对比文件名称：2002-04-25_US2002047131A_发明申请_US20020047131A1 Selective placement of quantum wells in flipchip light emitting diodes for improved light extraction
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110)（直接公开） | 【0044】“Successive layers of GaInAlN are deposited on a sapphire substrate (a) in the following order: i) An n-type GaN layer (b). ii) A multiple quantum well active region (c) consisting in this example of four InGaN quantum wells separated by GaN barriers. iii) An AlGaN p-type barrier layer (d). iv) A p-type GaN contact layer (e).” 翻译：在蓝宝石衬底（a）上依次沉积GaInAlN层，顺序如下：i) n型GaN层（b）；ii) 多量子阱有源区（c），本例由四个InGaN量子阱和GaN势垒构成；iii) AlGaN p型势垒层（d）；iv) p型GaN接触层（e）。 | 对比文件明确公开了在蓝宝石（生长基板）上沉积形成III-氮化物半导体结构，该结构用于后续倒装芯片LED制造，其作用与目标专利中提供生长基板上生长的半导体结构相同，均为后续工艺提供基础。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层（直接公开） | 【0044】同上，公开了n-GaN层（b）、多量子阱有源区（c）和p-GaN接触层（e），有源区位于n型层和p型层之间。 | 对比文件明确公开了有序叠加的n型层、有源发光层和p型层，有源区作为发光层置于n型区和p型区之间，作用与目标专利相同，用于产生光。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30)（直接公开） | 【0045】“Gold-based solder pads (i). The chip is inverted from the orientation depicted in FIG. 6 and soldered to a silicon submount.” 翻译：金基焊料垫（i）。芯片从图6所示方向倒装并焊接到硅基座。 | 对比文件明确公开了通过金基焊料垫（导电互连）将倒装的半导体结构焊接到硅基座（载体），实现机械和电气附着，与目标专利中通过导电互连将半导体结构附着到载体的作用一致。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44)（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件全文未提及在半导体结构与载体之间的空腔中引入任何电绝缘底部填料，也未暗示该步骤，因此既无直接公开也无隐含公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未涉及底部填料，更未公开其通过填充间隙提供刚性支撑的功能，故不公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10)（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件中的蓝宝石衬底保留作为光提取面，未提及任何移除生长基板的步骤，更未公开激光解离方式，故不公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未公开任何底部填料引入步骤，不涉及液态材料放置，故不公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 无底部填料，无固化步骤，故不公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未提及在附着前形成刚性底部填料层，故不公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未公开刚性底部填料层及其开口，故不公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区（隐含公开） | 【0045】“A mesa (m).” 翻译：台面（m）。<br>【0005】“The second ohmic contact is provided in a recess adjacent to the n-type layers.” 翻译：第二欧姆接触设置在邻近n型层的凹槽中。 | 对比文件明确提到形成台面（mesa），本领域公知台面通常通过蚀刻形成，蚀刻掉p型区和有源区的一部分以暴露n型区；且背景技术指出n接触设置在暴露n型层的凹槽中。结合两者，本领域技术人员可以合理推断在倒装焊接（附着）之前进行了蚀刻以暴露n型区，因此特征K被隐含公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触（直接公开） | 【0045】“A reflective p-contact of silver (f). ... An aluminum n-contact (k).” 翻译：反射性银p接触（f）...铝n接触（k）。 | 对比文件明确公开了分别与p型区和n型区电气连接的p接触（银）和n接触（铝），作用与目标专利相同，用于注入电流。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个（隐含公开） | 【0045】“Gold-based solder pads (i). The chip is inverted ... and soldered to a silicon submount.” 翻译：金基焊料垫（i）。芯片倒装...焊接到硅基座。 | 对比文件公开了芯片上形成金基焊料垫，焊料垫与芯片接触连接，然后倒装焊接到硅基座。本领域技术人员可以合理推断硅基座（载体）表面具有金属焊盘（金属层），焊料垫作为互连将该金属层连接到芯片的n接触或p接触。因此特征M被隐含公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未提及半导体结构顶部表面与载体顶部表面之间的距离，更未限定小于50微米，故不公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未涉及底部填料，不公开其材料组成。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 同上。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 同上。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 同上。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未公开任何底部填料及其添加物。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金（直接公开） | 【0045】“Gold-based solder pads (i).” 翻译：金基焊料垫（i）。 | 对比文件明确公开焊料垫为金基，即互连包含金。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件仅描述“soldered”（焊接），未指定超声焊接，本领域技术人员不能必然推断出采用超声焊接，故不公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料（直接公开） | 【0045】“Gold-based solder pads (i).” 翻译：金基焊料垫（i）。 | 焊料垫包含焊料，对比文件明确公开了互连包括焊料。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石（直接公开） | 【0044】“GaInAlN ... on a sapphire substrate (a).” 翻译：GaInAlN...在蓝宝石衬底（a）上。<br>【0044】开头：“III-Nitride semiconductor system.” 翻译：III-氮化物半导体系统。 | 对比文件明确公开半导体结构为III-氮化物（GaInAlN），生长基板为蓝宝石，与目标专利特征完全一致。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 同特征F，对比文件未移除生长基板，故不公开激光解离方式。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 无激光解离步骤，更无激光扫描，故不公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除（未公开） | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未移除生长基板，故不公开蚀刻移除方式。 |
**结尾代码**
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