对比文件名称：2004-01-08_JP2004006986A_发明专利_JP2004006986A Reflective interface between light emitting diode layer and bonded wafer
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | [2]段落：“図1を参照すると、本発明を実施する第１の工程は、複数個のＬＥＤ層をその上で順次成長させる第１基板として成長基板３０を選択することである。… 次に四つのＬＥＤ層３２，３４，３６及び３８が成長基板３０上で成長される。” 翻译：参照图1，实施本发明的第一步骤是选择生长基板30作为在其上依次生长多个LED层的第一基板。… 接着在生长基板30上生长四个LED层32、34、36、38。 | 对比文件明确公开了在生长基板（成长基板）上生长LED层，形成半导体结构，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | [2]段落：“ＡｌＧａＩｎＰの能動層となるＬＥＤ層３６は厚さが例えば５００ナノメートルまで成長される。次にｐ−ドーピングされたＡｌＧａＩｎＰの上部密封層となるとともに、第１側面ともなるＬＥＤ層３８の模範的な厚さが例えば８００ナノメートルである。” 以及“ｎ−ドーピングされた下部のＡｌＧａＩｎＰ密封層が成長される。” 翻译：成为AlGaInP主动层的LED层36生长至例如500纳米厚度。接着，成为p型掺杂AlGaInP上部密封层且也成为第一侧面的LED层38的示例厚度为例如800纳米。… n型掺杂的下部AlGaInP密封层被生长。 | 对比文件公开了n型密封层、主动层（发光层）、p型密封层，发光层位于n型区和p型区之间，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《未公开》 | [2]段落：“図３は透明層として使用され、また永久基板でもある導電性、透光性基板４２が緩衝層であるＬＥＤ層３２にウェーハ接合された実施例を示している。” 翻译：图3示出了透明层使用且也是永久基板的导电透光性基板42被晶圆键合到作为缓冲层的LED层32的实施例。 | 对比文件公开的附着方式是晶圆键合，是一种直接接触的键合技术，而非通过至少一个导电互连（如焊料凸点或金凸点）进行附着。该特征既未直接公开也未隐含公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未描述在半导体结构和载体之间引入电绝缘底部填料，也未提及任何空腔或填充物，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《未公开》 | 无相关记载。 | 理由同特征D，对比文件未公开任何底部填料及其支撑作用，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) 《未公开》 | [2]段落：“一時的成長基板を除去する方法は限定的なものではなく、別な方法には化学エッチング、ラップ研磨／研磨、反応性イオン・エッチング及びイオン摩砕が含まれる。” 翻译：移除临时生长基板的方法并不限定，其他方法包括化学蚀刻、研磨/抛光、反应离子蚀刻和离子研磨。 | 对比文件明确列举了多种移除方法，但未包括激光解离，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体 and 半导体结构之间 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及任何底部填料的引入步骤，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及液态材料固化，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及在附着前形成刚性底部填料层，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及刚性底部填料层中的开口，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《未公开》 | [2]段落：“ウェーハ接合される少なくとも一つのウェーハ表面が、ウェーハの電気的及び／又は光学的特性が選択的に変化するようにパターン形成される。例えば、ＬＥＤの能動領域に所望の電流経路を形成するためにウェーハ・ボンディングに先立って選択された領域に窪みを形成してもよい。” 翻译：至少一个待晶圆接合的晶圆表面被图案化，使得晶圆的电学和/或光学特性选择性变化。例如，为了在LED的有源区形成期望的电流路径，可以在晶圆键合之前在选择区域形成凹陷。 | 对比文件虽然提到在键合前进行图案化形成凹陷，但未明确描述蚀刻掉p型区和有源区以暴露n型区的具体步骤，该特征涉及特定结构，未被公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《隐含公开》 | [2]段落：“電極４４が例えば蒸着によって上部密封層であるＬＥＤ層３８上に形成される。… 第２電極４６は導電性、透光性基板４２上に形成される。” 翻译：电极44例如通过蒸镀形成在作为上部密封层的LED层38上。… 第二电极46形成在导电透光性基板42上。 | 对比文件公开了在LED结构的不同侧形成电极，本领域技术人员可以理解需要形成与n型区和p型区电气连接的接触以驱动LED，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《未公开》 | [2]段落：“図3では、導電性、透光性基板４２がＬＥＤ層３２にウェーハ接合されている。… 第２電極４６は導電性、透光性基板４２上に形成される。” 翻译：在图3中，导电透光性基板42被晶圆键合到LED层32。… 第二电极46形成在导电透光性基板42上。 | 对比文件中，载体本身是导电透光基板，直接作为电极，不存在载体上形成的金属层通过互连连接到接触的结构，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及互连与半导体结构底部表面的耦合，也未提及距离小于50微米，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及底部填料的材料，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及底部填料的材料，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及环氧树脂，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及硅树脂，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及任何颗粒填充，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及互连的材料，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 《未公开》 | [2]段落：“図３は透明層として使用され、また永久基板でもある導電性、透光性基板４２が緩衝層であるＬＥＤ層３２にウェーハ接合された実施例を示している。” 翻译：图3示出了透明层使用且也是永久基板的导电透光性基板42被晶圆键合到作为缓冲层的LED层32的实施例。 | 对比文件公开的附着方式是晶圆键合，涉及加热加压，而非超声焊接，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未提及互连的材料，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《未公开》 | [2]段落：“成長基板３０の例は厚さが２５０ないし５００μｍの範囲内のＧａＡｓ基板である。” 翻译：生长基板30的示例是厚度在250至500μm范围内的GaAs基板。 | 对比文件中的生长基板是GaAs，半导体结构是AlGaInP等，并非III-氮化物结构，生长基板也不是蓝宝石，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 《未公开》 | 同特征F，无激光解离记载。 | 理由同特征F，对比文件未公开激光解离移除方法，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及激光扫描，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 《直接公开》 | [2]段落：“一時的成長基板を除去する方法は限定的なものではなく、別な方法には化学エッチング、ラップ研磨／研磨、反応性イオン・エッチング及びイオン摩砕が含まれる。” 翻译：移除临时生长基板的方法并不限定，其他方法包括化学蚀刻、研磨/抛光、反应离子蚀刻和离子研磨。 | 对比文件明确公开了通过化学蚀刻（化学エッチング）移除生长基板，蚀刻是移除方法之一，因此该特征被直接公开。 |
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