及相应的独立驱动路径，该特征未被公开。 |
| **技术特征R**<br>第二经固定配置的导电路径，其连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子<br>**《未公开》** | 同特征Q，未被公开。 | **论述**：同特征Q。 |
| **技术特征S**<br>第三经固定配置的导电路径，其连接所述第三像素组中的像素与第三驱动输入端子<br>**《未公开》** | 同特征Q，未被公开。 | **论述**：同特征Q。 |
| **技术特征T**<br>第四经固定配置的导电路径，其连接所述第四像素组中的像素与第四驱动输入端子<br>**《未公开》** | 同特征Q，未被公开。 | **论述**：同特征Q。 |
| **技术特征U**<br>且<br>所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入、所述第三驱动输入和所述第四驱动输入中的每一者与所述收发器电子装置耦合。<br>**《隐含公开》** | 对比文件第[0028]段描述了pMUT器件与半导体器件（包含控制电路）之间的电连接。 | **论述**：虽然对比文件未明确提及“第一驱动输入端子”等具体名称，但其描述的互连结构（如TSV、焊料凸块）必然将换能器阵列的电极连接到控制电路的相应端口或节点。因此，本领域技术人员可以理解，若存在多个驱动输入端子（尽管对比文件未如此定义），它们也需要与收发器电子装置耦合以实现驱动。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征V**<br>其中：<br>在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者<br>**《未公开》** | 同特征H，对比文件未描述在多个驱动输入端子上“同时发射信号”的操作模式。 | **论述**：该特征是特征H在更多驱动输入端子情况下的扩展。由于对比文件未公开可选择的操作模式及相应的同步驱动控制，该特征未被公开。 |
| **技术特征W**<br>且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者，使得：在将第一发射信号递送到所述第四驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子之间发生第一时间延迟<br>**《未公开》** | 同特征I，对比文件未描述“依序发射信号”并引入特定“时间延迟”以实现波束成形的操作。 | **论述**：该特征是特征I在更多驱动输入端子情况下的扩展，描述了更复杂的顺序发射和时间延迟序列。对比文件中无任何对应内容。 |
| **技术特征X**<br>在将所述第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第三发射信号递送到所述第二驱动输入端子之间发生第二时间延迟<br>**《未公开》** | 同特征W，未被公开。 | **论述**：同特征W。 |
| **技术特征Y**<br>且在将所述第三发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第四发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生第三时间延迟。<br>**《未公开》** | 同特征W，未被公开。 | **论述**：同特征W。 |
| **技术特征Z**<br>其进一步包括安置于所述阵列上方的台板和声学耦合介质，其中所述阵列经配置以经由所述台板和所述耦合介质接收或发射超声信号。<br>**《直接公开》** | 对比文件第[0051]段描述了“音響窓５４０”、“音響的な調整材料５５０”。图9-10等展示了探头结构，其中包含声学窗和声学匹配/调整材料。第[0059]段提及“音響窓１７４０…音響調整材料１７５０”。 | **论述**：对比文件明确公开了在超声探头（如导管探头或外部探头）中，换能器阵列上方设置有“音響窓”（acoustic window，相当于台板）和“音響調整材料”（acoustic matching/adjustment material，相当于声学耦合介质）。阵列通过这些组件发射和接收超声波。该特征在对比文件中被直接公开。 |
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