**对比文件名称**：2001-10-25_US2001032985A_发明申请_US20010032985A1 Multi-chip semiconductor LED assembly
**目标专利名称**：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
**模型名称**：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) **《直接公开》** | [0064]：“The III-nitride layers 11 are optionally attached to a transparent superstrate 10. The superstrate can be the growth substrate for deposition of the III-nitride layers.”（III-氮化物层11可选地附着到透明超基板10。该超基板可以是用于沉积III-氮化物层的生长基板。） | 对比文件明确记载了在生长基板（超基板）上沉积III-氮化物层形成半导体结构，该结构包含有源区，与技术特征A完全相同。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 **《直接公开》** | [0064]：“n-type and undoped layers and p-type layers 12, each in contact with an active region 13.”（n型层、未掺杂层和p型层12，每一层都与有源区13接触。） | 有源区13即为发光层，位于n型层和p型层之间，直接公开了该特征。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) **《直接公开》** | [0064]：“The electrode metallizations connect to submount electrodes 52 on a submount substrate 50 via interconnects 60.”（电极金属化层通过互连60连接到基座基板50上的基座电极52。） | 互连60为导电互连，基座基板50为载体，直接公开了通过导电互连将半导体结构附着到载体。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) **《直接公开》** | [0087]：“optional step 102, underfill is dispensed between the LED die and the submount.”（可选步骤102，在LED芯片和基座之间分配底部填料。） | 底部填料（underfill）在半导体结构（LED芯片）和载体（基座）之间，其通常为电绝缘材料，直接公开该特征。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 **《隐含公开》** | [0087]：“optional step 102, underfill is dispensed between the LED die and the submount.”（可选步骤102，在LED芯片和基座之间分配底部填料。） | 对比文件虽未明确“刚性支撑”，但本领域技术人员公知底部填料填充在LED芯片、基座和互连之间的间隙，能够提供机械支撑、缓解应力，从而起到刚性支撑作用。该作用是本领域对底部填料的普遍认知，因此可合理推断。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) **（未公开）** | 对比文件未公开 | 对比文件仅在[0011]提及“Some embodiments may have the substrate removed.”（一些实施例可能移除基板。）但未给出任何具体的移除方法，尤其未提及激光解离。本领域技术人员无法从对比文件得出该特征。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 **《隐含公开》** | [0087]：“optional step 102, underfill is dispensed between the LED die and the submount.”（可选步骤102，在LED芯片和基座之间分配底部填料。） | “dispense”通常指分配液态材料，本领域技术人员可以合理推断分配的底部填料为液态，以便流入间隙。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 **《隐含公开》** | [0087]：“optional step 102, underfill is dispensed between the LED die and the submount.”（可选步骤102，在LED芯片和基座之间分配底部填料。） | 液态底部填料分配后必须经过固化才能形成稳定的支撑结构，这是本领域常规工艺。对比文件虽未明确固化步骤，但本领域技术人员可以合理推断出需要固化。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 **（未公开）** | 对比文件未公开 | 对比文件仅在附着后分配底部填料，并未公开在附着前预先形成刚性底部填料层的方式。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 **（未公开）** | 对比文件未公开 | 基于特征I未公开，该特征自然也不被公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 **《隐含公开》** | [0086]：“In step 92, contacts are applied to the III-nitride heterostructure, etching if necessary.”（步骤92，对III-氮化物异质结构施加接触，必要时进行蚀刻。）[0064]图6a显示n电极指状穿插p电极，需要暴露n型层。 | 对比文件虽未明确蚀刻p型区和有源区，但为了形成与n型区接触的n电极指状结构，必须蚀刻掉p型区和有源区的一部分以暴露n型层。本领域技术人员结合图6a可以合理推断出该步骤。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 **《直接公开》** | [0064]：“p-electrode metallization 20”和“n-electrode 22”（p电极金属化层20和n电极22） | 对比文件明确公开了p电极和n电极，分别与p型区和n型区电连接，直接公开该特征。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 **《直接公开》** | [0064]：“The electrode metallizations connect to submount electrodes 52 on a submount substrate 50 via interconnects 60.”（电极金属化层通过互连60连接到基座基板50上的基座电极52。） | 互连60将LED的电极（n接触或p接触）连接到载体上的金属层（基座电极52），直接公开该特征。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 **（未公开）** | 对比文件未公开 | 对比文件仅描述倒装芯片结构，互连连接底部表面，但未给出顶部表面与载体顶部表面的具体距离数值，本领域技术人员无法确定该特征。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 **（未公开）** | 对比文件未公开 | 对比文件提及底部填料，但未指定任何具体材料，尤其未提及有机材料。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 **（未公开）** | 对比文件未公开 | 对比文件未提及底部填料的无机材料。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 **（未公开）** | 对比文件未公开 | 对比文件未提及环氧树脂。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 **（未公开）** | 对比文件未公开 | 对比文件未提及硅树脂。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 **（未公开）** | 对比文件未公开 | 对比文件未提及硅树脂及其颗粒。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 **《直接公开》** | [0064]：“interconnects may be made of elemental metals, ... e.g., Au stud-bumps”（互连可由元素金属制成，例如金凸点。） | 对比文件明确列出金作为互连材料，直接公开该特征。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 **《直接公开》** | [0091]：“Alternative methods of coupling contact pads 210 to circuitry 208 include forming an ultrasonic bond”（将接触垫210耦合到电路208的替代方法包括形成超声焊接。） | 对比文件直接公开了超声焊接作为附着方式。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 **《直接公开》** | [0064]全文多处提及“solder”（焊料），例如“interconnects may be made of ... solders”（互连可由焊料制成）。 | 对比文件大量公开了焊料作为互连材料，直接公开该特征。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 **《直接公开》** | [0064]：“III-nitride epitaxial heterostructure”（III-氮化物外延异质结构）[0076]：“sapphire superstrate”（蓝宝石超基板）。 | 对比文件明确公开了III-氮化物半导体结构，且以蓝宝石作为生长基板（超基板），直接公开该特征。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 **（未公开）** | 对比文件未公开 | 对比文件仅提及“some embodiments may have the substrate removed”，未涉及任何激光解离工艺。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 **（未公开）** | 对比文件未公开 | 基于特征X未公开，该具体方式也不被公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 **（未公开）** | 对比文件未公开 | 对比文件未公开任何用于移除生长基板的蚀刻工艺。 |
### 公开性代码
根据上述判断，对比文件直接或隐含公开了以下技术特征代码：
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