A 包括以下步骤，通过在台面的顶上提供电学p接触（7）来形成p型台面（4）

B 通过用至少重叠在台面的p-n结之上的电绝缘钝化层（11）覆盖台面来形成n型台面（28）

C 在VCSEL芯片（1）的连接侧上沉积去润湿层（13）

D 在基板（2）的连接侧上沉积另外的去润湿层（13）

E 采用图案化的设计沉积所述去润湿层（13）或者在沉积之后图案化所述去润湿层（13）以限定基板（2）和VCSEL芯片（1）上的对应的连接区域（21、14）

F 其中连接区域（21、14）为焊料（15）提供润湿表面

G 将焊料（15）应用到两个连接侧中的至少一个的连接区域（21、14）

H 将VCSEL芯片（1）放置在基板（2）上

I 在无需相对于基板（2）固定VCSEL芯片（1）的情况下将VCSEL芯片（1）焊接到基板（2）以允许VCSEL芯片（1）在基板（2）上通过熔化的焊料（15）的表面张力的移动

J 其中VCSEL芯片（1）包括底部发射器VCSEL阵列其以它的台面侧焊接到基板（2）

K 其中在去润湿层（13）在VCSEL芯片（1）的连接侧上的沉积之前沉积第一金属层（10）

L 其被电连接到VCSEL的n接触（6）并且重叠n型台面（28）

M 所述n接触形成VCSEL的p型台面（4）之间的传导网络以用于电连接VCSEL并且在p型台面（4）之上均等地分布电流

N 其中与第一金属层（10）同时地沉积第二金属层（12）以重叠p型台面（4）和p接触（7）

O 第一金属层（10）和第二金属层（12）使VCSEL芯片（1）在机械上稳定

P 使得到n接触（6）的电连接与p接触（7）在相同高度处