**对比文件名称**：2005-02-24_US2005041498A_发明申请_US20050041498A1 Writing circuit for a phase change memory device
**目标专利名称**：用于2-D波束成形的压电超声换能器的超像素阵列CN106999985B
**本次调用的模型名称**：深度分析模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：压电超声换能器元件阵列，所述阵列包含多个超像素区，每一超像素区包含至少两个像素组，所述至少两个像素组中的第一像素组安置于所述超像素区的中心部分中，且至少一第二像素组安置于所述超像素区的外部部分中<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件说明书[0013]段描述了相变存储器阵列的结构：“The memory array 1 of FIG. 4 comprises a plurality of memory cells 2, each including a memory element 3 of the phase change type and a selection element 4... The memory cells 2 are arranged in rows and columns.” （存储器阵列1包含多个存储单元2，每个存储单元包括相变型存储元件3和选择元件4……存储单元2按行和列排列。） | **论述**：目标专利的技术特征A涉及一种用于超声成像的压电换能器阵列，其核心在于将阵列划分为多个“超像素区”，每个超像素区内又根据位置（中心部分和外部部分）划分为不同的“像素组”，目的是为了后续实现特定的波束成形（如聚焦）。对比文件公开的是一个相变存储器（PCM）的存储单元阵列，其“存储单元”的功能是数据存储，单元之间是简单的行列排列关系，用于寻址和读写数据。对比文件完全没有提及任何关于“超像素区”、“像素组”的概念，更没有根据位置（中心/外部）对单元进行功能或结构上的分组以实现声学波束成形的意图或启示。两者属于完全不同的技术领域（存储器 vs 超声成像），解决的技术问题（数据可靠存储 vs 声波定向发射与接收）和采用的技术手段截然不同。因此，本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出技术特征A。 |
| **技术特征B**：收发器电子装置<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件说明书[0037]-[0043]段描述了写入电路（write stage 24）、读取电路（read stage 25）、列解码器（column decoder 22）等电子装置模块。例如，[0037]段：“a phase change memory (PCM) device 20 comprises a memory array 1 ... addressed through ... bitlines 11. The bitlines 11 extend from a column decoder 22...” | **论述**：目标专利的“收发器电子装置”特指用于控制和驱动压电超声换能器阵列，以发射和接收超声信号的电子装置。对比文件中确实公开了用于相变存储器操作的电子装置，如写入级（write stage）、读取级（read stage）、解码器等。然而，这些电子装置的功能是生成用于改变存储单元相态的编程电流脉冲，或感知存储单元的电阻状态以读取数据。其处理的信号是电学编程/读取信号，与目标专利中处理用于产生和检测机械声波（超声波）的驱动/接收信号在原理、目的和实现方式上存在根本区别。对比文件的电子装置并非用于“收发”超声波，因此不能认为是公开了目标专利中的“收发器电子装置”。 |
| **技术特征C**：和所述收发器电子装置与所述阵列之间的电耦合<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件说明书[0037]-[0041]段描述了存储器阵列与外围电路之间的连接。例如，[0037]段：“The bitlines 11 extend from a column decoder 22...”，以及[0041]段描述了通过读写选择器（read/write selector 26）将偏置节点（biasing nodes 14）连接到写入线（write line 30）或读取线（read line 31）。 | **论述**：目标专利的“电耦合”特指收发器电子装置与压电超声换能器阵列之间的电气连接，目的是传递特定时序和波形的驱动信号以控制换能器产生期望的声场（如平面波或聚焦波束）。对比文件公开了存储单元阵列通过位线、解码器、选择开关等与写入/读取电路之间的电连接，其目的是为了向选定的存储单元施加编程电压/电流或读取其状态。虽然两者都存在“阵列”与“控制电路”之间的电连接这一抽象概念，但具体的连接方式、所传递信号的性质（驱动超声波 vs 编程/读取存储器）、以及所要实现的技术效果（声学成像 vs 数据存储）完全不同。本领域技术人员无法从对比文件的电连接关系推理出目标专利中为实现声学波束成形而特有的电耦合配置。 |
| **技术特征D**：其中所述收发器电子装置经配置以在第一模式和第二模式中的一可选择者中操作所述阵列<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件说明书[0041]-[0046]段描述了写入和读取两种不同的操作模式。例如，[0041]段：“During writing, the write transistors 32 are on and the read transistors 33 are off... During reading, the read transistors 33 are turned on, and the write transistors 32 are turned off.” | **论述**：目标专利的“第一模式”和“第二模式”特指超声换能器阵列的两种声学工作模式：平面波发射模式和聚焦波束发射模式，旨在产生不同空间特性的声场以用于不同目的的成像（如表皮成像和皮下成像）。对比文件公开了存储器的“写入”和“读取”两种操作模式，这是任何存储器件的基本功能。这两种模式处理的是数据的编程和检索，与声波的产生、成形及成像模式切换毫无关联。虽然两者都涉及电子装置对阵列的不同操作模式，但模式的内涵、技术目的和物理过程完全不同。因此，对比文件没有公开目标专利中特定于超声成像的模式可选择性操作特征。 |
| **技术特征E**：在所述第一模式中，所述阵列产生具有第一声压的基本上平面超声波<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件全文未提及超声波、声压、平面波等概念。 | **论述**：技术特征E完全属于声学/超声成像领域。它描述了阵列在一种模式下产生特定空间分布（平面波）和强度（第一声压）的超声波。对比文件涉及的是相变存储器，其操作完全基于电学信号（电流、电压）对存储材料相态的改变，不涉及任何声学能量或机械波的产生。本领域技术人员不可能从一份关于半导体存储器编程电路的文献中，毫无疑义地或通过合理推理得出关于产生“平面超声波”及其“声压”的技术方案。 |
| **技术特征F**：且在所述第二模式中，所述阵列从每一超像素区产生具有第二声压的经聚焦波束，所述第二声压显著高于所述第一声压。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件全文未提及波束聚焦、超像素区、声压比较等概念。 | **论述**：技术特征F进一步限定了第二种操作模式，涉及从“超像素区”产生“经聚焦波束”，并强调了聚焦波束的声压（第二声压）显著高于平面波的声压（第一声压）。这同样是超声成像中用于增强穿透力或分辨率的核心技术。对比文件完全不涉及声学波束的形成、聚焦，也没有任何关于通过阵列单元的空间布局和激励时序来控制声场能量分布以达成特定声压比的内容。该特征在对比文件中没有任何基础。 |
| **技术特征G**：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子的第一经固定配置的导电路径，以及连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子的第二经固定配置的导电路径，所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子与所述收发器电子装置耦合。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件说明书[0037]段描述了位线通过解码器中的晶体管（如PMOS 15，16和NMOS 17）连接到偏置节点，[0041]段描述了通过写入晶体管32将偏置节点连接到写入线30。这构成了从写入电路到存储单元的导电路径。 | **论述**：目标专利的技术特征G限定了为实现不同像素组独立控制而采用的特定电耦合结构：即通过不同的、固定的导电路径将中心像素组和外部像素组分别连接到不同的驱动输入端子。对比文件公开了从写入电路到存储单元的导电路径，但这些路径是通过地址解码器动态选择的，其目的是为了寻址特定的存储单元行和列以进行数据读写，而不是为了根据单元在“超像素区”内的位置（中心或外部）进行永久性的、功能性的分组连接。对比文件的路径配置是为了实现存储器的随机存取功能，而目标专利的路径配置是为了实现声学波束成形的协同激励。两者目的和结构原理不同，对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征H**：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件说明书[0045]段描述了在写入操作期间，对选定位线的偏置：“The PMOS transistors 15, 16 and the NMOS transistors 17 corresponding to the selected bitlines 11 ... are biased so as to reduce as much as possible the voltage drop across them”。这可以理解为向选中的多条位线“同时”施加偏置信号。 | **论述**：目标专利特征H描述了在第一（平面波）模式下，对中心和外部的像素组“同时”发射驱动信号。对比文件在写入时，会向所有被选中的位线（对应多个存储单元）同时施加编程偏置。从“同时向多个单元/路径施加信号”这一抽象行为上看，两者有相似之处。**然而**，这种“同时发射信号”的行为在目标专利中是为了实现所有换能器元件同相位工作以产生平面波这一特定的声学效果；而在对比文件中，是为了同时向多个选定的存储单元进行并行数据编程。虽然行为表象相似，但所处的技术领域、所操作的阵列性质（超声换能器 vs 存储单元）、以及所要达到的最终物理效果（产生平面声波 vs 改变材料相态）截然不同。本领域技术人员无法从对比文件的“同时偏置多位线用于编程”直接且毫无疑义地推导出目标专利中“同时驱动多像素组用于产生平面超声波”的技术方案。尽管行为相似，但由于应用场景和技术目的的根本差异，不构成直接公开。从隐含公开的宽松标准看，对比文件部分公开了“同时向多个路径发射信号”这一动作要素，但该要素需要与超声换能器阵列、像素分组、平面波产生等其他未被公开的特征结合才能形成目标专利的方案。因此，可以认为对比文件**隐含公开**了“同时发射信号”这一动作概念，但未公开其在本专利特定上下文中的应用。 |
| **技术特征I**：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者，使得在将第一发射信号递送到所述第二驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生时间延迟。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件说明书[0059]-[0061]，[0067]-[0069]段描述了在置位（set）和复位（reset）操作中，通过控制开关（T1-T4）的时序来控制电容放电的先后，从而产生具有时间先后顺序的电流脉冲。例如，[0059]段：“Then, control signal T1 switches, disconnecting the set circuit 43 from the charge pump 37. After biasing the selected wordlines 12, the capacitors 47 discharge...” 这体现了控制信号和放电动作的时序。 | **论述**：目标专利特征I描述了在第二（聚焦）模式下，对外部像素组和中心像素组“依序”发射信号并引入“时间延迟”，这是实现声学波束聚焦（通过控制声波阵面）的关键。对比文件在编程操作中，通过控制开关的时序来控制电容的充电和放电过程，从而产生具有特定时间特性的编程电流脉冲（见图8及其描述）。从“依序控制信号并引入时间延迟以产生期望的物理效应”这一抽象的控制逻辑层面看，两者存在相似性。**然而**，对比文件中的时序控制是为了生成满足相变材料相变要求的电流脉冲波形（如指数衰减），以实现可靠的数据存储；而目标专利中的时序控制是为了在空间上合成一个聚焦的声波波前。两者控制的最终物理量（电流波形 vs 声波波前）和追求的技术效果（数据状态改变 vs 声能空间聚焦）完全不同。尽管控制逻辑（依序、延时）在高层抽象上相似，但具体应用对象和技术内涵差异巨大。本领域技术人员无法从对比文件的电流脉冲时序控制直接且毫无疑义地推导出目标专利的声波聚焦延时控制。从隐含公开的宽松标准看，对比文件部分公开了“通过时序控制信号递送来产生延迟”这一控制方法要素，但该方法要素需要应用于超声换能器阵列、像素分组、波束聚焦等未被公开的上下文中。因此，可以认为对比文件**隐含公开**了“依序发射信号并引入时间延迟”这一控制方法概念，但未公开其在本专利特定上下文中的应用。 |
| **技术特征J**：其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的七个像素<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件全文未提及六方晶格、六边形像素排列等概念。其存储器阵列通常为规则的行列（矩形）排列。 | **论述**：技术特征J限定了超像素区的一种具体几何布局：七个像素按六方晶格排列成六边形。这是超声换能器阵列中为了实现特定方向性或对称性波束成形而采用的一种常见空间布局。对比文件中的相变存储器阵列为了布线规整和寻址方便，通常采用正交的行列排列（矩形网格）。两者在阵列单元的物理排列方式上完全不同。对比文件没有给出任何关于六方晶格或六边形排列的启示。 |
| **技术特征K**：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件全文未提及将某个单元定义为“中心像素”或根据几何中心进行分组的概念。 | **论述**：此特征与特征J的特定几何布局紧密相关。既然对比文件未公开六边形排列的超像素区，自然也就不存在从这种排列中定义出的“中心像素”或“第一像素组”。 |
| **技术特征L**：且所述第二像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的所述外部部分中。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件全文未提及根据与中心点的距离对单元进行分组。 | **论述**：此特征进一步定义了在特定几何布局（六边形）下，外部像素组的构成和空间关系。对比文件完全没有涉及此类基于距离和位置的功能性分组概念。 |
| **技术特征M**：其进一步包含第三像素组和第四像素组，其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的十九个像素<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件全文未提及十九个像素的六边形排列。 | **论述**：技术特征M描述了另一种更复杂的超像素区布局（十九像素六边形）以及更多的像素组（第三、第四组）。这仍然是超声阵列波束成形技术的延伸。对比文件的存储器阵列不存在此类复杂的功能性分区和布局。 |
| **技术特征N**：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素<br>**判断结果**：未公开 | 同特征K论述。 | **论述**：同特征K。 |
| **技术特征O**：所述第二像素组包含以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的外部部分中的六个像素<br>**判断结果**：未公开 | 同特征L论述。 | **论述**：同特征L。 |
| **技术特征P**：且所述第三像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者安置于与所述第二像素组中的每一像素相比距所述中心像素较大距离处，且与所述第四像素组中的每一像素相比距所述中心像素较小距离处。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件全文未提及这种基于与中心点距离的、多层同心环状的分组方式。 | **论述**：此特征精确描述了多个像素组以同心圆环（或六边形环）方式分布的空间关系，这是实现复杂波束成形（如控制聚焦深度、旁瓣）的关键。对比文件的存储器阵列布局不具备这种以一点为中心、按距离分层的功能性结构。 |
| **技术特征Q**：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含：第一经固定配置的导电路径，其连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子<br>**判断结果**：未公开 | 参见特征G的引用及论述。对比文件有导电路径，但非“固定配置”用于连接特定“像素组”。 | **论述**：此特征是对特征G在更复杂阵列（多像素组）情况下的具体化。其核心在于“经固定配置的导电路径”将特定功能组（第一像素组）连接到特定驱动端子。对比文件的导电路径是通过解码器动态配置的，用于寻址，而非固定连接功能组。目的不同，结构也不同。 |
| **技术特征R**：第二经固定配置的导电路径，其连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子<br>**判断结果**：未公开 | 同特征Q论述。 | **论述**：同特征Q。 |
| **技术特征S**：第三经固定配置的导电路径，其连接所述第三像素组中的像素与第三驱动输入端子<br>**判断结果**：未公开 | 同特征Q论述。 | **论述**：同特征Q。 |
| **技术特征T**：第四经固定配置的导电路径，其连接所述第四像素组中的像素与第四驱动输入端子<br>**判断结果**：未公开 | 同特征Q论述。 | **论述**：同特征Q。 |
| **技术特征U**：且所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入、所述第三驱动输入和所述第四驱动输入中的每一者与所述收发器电子装置耦合。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件中的写入线（write line 30）与写入级（write stage 24）的输出连接（见[0041]段）。 | **论述**：此特征说明多个驱动输入端子均连接到收发器电子装置。对比文件中，写入线也连接到写入级。从“多个接口端子连接到控制电路”这一抽象连接关系上看，两者有相似之处。**然而**，目标专利中这些端子分别对应不同的像素组，用于独立控制以实现波束成形；对比文件中的写入线是用于向被选中的位线传递编程信号，其与存储单元组（像素组）没有固定的、功能性的对应关系。连接关系的背后目的和架构含义不同。虽然抽象连接形式相似，但由于前述像素组、固定导电路径等特征未被公开，且连接目的不同，不能认为此特征被直接公开。从隐含公开的宽松标准看，对比文件部分公开了“控制电路的多个输出端子连接到阵列”这一连接要素。因此，可以认为对比文件**隐含公开**了“多个驱动输入端子与收发器电子装置耦合”这一连接关系概念。 |
| **技术特征V**：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者<br>**判断结果**：未公开 | 同特征H的引用及论述。对比文件在写入时向所有选中的位线同时施加偏置。 | **论述**：此特征是特征H在更多驱动端子情况下的扩展。论述同特征H。对比文件部分公开了“同时向多个路径发射信号”的动作要素。因此，可以认为对比文件**隐含公开**了此特征中的“同时发射信号到多个端子”的动作概念。 |
| **技术特征W**：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者，使得：在将第一发射信号递送到所述第四驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子之间发生第一时间延迟<br>**判断结果**：未公开 | 同特征I的引用及论述。对比文件通过开关时序控制产生有时间顺序的放电。 | **论述**：此特征是特征I在更多驱动端子且有特定顺序（从外到内）情况下的具体化。论述同特征I。对比文件部分公开了“依序控制信号并引入时间延迟”的方法要素。因此，可以认为对比文件**隐含公开**了此特征中的“依序发射信号并引入时间延迟”的控制方法概念。 |
| **技术特征X**：在将所述第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第三发射信号递送到所述第二驱动输入端子之间发生第二时间延迟<br>**判断结果**：未公开 | 同特征W论述。 | **论述**：同特征W。对比文件**隐含公开**了“依序发射信号并引入时间延迟”的控制方法概念。 |
| **技术特征Y**：且在将所述第三发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第四发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生第三时间延迟。<br>**判断结果**：未公开 | 同特征W论述。 | **论述**：同特征W。对比文件**隐含公开**了“依序发射信号并引入时间延迟”的控制方法概念。 |
| **技术特征Z**：其进一步包括安置于所述阵列上方的台板和声学耦合介质，其中所述阵列经配置以经由所述台板和所述耦合介质接收或发射超声信号。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件全文未提及台板、声学耦合介质或超声信号的发射/接收。 | **论述**：技术特征Z涉及超声成像设备的封装和声学界面结构，用于将换能器产生的超声波有效地耦合到被检测物体（如手指）。这是超声传感器特有的机械和声学设计。对比文件是纯粹的半导体存储器件，其封装设计旨在提供电学连接、散热和物理保护，完全不涉及声学耦合介质或用于传导超声波的台板。该特征在对比文件中没有任何基础。 |
根据特征比对表格中的公开性判断结果：
- **直接公开**：无任何技术特征被对比文件直接公开。
- **隐含公开**：技术特征H、I、U、V、W、X、Y中涉及“同时发射信号”、“依序发射信号并引入时间延迟”、“多个驱动输入端子与收发器电子装置耦合”这些高层抽象的动作、方法或连接关系概念，被对比文件中类似的电路控制行为部分公开。根据宽松的隐含公开判断标准，可以认为这些特征被**隐含公开**。
<<<h>>><<<i>>><<<u>>><<<v>>><<<w>>><<<x>>><<<y>>>