对比文件名称：2005-04-26_US6885035B_发明授权_US06885035B2 Multi-chip semiconductor LED assembly
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) -> **直接公开** | [0057]：“该超透衬底可以是用于沉积III-氮化物层的生长衬底。” [0082]：“III-氮化物LED通常形成在蓝宝石、碳化硅或III-氮化物上。” | 对比文件明确公开了半导体结构在生长基板上生长，生长基板可以是蓝宝石等，与目标专利的技术方案实质相同。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 -> **直接公开** | [0057]：“该器件包括III-氮化物外延异质结构n型和未掺杂层11以及p型层12，每个都接触有源区13。” | 有源区13即为发光层，位于n型层和p型层之间，对比文件直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) -> **直接公开** | [0057]：“电极金属化通过互连60连接到基座衬底50上的基座电极52。” | 互连60将LED芯片（半导体结构）连接到基座衬底50（载体），直接对应目标专利的附着方式。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) -> **直接公开** | [0079]步骤102：“在LED芯片和基座之间分配底部填料。” | 对比文件明确在LED芯片和基座之间引入底部填料（underfill），该填料为电绝缘材料。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 -> **隐含公开** | [0058]：“LED和基座之间任何底部填料材料的热导率非常低，例如<2.0 W/mK”；[0079]：“在LED芯片和基座之间分配底部填料。” | 对比文件虽未明确提及“刚性支撑”，但本领域技术人员公知，底部填料填充间隙并固化后必然提供机械支撑，防止芯片与基座之间的相对移动和应力损坏，该功能是隐含的。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) -> **不公开** | 无 | 对比文件仅在[0011]提及“一些实施例可能移除衬底”，但未提及任何具体移除方法，尤其未涉及激光解离，本领域技术人员无法直接或隐含得出该特征。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 -> **直接公开** | [0079]：“在LED芯片和基座之间分配底部填料。” | “分配”通常指施加液态材料，与目标专利的“将液态底部填料材料置于”含义一致。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 -> **隐含公开** | [0079]步骤102：“在LED芯片和基座之间分配底部填料。” | 对比文件未明确固化步骤，但本领域技术人员知晓底部填料通常为液态树脂，分配后必须通过固化（如热固化）才能形成固态填充层并实现支撑功能，因此固化是隐含的必要步骤。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 -> **不公开** | 无 | 对比文件所有底部填料相关描述均是在附着后分配，无预成型刚性层的记载或暗示。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 -> **不公开** | 无 | 基于特征I不公开，特征J也不公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 -> **直接公开** | [0057]：“n电极22‘指状’插入p电极金属化20”；[0078]步骤92：“对III-氮化物异质结构施加接触，必要时进行蚀刻。” | 对比文件公开了通过蚀刻形成n电极指状结构以暴露n型层，且该步骤在附着之前完成。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 -> **直接公开** | [0057]：“n电极22和p电极20”。 | 对比文件明确形成了n接触和p接触，分别与n型区和p型区电气连接。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 -> **直接公开** | [0057]：“电极金属化通过互连60连接到基座衬底50上的基座电极52。” | 基座电极52是载体上的金属层，互连60连接LED电极（n或p接触）和基座电极。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 -> **不公开** | [0067]：“焊料厚度可以小至20微米”。 | 对比文件仅提到焊料厚度，未涉及半导体结构顶部表面与载体顶部表面的整体距离，且未明确限定小于50微米。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 -> **不公开** | 无 | 对比文件未提及底部填料的材料成分，无法直接或隐含得出其为有机材料。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 -> **不公开** | 无 | 对比文件未提及底部填料的无机材料成分。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 -> **不公开** | 无 | 对比文件未提及环氧树脂。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 -> **不公开** | 无 | 对比文件未提及硅树脂。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 -> **不公开** | 无 | 对比文件未提及硅树脂及无机颗粒。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 -> **直接公开** | [0057]：“互连可以由元素金属、金属合金、...金凸点制成。” | 对比文件明确列出金作为互连材料。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 -> **直接公开** | [0082]：“将接触焊盘210耦合到电路208的替代方法包括形成超声焊。” | 对比文件直接公开了超声焊接作为附着方法。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 -> **直接公开** | [0057]：“虽然所示实施例提及焊料，但互连可以是...焊料凸点。” | 对比文件大量公开了焊料作为互连材料。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 -> **直接公开** | [0082]：“III-氮化物LED通常形成在蓝宝石、碳化硅或III-氮化物上。” | 对比文件公开了III-氮化物半导体结构以及蓝宝石作为生长基板。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 -> **不公开** | 无 | 同特征F，对比文件未公开激光解离任何细节。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 -> **不公开** | 无 | 对比文件未提及激光解离及扫描方式。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 -> **不公开** | 无 | 对比文件未提及通过蚀刻移除生长基板。 |
**直接公开的技术特征代码**：<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<G>>><<<K>>><<<L>>><<<M>>><<<T>>><<<U>>><<<V>>><<<W>>>
**隐含公开的技术特征代码**：<<<e>>><<<h>>>