**对比文件名称：** 2004-08-25_EP1450417A_发明公开_EP1450417A1 High-powered light emitting device with improved thermal properties
**目标专利名称：** 1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
**本次调用的模型名称：** GPT-4o
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | [0009] “Deposited on substrate 14 is first semiconductor region 18, active region 21, and second semiconductor region 25.”（翻译：在衬底14上沉积第一半导体区域18、有源区21和第二半导体区域25。） | 对比文件明确公开了在衬底（生长基板）上沉积半导体层，形成半导体结构。该衬底可以是蓝宝石、SiC等（[0009]），与目标专利的“生长基板”作用相同，均为生长半导体材料的基底。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该技术特征已被公开。 |
| **技术特征B：** 该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | [0009] “first semiconductor region 18, active region 21, and second semiconductor region 25.” [0010] “Active region 21 generally contains multiple quantum wells (MQW) which are capable of generating light …” （翻译：第一半导体区域18、有源区21和第二半导体区域25。有源区21通常包含能够产生光的多量子阱。） | 对比文件明确公开了半导体结构包括第一半导体区域（n型区）、有源区（发光层）和第二半导体区域（p型区），且发光层位于n型区和p型区之间，与目标专利完全相同。因此直接公开。 |
| **技术特征C：** 通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《直接公开》 | [0014] “Die 45 is electrically and physically connected to submount 62 using solder balls 58-1-i and solder ball 58-2.”（翻译：管芯45通过焊球58-1-i和焊球58-2电学和物理地连接到基座62。） | 对比文件中的die（半导体结构）通过焊球（导电互连）连接到submount（载体），实现了附着。该互连的材料、结构和功能与目标专利中的导电互连实质相同，均用于电气连接和机械附着。因此直接公开。 |
| **技术特征D：** 在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《直接公开》 | [0032] “fills the unfilled portions of the region between die 45 and submount 62 with an underfill material with high thermal conductivity.” [0033] “Underfill 98 should have … sufficiently low electrical conductivity to avoid unwanted electrical conduction.”（翻译：在die45和基座62之间的未填充区域填充具有高热导率的底部填料。底部填料98应具有足够低的电导率以避免不期望的导电。） | 对比文件明确公开了在die（半导体结构）和submount（载体）之间的空腔中引入底部填料（underfill），且该填料为电绝缘性（低电导率）。虽然目标专利中半导体结构后续会移除生长基板，但在引入底部填料时半导体结构仍包含生长基板，与对比文件的结构一致。因此该特征直接公开。 |
| **技术特征E：** 其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《隐含公开》 | [0032] “fills the unfilled portions of the region between die 45 and submount 62 with an underfill material … Using underfill 98 can lead to a reduction of thermal resistance …” （翻译：在die45和基座62之间的未填充区域填充底部填料。使用底部填料98可以降低热阻。） | 对比文件未明确提及底部填料提供“刚性支撑”，但本领域技术人员公知，填充于半导体结构、载体和互连之间的间隙中的底部填料必然起到机械支撑作用，防止结构移动并增强连接强度。对比文件虽侧重于热性能，但该填充行为本身即隐含了支撑功能。因此可合理推断该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征F：** 通过激光解离移除该生长基板(10) 《未公开》 | 全文未提及。 | 对比文件始终保留生长基板（substrate 14），所有实施例均以倒装芯片结构工作，光通过生长基板提取，且未描述任何移除基板的步骤，更没有提及激光解离技术。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征G：** 其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体 and 半导体结构之间 《隐含公开》 | [0032] “The underfill material may be, for example, a gel or any other malleable material such as a paste, foam, or dust of a suitable heat conductor.”（翻译：底部填料材料可以是例如凝胶或任何其他可塑材料，如糊状物、泡沫或合适热导体的粉末。） | 对比文件未明确说明底部填料是液态施加的，但列举的“gel”、“paste”等材料在施用时通常为液态或可流动状态，且本领域公知底部填料通常以液态形式注入间隙后再固化。因此，虽然对比文件未直接描述，但本领域技术人员合理推断其使用了液态材料，故隐含公开。 |
| **技术特征H：** 使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 《隐含公开》 | 无直接对应内容。 | 对比文件未提及固化步骤，但本领域技术人员知晓，若底部填料以液态施加，则必须经过固化才能形成稳定支撑并实现其功能。对比文件中的“underfill”必然具有固化后的形态，故该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I：** 其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《未公开》 | 全文未提及附着前形成刚性底部填料层。 | 对比文件中底部填料是在附着后填充间隙（[0032]：fills the unfilled portions of the region between die and submount），而非在附着前预先形成刚性层。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征J：** 在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 《未公开》 | 全文未提及在刚性底部填料层中形成开口。 | 对比文件未描述预先形成刚性底部填料层，更未在其上形成开口。互连（焊球）直接连接接触与载体，无开口形成步骤。因此未公开。 |
| **技术特征K：** 进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《直接公开》 | [0012] “A second contact 37 is formed by etching away a portion of first contact 29, second semiconductor layer 25 and active region 21. Second contact 37 is then formed directly over the cleared portion of first semiconductor region 18.”（翻译：通过蚀刻掉第一接触29、第二半导体层25和有源区21的一部分形成第二接触37。然后直接在清除后的第一半导体区域18部分上形成第二接触37。） | 对比文件明确公开了在形成接触（即附着到载体之前）蚀刻掉p型区（第二半导体层25）和有源区21的一部分，以暴露n型区（第一半导体区域18）。该步骤与目标专利的蚀刻暴露n型区完全一致，且目的相同。因此直接公开。 |
| **技术特征L：** 形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《直接公开》 | [0011] “A first contact 29 is formed overlying second semiconductor region 25.” [0012] “Second contact 37 is then formed directly over the cleared portion of first semiconductor region 18.”（翻译：第一接触29形成在第二半导体区域25之上。第二接触37直接形成在清除后的第一半导体区域18部分上。） | 对比文件明确形成了与p型区（第二半导体区域25）连接的第一接触29（p接触）和与n型区（第一半导体区域18）连接的第二接触37（n接触）。与目标专利的n接触和p接触结构及功能相同。因此直接公开。 |
| **技术特征M：** 其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《直接公开》 | [0014] “Solder ball 58-2 provides an electrical contact to second contact 37 through solderable layer 31, and solder balls 58-1-i provide electrical contact to first contact 29 through solderable layer 30.” [0013] “Bonding pads 74-1 and 74-2 are deposited overlying semiconductor oxide layer 70, corresponding to first contact 29 and second contact 37, respectively.”（翻译：焊球58-2通过可焊层31提供到第二接触37的电接触，焊球58-1-i通过可焊层30提供到第一接触29的电接触。焊盘74-1和74-2沉积在半导体氧化物层70上，分别对应第一接触29和第二接触37。） | 对比文件公开了互连（焊球）将载体上的金属层（焊盘）连接到n接触（第二接触37）或p接触（第一接触29）。该特征与目标专利的互连连接方式实质相同。因此直接公开。 |
| **技术特征N：** 其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 《未公开》 | 全文未提及该距离参数。 | 对比文件未描述半导体结构顶部表面与载体顶部表面之间的距离，也未给出任何具体数值限定。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征O：** 其中该底部填料包括有机材料 《隐含公开》 | [0033] “Materials suitable for this purpose include … certain gels.”（翻译：适用于此目的的材料包括……某些凝胶。） | 对比文件列举的“gels”通常为有机聚合物材料（如硅胶、环氧树脂凝胶等），但未明确具体成分。本领域技术人员可合理推断底部填料可能包含有机材料，因此隐含公开。 |
| **技术特征P：** 其中该底部填料包括无机材料 《直接公开》 | [0033] “Materials suitable for this purpose include diamond dust, boron nitride, TiO2 paste, and certain gels.”（翻译：适用于此目的的材料包括钻石粉、氮化硼、TiO2糊状物和某些凝胶。） | 钻石粉、氮化硼、TiO2均为无机材料，且对比文件将其作为底部填料的合适材料公开。因此直接公开了底部填料包括无机材料。 |
| **技术特征Q：** 其中该底部填料包括环氧树脂 《未公开》 | 全文未提及环氧树脂。 | 对比文件未公开环氧树脂作为底部填料材料。因此未公开。 |
| **技术特征R：** 其中该底部填料包括硅树脂 《未公开》 | 全文未提及硅树脂。 | 对比文件未公开硅树脂作为底部填料材料。因此未公开。 |
| **技术特征S：** 进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 《未公开》 | 全文未提及硅树脂。 | 对比文件未公开硅树脂，更未公开硅树脂中分散无机颗粒。因此未公开。 |
| **技术特征T：** 其中该至少一个互连包括金 《未公开》 | [0023] “Advantageous choices of metals include Ag, Al, Au, and Cu.”（翻译：金属的有利选择包括Ag、Al、Au和Cu。）但该处描述的是接触层金属，而非互连（焊球）。[0029] “Materials that have the necessary mechanical and chemical properties and have high thermal conductivity include, for example, In, Sn, and the alloys of PbxSn100-x and AgxIn100-x.”（翻译：具有必要机械和化学性质且高热导率的材料包括例如In、Sn以及PbxSn100-x和AgxIn100-x的合金。） | 对比文件中的互连（焊球）材料为焊料（如PbSn、In、Sn等），并未提及金作为互连材料。虽然接触层可使用金，但互连材料明确为焊料。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征U：** 附着包括通过超声焊接进行附着 《未公开》 | 全文未提及超声焊接。 | 对比文件采用焊料回流焊接（[0014]：soldered），未提及超声焊接。因此未公开。 |
| **技术特征V：** 其中该至少一个互连包括焊料 《直接公开》 | [0014] “solder balls 58-1-i and solder ball 58-2” [0029] “solder used in the solder bars” （翻译：焊球58-1-i和焊球58-2；焊料条中使用的焊料） | 对比文件明确公开互连为焊球或焊料条，材料为焊料（如PbSn合金）。因此直接公开。 |
| **技术特征W：** 其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《直接公开》 | [0009] “Substrate 14, such as sapphire, SiC, GaP, or GaAs” “III-nitride LEDs” （翻译：衬底14例如蓝宝石、SiC、GaP或GaAs。III-氮化物LED。） | 对比文件明确公开了半导体结构为III-氮化物，生长基板可以是蓝宝石。因此直接公开。 |
| **技术特征X：** 移除包括通过激光解离进行移除 《未公开》 | 同特征F，全文未提及。 | 对比文件未公开任何移除基板的步骤，更未公开激光解离。因此未公开。 |
| **技术特征Y：** 其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 《未公开》 | 全文未提及。 | 对比文件未涉及激光解离，更未提及激光扫描。因此未公开。 |
| **技术特征Z：** 其中移除包括通过蚀刻进行移除 《未公开》 | 全文未提及移除生长基板。 | 对比文件始终保留生长基板，未公开任何移除基板的方法，包括蚀刻。因此未公开。 |
### 结论
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、K、L、M、P、V、W；隐含公开了技术特征E、G、H、O。其余技术特征F、I、J、N、Q、R、S、T、U、X、Y、Z未被公开。
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