对比文件名称：2005-04-07_WO2005031860A_发明申请_WO2005031860A2 ELECTRONIC DEVICES AND METHODS FOR MAKING SAME USING NANOTUBE REGIONS TO ASSIST IN THERMAL HEAT-SINKING
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) | [p0006] “所述发光二极管10包括一个透明衬底12和沉积在衬底12上的有源层14、16、18。在一个合适的实施例中，透明衬底是蓝宝石或碳化硅……”。 | **未公开**。对比文件公开了在透明衬底（如蓝宝石）上生长半导体有源层（14、16、18），但该衬底是作为器件的一部分（光提取和支撑）永久保留的，而非目标专利中后续需要通过激光解离（LLO）移除的“生长基板”。对比文件中的衬底和半导体结构是一体化的最终器件组件，而目标专利中的“生长基板”是临时性的，最终会被移除。因此，对比文件并未公开“提供在生长基板上生长的半导体结构”这一概念，其中生长基板具有临时性和可移除性。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 | [p0006] “有源层14、16、18定义了一个基于GaN的p-on-n或n-on-p发光二极管结构，其中层14、18是相反导电类型的，而插入的层16定义了一个电子-空穴对复合区域，来自外层14、18的电子和空穴在此复合。” | **直接公开**。对比文件明确描述了半导体结构具有n型层（14或18）、p型层（18或14）以及位于两者之间的发光层（16），该发光层是电子-空穴复合区域。这与目标专利中“置于n型区和p型区之间的发光层”完全一致，且作用相同，均用于发光。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) | [p0006] “该倒装芯片发光二极管管芯10被管芯键合到一个散热支撑组件30上，该组件可以是子基座、印刷电路板等。” [p0007] “在每个导电层34、36上分别设置有一个键合凸点40、42……这些键合凸点40、42用于将倒装芯片发光二极管10管芯键合到支撑组件30上。” [p0007] “纳米管区域52定义了用于将倒装芯片发光二极管10管芯键合到支撑组件30的纳米管键合凸点。” | **直接公开**。对比文件通过纳米管键合凸点（40、42）将发光二极管管芯（10）附着到支撑组件（30）上。该键合凸点（40、42）是导电的（连接电极和导电层），起到电气连接和物理附着的作用，与目标专利中的“导电互连”功能相同。因此，对比文件直接公开了“通过导电互连将半导体结构附着到载体”这一特征。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) | 未公开相关内容。 | **未公开**。对比文件中的键合结构是纳米管凸点，其间隙是空气或真空，并未提及任何在半导体结构和载体之间的空腔中引入电绝缘材料（如底部填料）的步骤或结构。对比文件全文未涉及“底部填料”或类似术语。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 | 未公开相关内容。 | **未公开**。既然对比文件未公开底部填料（特征D未公开），那么其提供刚性支撑的功能自然也未被公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) | 未公开相关内容。 | **未公开**。对比文件完全没有提及移除生长基板（如蓝宝石衬底）的任何步骤，更未涉及激光解离（LLO）这一特定技术。对比文件中的衬底是永久保留在最终器件中的。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体 and 半导体结构之间 | 未公开相关内容。 | **未公开**。对比文件未公开任何形式的底部填料，因此也谈不上以液态形式引入。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 | 未公开相关内容。 | **未公开**。对比文件未公开任何形式的底部填料，因此也谈不上固化步骤。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 | 未公开相关内容。 | **未公开**。对比文件未公开任何形式的底部填料，因此也谈不上预先形成刚性层。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 | 未公开相关内容。 | **未公开**。对比文件未公开任何形式的底部填料层，因此也谈不上在其中形成开口。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 | [p0006] “有源层14、16、18经过加工，优选通过光刻，来定义一个包括最顶层16、18的台面。” | **隐含公开**。对比文件明确对半导体有源层进行光刻加工以形成台面结构。在形成台面结构时，必然会蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露下层的n型区（例如，层14）。这是制造倒装芯片LED的标准工艺，本领域技术人员可以合理推断出该步骤，即为了形成n型接触，必须蚀刻掉部分顶层以暴露n型区。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 | [p0006] “电极20、22分别形成在台面之外和台面之上，以分别电气接触层14、18。” | **直接公开**。对比文件明确形成了电极20和22，分别用于电气接触n型层（14）和p型层（18）。这与目标专利中形成n接触和p接触以分别与n型区和p型区电气连接完全一致，作用相同。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 | [p0006] “支撑组件30包括一个支撑体32，其上设置有导电层34、36。导电层34、36可选地是印刷电路、互连金属化、引线键合焊盘等的一部分。” [p0007] “键合凸点40、42……包括一个金属、金属合金或其他适合成核纳米管生长的材料的催化剂层50。在催化剂层50上生长有包含纳米管54的纳米管区域52。” [p0007] “键合凸点优选地涂覆有管芯键合金属层堆叠60。” | **直接公开**。对比文件公开了支撑组件30上的导电层（34、36），以及位于导电层上的键合凸点（40、42）。这些键合凸点（包括金属层堆叠60）作为导电互连，将支撑组件上的导电层（金属层）连接到LED管芯的电极（n接触和p接触）上，以实现电气连接。这与目标专利中导电互连连接载体上的金属层和半导体接触的作用相同。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 | [p0006] “倒装芯片布置将产生热量的有源层靠近散热衬底或子基座放置”。[p0007] 描述了纳米管键合凸点，其长度可生长至120-150微米。 | **未公开**。对比文件公开了倒装芯片键合，互连耦合到半导体结构的底部表面（即电极所在面）。但未公开半导体结构顶部表面（即衬底表面）与载体顶部表面之间的距离，更未提及该距离小于50微米的具体数值范围。虽然纳米管凸点高度可调节，但对比文件未给出任何关于最终器件总厚度或距离限制的教导。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 | 未公开相关内容。 | **未公开**。对比文件未公开底部填料，因此未公开其材料组成。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 | 未公开相关内容。 | **未公开**。对比文件未公开底部填料，因此未公开其材料组成。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 | 未公开相关内容。 | **未公开**。对比文件未公开底部填料，因此未公开其材料组成。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 | 未公开相关内容。 | **未公开**。对比文件未公开底部填料，因此未公开其材料组成。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 | 未公开相关内容。 | **未公开**。对比文件未公开底部填料，因此未公开其材料组成或添加剂。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 | [p0007] “每个键合堆叠60包括一个钛粘附层62、镍扩散阻挡层64和用作管芯键合层的金层66。” [p0007] “键合是通过热超声金-金键合进行的，其中支撑组件30被加热到约150°C，键合凸点的金层66与发光二极管10的相应电极金层26接触。” | **直接公开**。对比文件明确公开了键合凸点（互连）的最外层是金（Au），并且通过金-金热超声键合。因此，互连包含金这一特征被直接公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 | [p0007] “在一个优选实施例中，管芯键合通过热超声金-金键合进行……在施加超声能量时，金层26、66键合在一起。” | **直接公开**。对比文件明确描述了通过施加超声能量进行键合，即热超声键合，这属于超声焊接的一种。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 | [p0007] “虽然热超声键合是优选的，但也可以选择在管芯键合中使用焊接或其他管芯键合技术。” | **隐含公开**。对比文件直接提及可以使用“焊接”作为管芯键合技术。在半导体封装领域，焊料是用于形成导电互连（如焊球、焊凸点）的常见材料。本领域技术人员可以合理推断，当采用焊接技术时，互连必然包含焊料。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 | [p0006] “在一个合适的实施例中，透明衬底是蓝宝石……有源层14、16、18定义一个基于GaN的p-on-n或n-on-p发光二极管结构。” | **直接公开**。对比文件明确公开了半导体结构是基于GaN（III-氮化物）的，并且生长衬底是蓝宝石。这与目标专利的特征完全一致。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 | 未公开相关内容。 | **未公开**。对比文件全文未提及任何移除生长基板的方法，更未提及激光解离（LLO）。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 | 未公开相关内容。 | **未公开**。对比文件全文未提及任何激光加工步骤。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 | 未公开相关内容。 | **未公开**。对比文件全文未提及移除生长基板的步骤，也未提及通过蚀刻来移除衬底。 |
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