**对比文件名称**：JP2016111010A_Description_20260618_1849
**目标专利名称**：用于显示装置或柔性显示装置的基底以及使用其的显示装置或柔性显示装置（CN115884949B）
**本次调用的模型名称**：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：Td 1％为570℃或更高以及黄度指数为25或更大且60或更小的第一聚酰亚胺树脂层<br>**未公开** | 对比文件全文未记载第一聚酰亚胺膜的Td 1%或黄度指数数值。 | 对比文件仅提及第一PI膜为含氟聚酰亚胺，未涉及热分解温度或黄度指数，更未公开570℃以上的Td 1%或25‑60的黄度指数。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该特征。 |
| **技术特征B**：黄度指数小于25的第二聚酰亚胺树脂层<br>**未公开** | 对比文件记载“第二ＰＩ膜１４”形成在第二无机膜上，但未给出其黄度指数。 | 对比文件未公开第二PI膜的任何黄度指数数值，也未暗示其小于25。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征C**：第一无机材料层<br>**《直接公开》** | 【段落】第二無機膜１３（第二无机膜）为含硅无机膜，例如氮化硅、氧化硅等。<br>原文：“少なくとも一部にシリコンを含む第二無機膜を前記第一ポリイミド膜上に形成する工程”（在所述第一聚酰亚胺膜上形成至少一部分含有硅的第二无机膜的工序）。 | 对比文件明确公开了在聚酰亚胺膜上形成无机材料层（第二无机膜），该层即为目标专利中的第一无机材料层（位置对应第一PI与第二PI之间）。本领域技术人员能毫无疑义地确定该层为无机材料层。 |
| **技术特征D**：所述第一无机材料层定位在所述第一聚酰亚胺树脂层与所述第二聚酰亚胺树脂层之间<br>**《直接公开》** | 【步骤S13、S14】第二无机膜13成膜后，在第二无机膜13上形成第二PI膜14，因此第二无机膜13位于第一PI膜12与第二PI膜14之间。<br>原文：“第二無機膜１３の成膜後、第二ＰＩ膜１４を成膜する（Ｓ１４）”。 | 对比文件中的第二无机膜（13）恰好位于第一PI膜（12）和第二PI膜（14）之间，与目标专利第一无机材料层的定位完全相同。因此直接公开。 |
| **技术特征E**：具有100nm或更大且700nm或更小的厚度<br>**《直接公开》** | 【段落】第二無機膜１３の厚さは２００ｎｍに形成される。<br>原文：“第二無機膜１３は、２００ｎｍの厚さに成膜される”。 | 对比文件第二无机膜厚度为200nm，落入100‑700nm范围内，直接公开该厚度范围。 |
| **技术特征F**：和第二无机材料层<br>**《直接公开》** | 【步骤S15】第三無機膜１５（第三无机膜）成膜在第二PI膜14上。<br>原文：“第二ＰＩ膜１４の成膜後、第二ＰＩ膜１４上を覆うように第三無機膜１５を成膜する”。 | 对比文件公开了在第二PI膜上形成无机材料层（第三无机膜），该层即对应于目标专利的第二无机材料层，因此直接公开。 |
| **技术特征G**：所述第二无机材料层形成在所述第二聚酰亚胺树脂层上<br>**《直接公开》** | 【步骤S15】第三无机膜15形成在第二PI膜14上，覆盖其表面和侧面。<br>原文：“第三無機膜１５を成膜する（Ｓ１５）”。 | 对比文件明确第三无机膜直接形成在第二PI膜上，位置关系与目标专利一致，直接公开。 |
| **技术特征H**：具有100nm或更大且500nm或更小的厚度<br>**《直接公开》** | 【段落】第三無機膜１５は、２００ｎｍの厚さに成膜される。<br>原文：“第三無機膜１５は、ここではＳｉＮ膜であり、２００ｎｍの厚さに成膜される”。 | 对比文件第三无机膜厚度为200nm，落入100‑500nm范围内，直接公开。 |
| **技术特征I**：其中所述第一聚酰亚胺树脂层和所述第二聚酰亚胺树脂层各自的黄度指数是基于10±1μm的厚度测量的<br>**未公开** | 对比文件未涉及黄度指数的测量方法或厚度依赖性。 | 对比文件未记载任何关于黄度指数测量的技术内容，更未公开基于10±1μm厚度的测量方式，因此未公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述Td 1％为在以下条件下测量当聚酰亚胺树脂层的重量减少率为1％时的温度：<br>**未公开** | 对比文件未提及Td 1％或相关测量条件。 | 对比文件完全没有涉及热分解温度测量，未公开任何测量条件，故未公开。 |
| **技术特征K**：在50℃下保持等温5分钟<br>**未公开** | 对比文件无相关描述。 | 见特征J |
| **技术特征L**：并在将温度升至200℃之后，保持等温30分钟<br>**未公开** | 同上 | 同上 |
| **技术特征M**：在冷却至50℃然后稳定之后，以10℃/分钟的速率将温度升至600℃<br>**未公开** | 同上 | 同上 |
| **技术特征N**：在稳定之后，基于在100℃下的质量计算当重量减少率为1％时的温度<br>**未公开** | 同上 | 同上 |
| **技术特征O**：其中：整个用于显示装置或柔性显示装置的基底的黄度指数为36或更小<br>**未公开** | 对比文件未给出基底整体的黄度指数值。 | 对比文件未公开或暗示基底整体的黄度指数范围，更未提到36或更小的数值。 |
| **技术特征P**：其中：对于整个用于显示装置或柔性显示装置的基底，<br>**未公开** | 无。 | 该组特征均未在对比文件中记载。 |
| **技术特征Q**：在将温度升高2小时至430℃，<br>**未公开** | 无。 | 对比文件涉及制造过程中的加热（如烧成），但未公开具体的430℃‑2小时的条件及后续黄度指数。 |
| **技术特征R**：经历2小时430℃下等温过程，<br>**未公开** | 无。 | 同上 |
| **技术特征S**：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数为50或更小<br>**未公开** | 无。 | 同上 |
| **技术特征T**：其中：在将温度升高2小时至430℃，<br>**未公开** | 无。 | 同上 |
| **技术特征U**：经历2小时430℃下等温过程，<br>**未公开** | 无。 | 同上 |
| **技术特征V**：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数为30或更大且50或更小<br>**未公开** | 无。 | 同上 |
| **技术特征W**：其中：基于整个用于显示装置或柔性显示装置的基底的初始黄度指数，<br>**未公开** | 无。 | 对比文件未涉及任何黄度指数变化百分比的概念。 |
| **技术特征X**：在将温度升高2小时至430℃，<br>**未公开** | 无。 | 同上 |
| **技术特征Y**：经历2小时430℃下等温过程，<br>**未公开** | 无。 | 同上 |
| **技术特征Z**：然后冷却2小时至50℃的热处理步骤之后的黄度指数的百分比为130％或更小<br>**未公开** | 无。 | 对比文件未公开任何黄度指数变化数据。 |
### 公开性汇总
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征C、D、E、F、G、H。
<<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<G>>><<<H>>>