对比文件名称：2006-02-28_US7005733B_发明授权_US07005733B2 Anti tamper encapsulation for an integrated circuit
目标专利名称：1344用于检验物品的真实性、完整性和_或物理状态的设备、系统和方法CN102077205B
本次调用的模型名称：用户未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括RFID装置**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件涉及集成电路封装，未提及RFID装置或无线射频通信，因此未公开该特征。 |
| **技术特征B：所述RFID装置包括处理器**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件虽包含CPU（[0060]），但未与RFID装置关联，且未公开RFID装置本身，因此未公开。 |
| **技术特征C：所述RFID装置包括通信部件**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件有I/O电路（[0068]），但未明确为RFID通信部件，因此未公开。 |
| **技术特征D：所述RFID装置包括存储器**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件有非易失存储器（[0061]），但未置于RFID装置中，因此未公开。 |
| **技术特征E：所述RFID装置包括PUF装置**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开RFID装置，因此无法公开“RFID装置包括PUF装置”。 |
| **技术特征F：所述PUF装置包括一个或多个预先选择的材料的物理装置**<br>《直接公开》 | [0010]“protective member (e.g. encapsulation or packaging)”；[0025]“the material making up the bulk or the surface of the protective member (e.g. encapsulation) is inhomogeneous”。 | 对比文件公开了封装材料作为物理装置，其中材料是预先选择的（如含随机分布粒子），因此直接公开。 |
| **技术特征G：所述物理装置在不受控的生产过程中被生产以包括PUF结构**<br>《直接公开》 | [0019]“the physical parameter(s) is chaotic or random from one device to another, which may be as a result of the manufacturing process being chaotic or random (e.g. such as not to determine the position of inhomogeneities).” | 对比文件明确制造过程具有随机性，导致物理参数不可预测，从而形成PUF结构，直接公开。 |
| **技术特征H：所述PUF结构在测量所述一个或多个预先选择的材料时提供测量的响应以用于检验物品的物理状态**<br>《直接公开》 | [0066]“In the event of tampering with the encapsulation 50, the encapsulation properties 170 are altered, leading to alterations in the detected properties 140 and hence the cryptographic input (key) 160...As a result, encryption/decryption unit 120 no longer correctly decrypts programs and/or data from the memory 110 and the CPU core no longer operates normally.” | 对比文件通过测量封装材料参数得到响应，该响应用于检测篡改（即物理状态变化），因此直接公开。 |
| **技术特征I：所述PUF设备形成在该物品中或附于该物品**<br>《隐含公开》 | [0002]“Examples of such integrated circuits are smart cards, microcontrollers, microprocessors or ASICs, as used for example in electronic banking, cash machines, subscription TV, mobile phones or the like.” | 对比文件设备可用于智能卡、手机等产品，本领域技术人员可合理推断该设备可形成在物品中或附着于物品，因此隐含公开。 |
| **技术特征J：其中所述材料被预先选择以使得所述PUF结构被布置成：在所述物品暴露到预定不良环境状况的情况下被破坏**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件主要针对人为物理篡改（如钻孔、切割），未公开预定不良环境状况（如温度、光等）导致的破坏。 |
| **技术特征K：所述破坏导致在测量所述预先选择的材料时所述测量的响应中的可测的变化**<br>《直接公开》 | [0066]同上。 | 对比文件明确指出篡改导致封装属性改变，进而引起检测属性变化，直接公开。 |
| **技术特征L：其中所述破坏并非由于与PUF设备的人类物理接触而造成**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件中的破坏通常由人类物理接触（如钻孔、切割）引起，未公开非接触式破坏。 |
| **技术特征M：其中所述材料被布置成在极端温度的情况下被破坏**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未提及极端温度导致的材料破坏。 |
| **技术特征N：其中所述材料包括不同膨胀系数的两种或更多种材料**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未提及不同膨胀系数材料。 |
| **技术特征O：其中所述材料被布置成在极端压力的情况下被破坏**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未提及极端压力导致的破坏。 |
| **技术特征P：其中所述材料包括在极端温度或压力的情况下起反应、混合或者熔化的化学材料**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件第八实施例（[0150]）虽有微胶囊化学反应，但触发条件是机械穿刺，非温度或压力。 |
| **技术特征Q：其中所述材料是感光材料**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件第九实施例（[0153]）使用透光材料，但材料本身非感光（不会因光而改变）。 |
| **技术特征R：所述感光材料被布置成在暴露于光的情况下被破坏**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开感光材料在光下破坏。 |
| **技术特征S：其中所述PUF结构被形成在标记中或者其上**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件为集成电路封装形式，未公开标记（标签）形式。 |
| **技术特征T：其中所述设备包括用于测量所述一个或多个预先选择的材料的无源或者有源传感器**<br>《直接公开》 | [0063]“The sensors 150 are disposed covering all circuit-containing areas”；[0097]“The sensors in this embodiment can be any of the types described...each gives an analogue output.” | 对比文件公开了传感器阵列，用于测量封装材料的物理参数，包括无源和有源类型，直接公开。 |
| **技术特征U：所述PUF结构被设置在所述无源或者有源传感器中或者其上**<br>《直接公开》 | [0063]“The sensors 150 are disposed covering all circuit-containing areas”；[0104]“The areas of the encapsulation 50 sensed by each sensor 150 may overlap or abut each other.” | 对比文件中封装材料覆盖传感器，PUF结构（封装）直接设置在传感器上，因此直接公开。 |
| **技术特征V：其中所述传感器包括放射能传感器、加速计、震荡或者振动传感器、化学或者生化传感器、湿度传感器、温度传感器、光传感器、电磁场传感器、或者压力传感器**<br>《直接公开》 | [0202]“radiation is used as the sensed property...beta detectors”；[0153]“photosensors...light emitting diodes”；[0110]“magnetic field sensors such as Hall effect sensors”。 | 对比文件公开了放射能传感器（β射线）、光传感器、电磁场传感器（霍尔），因此直接公开了这些类型。 |
| **技术特征W：其中所述PUF结构被形成在光、温度、或者湿度敏感材料中或者其上**<br>《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开光、温度、湿度敏感材料，仅用透光材料但非敏感材料。 |
### 公开性代码
根据上述判断，对比文件直接公开了技术特征F、G、H、K、T、U、V，隐含公开了技术特征I，未公开其他特征。
<<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<K>>><<<T>>><<<U>>><<<V>>><<<i>>>