**对比文件名称**：2001-06-28_WO2001047036A_发明申请_WO01047036A1 III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICE WITH INCREASED LIGHT GENERATING CAPABILITY
**目标专利名称**：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
**本次调用的模型名称**：AI模型（基于深度学习的自然语言处理模型）
以下为特征比对表格，按照目标专利权利要求中的技术特征划分，逐一分析对比文件是否公开。
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | [p0033] “The Ill-nitride layers 11 are optionally attached to a transparent superstrate 10. The superstrate 10 can be the growth substrate for deposition of the Ill-nitride layers.” 以及 [p0049] step 91: “a Ill-nitride heterostructure is deposited on a growth substrate.” | 对比文件明确记载了在生长基板（超透明明亮衬底）上生长III-氮化物异质结构，与本特征完全相同。本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | [p0032] “the device includes an Ill-nitride epitaxial heterostructure n-type and undoped layers 11 and p-type layers 12, each in contact with an active region 13.” | 对比文件明确公开了n型层、p型层以及两者之间的有源区（发光层），与本特征完全对应。因此直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《直接公开》 | [p0033] “The electrode metallizations connect to submount electrodes 52 on a submount substrate 50 via interconnects 60.” 以及同段落中列举的互连材料如焊料、金凸点等。 | 对比文件公开了通过互连（如焊料、金凸点）将LED晶片连接到载体（submount），与本特征一致。因此直接公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《直接公开》 | [p0050] step 102: “underfill is dispensed between the LED die and the submount.” 以及 [p0051] step 107。 | 对比文件明确提到在LED晶片与载体之间分配底部填料（underfill）。底部填料通常为电绝缘材料，本领域技术人员公知该填料用于填充间隙并起绝缘作用。因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《隐含公开》 | [p0050] step 102 仅提及“dispense underfill”，未说明其功能。但本领域公知底部填料的主要作用之一就是提供机械支撑，填充间隙并固化后形成刚性支撑。 | 对比文件虽未明确表述“刚性支撑”，但根据本领域常识，底部填料填充于LED晶片、载体和互连之间的间隙，经固化后必然起到刚性支撑作用。因此，本领域技术人员可以合理推断出该特征，属于隐含公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) 《未公开》 | 对比文件全文未提及激光解离或移除生长基板的任何步骤。 | 对比文件描述的是倒装结构，生长基板（超透明明亮衬底）被保留作为出光面，并未移除。因此该特征既未直接公开，也无法隐含推导出。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 《隐含公开》 | [p0050] step 102: “underfill is dispensed between the LED die and the submount.” “dispense”通常指分配液态材料。 | 虽然对比文件未明确写“液态”，但本领域技术人员知道underfill在分配时是液态，之后固化。因此，从“dispense”可以合理推断出填料为液态，该特征隐含公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 《隐含公开》 | 对比文件未明确提及固化步骤，但常规underfill工艺必然包含固化。 | 本领域技术人员公知，液态底部填料分配后必须经过固化才能形成刚性支撑。对比文件虽未写，但属于合理推理，因此隐含公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《未公开》 | 对比文件仅在附着后（after die attach）分配underfill，例如[p0050] step 102是在焊料回流后进行的。 | 对比文件没有公开在附着前预先形成刚性底部填料层。该特征无法从对比文件直接得出或合理推断。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 《未公开》 | 对比文件未提及在底部填料层中形成开口。 | 对比文件并未描述在底部填料层中开孔用于互连，也未暗示该结构。因此未公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《隐含公开》 | [p0033] 提到n电极22 fingers interposing p电极，暗示需要暴露n型层；[p0049] step 92: “contacts are applied to the Ill-nitride heterostructure, etching if necessary.” | 对比文件虽未明确写出蚀刻掉p型和有源区，但为了实现n电极穿插于p电极之间的结构，必须蚀刻出暴露n型层的窗口。本领域技术人员可以合理推断出该步骤，因此隐含公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《直接公开》 | [p0033] 明确描述“p-electrode metallization 20”和“n-electrode 22”。 | 对比文件公开了p电极和n电极，分别与p型区和n型区电连接，与本特征一致。直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《直接公开》 | [p0033] “The electrode metallizations connect to submount electrodes 52 on a submount substrate 50 via interconnects 60.” | 对比文件公开了互连将LED电极（n接触或p接触）连接到载体上的金属层（submount电极），直接公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 《未公开》 | 对比文件未提及半导体结构顶部表面与载体顶部表面之间的距离。 | 对比文件未公开任何关于互连耦合的具体位置或距离参数，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 《隐含公开》 | 对比文件未指定underfill材料，但常用underfill为有机材料（如环氧树脂）。 | 本领域公知，底部填料通常为有机材料。对比文件虽未明确，但本领域技术人员可以合理推断其包含有机材料，因此隐含公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 《未公开》 | 对比文件未提及无机材料。 | 对比文件未公开底部填料的具体成分，无法合理推断必然包含无机材料，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 《未公开》 | 对比文件未提及环氧树脂。 | 对比文件未指定底部填料的具体类型，无法直接或隐含得出必须为环氧树脂，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 《未公开》 | 对比文件未提及硅树脂。 | 对比文件未公开底部填料包含硅树脂，因此未公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 《未公开》 | 对比文件未提及硅树脂或其掺入颗粒。 | 对比文件未公开任何关于底部填料添加颗粒的内容，因此未公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 《直接公开》 | [p0033] 列举互连材料时明确包括“Au stud-bumps”。 | 对比文件明确公开金作为互连材料，直接公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 《未公开》 | 对比文件未提及超声焊接，其描述的方法为焊料回流、热压等。 | 对比文件未公开超声焊接工艺，因此未公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 《直接公开》 | [p0033] 列举互连材料时包括“solder bumps”。 | 对比文件明确公开焊料作为互连材料，直接公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《直接公开》 | 标题及全文涉及III-nitride；[p0004] “the epitaxial growth is forced to occur upon non-lattice-matched substrates, e.g. sapphire or SiC.” | 对比文件直接公开了III-氮化物材料以及蓝宝石作为生长基板（超透明明亮衬底），直接公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 《未公开》 | 对比文件全文未提及激光解离或移除生长基板。 | 对比文件未公开任何移除生长基板的步骤，因此未公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 《未公开》 | 对比文件未提及激光扫描。 | 对比文件未公开激光解离或扫描，因此未公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 《未公开》 | 对比文件未提及蚀刻移除生长基板。 | 对比文件未公开通过蚀刻移除生长基板，因此未公开。 |
根据上述比对，对比文件直接公开的技术特征有：A、B、C、D、L、M、T、V、W；隐含公开的技术特征有：E、G、H、K、O。其余特征未公开。
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