2014-12-24_CN104244857A_发明公开_CN104244857A 用于皮肤治疗的方法和系统_+++A_M+++.docx

对比文件名称:2014-12-24_CN104244857A_发明公开_CN104244857A 用于皮肤治疗的方法和系统

目标专利名称:1357具有处理设定限定器的使用RF电流的非侵入性皮肤处理装置CN107530544B

模型名称:本次调用未指定模型

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:RF处理信号穿过所述内部区域(15)施加于所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间,用于加热所述内部区域(15)(直接公开)[0033]:“通过向电极5施加RF信号,RF电流将流过在两个电极5之间的皮肤,并且RF能量将被提供给治疗区域9内的皮肤组织1。” [0035]:“当RF信号被施加到电极5时,RF能量将流过低阻抗部分11并且流过存在于它们之间的、因此将被加热的皮肤组织。”对比文件明确公开了RF信号施加于两个电极之间,RF电流穿过皮肤组织(相当于内部区域),能量被用于加热治疗区域,与目标专利中RF处理信号在电极之间穿过内部区域进行加热的作用完全相同,因此直接公开。
技术特征B:阻抗测量电路(35)(未公开)对比文件未记载任何阻抗测量电路。对比文件全文未提及用于测量阻抗的电路结构,虽然讨论了电阻概念,但未公开任何测量装置或电路,因此未公开。
技术特征C:其被配置和布置成测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的皮肤阻抗(未公开)对比文件未记载在电极之间测量皮肤阻抗的配置。对比文件未公开任何测量电极间皮肤阻抗的电路或方法,因此未公开。
技术特征D:处理设定限定器(30)(未公开)对比文件未记载任何处理设定限定器。对比文件没有公开用于确定处理设定的模块或单元,因此未公开。
技术特征E:其被配置和布置成确定与所述RF处理信号相关联的处理设定,其特征在于,所述皮肤处理装置(100)还包括控制器(25)(未公开)对比文件虽提及控制器17([0072]),但未公开处理设定限定器及其确定处理设定的功能。对比文件中的控制器仅用于控制治疗头,并未公开其根据初始阻抗等确定处理设定,且未公开处理设定限定器,因此未公开。
技术特征F:所述控制器(25)被编程使得在操作期间,所述控制器在激活所述RF发生器(20)以施加所述RF处理信号之前,激活所述阻抗测量电路(35)以测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的初始皮肤阻抗ZO(未公开)对比文件未记载在施加RF处理信号前测量初始皮肤阻抗的步骤。对比文件未公开任何在治疗前测量初始阻抗的控制器编程或操作,因此未公开。
技术特征G:其中所述处理设定限定器(30)被编程使得在操作期间,所述处理设定限定器(30)根据所测量的初始皮肤阻抗ZO以及所述接触平面中的所述RF处理电极(10)的尺寸确定所述处理设定,所述处理设定至少包括以下:与期望的处理结果相关联的处理持续时间(TD)(未公开)对比文件未记载基于初始阻抗和电极尺寸确定处理持续时间。对比文件未公开根据初始阻抗和电极尺寸来确定处理设定(尤其是处理持续时间)的任何教导,因此未公开。
技术特征H:与所述RF处理信号相关联的RF电气参数;并且中所述控制器(25)被进一步编程使得在激活所述阻抗测量电路以测量所述初始皮肤阻抗之后,所述控制器连续地:激活所述处理设定限定器(30),以在激活所述RF发生器以施加所述RF处理信号之前确定所述处理设定(未公开)对比文件未记载上述连续步骤。对比文件未公开在测量初始阻抗后,连续地激活处理设定限定器、配置发生器、然后施加信号的顺序操作,因此未公开。
技术特征I:配置所述RF发生器(20)以根据所述处理设定提供所述RF处理信号(未公开)对比文件未记载根据处理设定配置RF发生器。对比文件未公开基于预设处理设定来配置RF发生器以提供特定处理信号,因此未公开。
技术特征J:激活所述RF发生器(20),以施加所述RF处理信号到所述内部区域(15)持续所述处理持续时间(TD)(未公开)对比文件虽施加RF信号([0033]),但未公开基于预设的处理持续时间TD。对比文件仅在模拟中采用固定时间(如0.05秒,[0064]),未公开根据初始阻抗等预设的TD,且未明确将施加信号持续到预设TD,因此未公开。
技术特征K:其中所述处理持续时间(TD)与所述内部区域(15)中从期望处理结果到不期望的处理结果的过渡相关联(未公开)对比文件未公开这种关联性。对比文件未将处理持续时间与从期望到不期望结果的过渡联系起来,因此未公开。
技术特征L:其中所述不期望的处理结果与所述内部区域(15)内的凝固或消融相关联(未公开)对比文件提及凝固([0033]胶原收缩)和消融([0011]),但未与不期望结果关联。对比文件虽然提到凝固和消融,但未明确将其作为不期望的处理结果并与处理持续时间关联,因此未公开。
技术特征M:其中所述RF处理电极(10)在所述RF处理电极(10)的所述接触平面中的最大尺寸小于或等于2mm(直接公开)[0061]:“RF电极被模拟成提供与皮肤表面的100微米直径(图4A)、300微米直径(图4B)、或500微米直径(图4C)的圆形接触部分。”对比文件公开的电极直径(100μm、300μm、500μm)均远小于2mm,因此直接公开了本特征。
技术特征N:其中所述处理设定限定器(30)被编程使得所述处理设定限定器(30)根据以下公式确定所述处理设定:J=K.R.TT.PM.(1–exp(‑TD/TT)),其中:J是与期望的处理结果与不期望的处理结果之间的过渡相关联的皮肤损害发作因子(未公开)对比文件未公开任何类似公式。对比文件没有公开该特定公式及其参数,因此未公开。
技术特征O:K是常数,单位为每毫米‑毫焦耳,取决于皮肤组织的热和介电特性(未公开)对比文件未公开K常数。对比文件未公开该常数,因此未公开。
技术特征P:R是所述RF处理电极(10)在所述接触平面内的半径,单位为毫米(未公开)对比文件未公开将半径作为公式参数。对比文件虽提及电极尺寸,但未公开其在公式中作为半径R使用,因此未公开。
技术特征Q:TT是皮肤组织的热时间常数,单位为毫秒(未公开)对比文件未公开TT。对比文件未公开热时间常数,因此未公开。
技术特征R:2PM是与所述RF处理信号相关联RF功率,单位为瓦特,等于VM/ZO,其中VM是所述RF处理信号的电压(未公开)对比文件未公开PM=VM²/ZO。对比文件未公开该功率表达式,因此未公开。
技术特征S:TD是所述处理持续时间,单位为毫秒(未公开)对比文件未公开TD作为公式参数。对比文件未公开该参数,因此未公开。
技术特征T:其中K等于0.38±0.03mm⁻¹ mJ⁻¹(未公开)对比文件未公开该数值。对比文件未公开该特定常数数值,因此未公开。
技术特征U:其中TT等于40.4±4.8毫秒(未公开)对比文件未公开该数值。对比文件未公开该特定热时间常数值,因此未公开。
技术特征V:其中所述皮肤损害发作因子(J)是以下中的一个或多个:J=1±0.3,当所述内部区域(15)内的从期望的处理结果到不期望的处理结果的过渡与非消融性凝固损害的发作相关联时(未公开)对比文件未公开J值。对比文件未公开J因子及其对应关系,因此未公开。
技术特征W:者J=1.7±0.5,当所述内部区域(15)内的从期望的处理结果到不期望的处理结果的过渡与消融性损害的发作相关联时(未公开)对比文件未公开J值。对比文件未公开该J值,因此未公开。
技术特征X:其中与所述RF处理信号相关联的所述RF电气参数是以下一个或多个:IM,是所述RF处理信号的电流,单位为安培(未公开)对比文件提及RF电流([0066]),但未作为基于初始阻抗设定的参数。对比文件未将电流IM作为根据初始阻抗确定的处理设定参数,因此未公开。
技术特征Y:VM,是所述RF处理信号的电压,单位为伏特(未公开)对比文件提及电压([0056]),但未作为基于初始阻抗设定的参数。对比文件未将电压VM作为根据初始阻抗确定的处理设定参数,因此未公开。
技术特征Z:PM,是与所述RF处理信号相关联的功率,单位为瓦特(未公开)对比文件提及功率([0056]),但未作为基于初始阻抗设定的参数。对比文件未将功率PM作为根据初始阻抗确定的处理设定参数,因此未公开。

<<<A>>>

<<<M>>>

权利要求与技术特征

A RF处理信号穿过所述内部区域(15)施加于所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间,用于加热所述内部区域(15)
B 阻抗测量电路(35)
C 其被配置和布置成测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的皮肤阻抗
D 处理设定限定器(30)
E 其被配置和布置成确定与所述RF处理信号相关联的处理设定,其特征在于,所述皮肤处理装置(100)还包括控制器(25)
F 所述控制器(25)被编程使得在操作期间,所述控制器在激活所述RF发生器(20)以施加所述RF处理信号之前,激活所述阻抗测量电路(35)以测量所述RF处理电极(10)与所述返回电极(40)之间的初始皮肤阻抗ZO
G 其中所述处理设定限定器(30)被编程使得在操作期间,所述处理设定限定器(30)根据所测量的初始皮肤阻抗ZO以及所述接触平面中的所述RF处理电极(10)的尺寸确定所述处理设定,所述处理设定至少包括以下:与期望的处理结果相关联的处理持续时间(TD)
H 与所述RF处理信号相关联的RF电气参数;并且中所述控制器(25)被进一步编程使得在激活所述阻抗测量电路以测量所述初始皮肤阻抗之后,所述控制器连续地:激活所述处理设定限定器(30),以在激活所述RF发生器以施加所述RF处理信号之前确定所述处理设定
I 配置所述RF发生器(20)以根据所述处理设定提供所述RF处理信号
J 激活所述RF发生器(20),以施加所述RF处理信号到所述内部区域(15)持续所述处理持续时间(TD)
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