对比文件名称：2010-06-03_KR1020100058501A_发明公开_KR1020100058501A 배터리 셀 구성 및 배터리 셀 구성 방법
目标专利名称：1500圆柱形二次电池及其制造方法CN113711404B
本次调用的模型名称：大语言模型（GPT-4）
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### 特征比对表格
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断结果 | 第二栏：对比文件原文引用（中文翻译，附段落标号） | 第三栏：公开性论述 |
| 特征A：第一绝缘层 《直接公开》 | [0019]：“绝缘盘(3)包括供集电接片穿过并延伸的槽(3a)。”<br>[0038]：“在果冻卷的端部上布置绝缘盘(3)。” | 对比文件公开了绝缘盘3，该绝缘盘由绝缘材料形成，安装在电极组件（果冻卷）的端部，其功能是防止接片与相反电极接触短路，相当于目标专利的第一绝缘层。本领域技术人员能毫无疑义地确定该绝缘盘即为第一绝缘层。 |
| 特征B：所述第一绝缘层安装在所述电极组件的上端部处 《直接公开》 | [0038]：“在果冻卷的端部上布置绝缘盘(3)。” | 对比文件明确绝缘盘布置在果冻卷的端部（即上端部），特征B被直接公开。 |
| 特征C：具有供一个电极接片穿过的一个第一通孔 《隐含公开》 | [0019]：“绝缘盘(3)包括供集电接片穿过并延伸的槽(3a)。”<br>[0054]：“多个槽(702)……具有约90度至120度范围的圆弧形槽。” | 对比文件公开了绝缘盘上的槽（通孔）用于接片穿过，但绝缘盘设有多个槽。然而，本领域技术人员可以合理推断当仅使用一个电极接片时，可在绝缘盘上设置对应的一个第一通孔供其穿过。因此特征C被隐含公开。 |
| 特征D：和第二绝缘层 《直接公开》 | [0057]：“接片绝缘体(1400)可以具有第一绝缘构件(1402)和第二绝缘构件(1412)。” | 对比文件明确公开了第二绝缘构件（对应于第二绝缘层），该第二绝缘构件可以与第一绝缘构件组合使用。特征D被直接公开。 |
| 特征E：所述第二绝缘层安装在所述第一绝缘层的上端处 《未公开》 | [0060]：“两个绝缘构件同心布置，因此设有槽的小绝缘构件配置在大的第二绝缘构件(1412)的开口(1414)内。” | 对比文件中的两个绝缘构件是同心嵌套关系（内环在外环开口内），并非一个安装在另一个的上端。该结构与目标专利的上下层叠安装方式不同，且无任何暗示可以改为上下叠放。特征E未被公开。 |
| 特征F：具有与所述电极组件的中心位置对应形成的一个第二通孔 《未公开》 | [0057]：“绝缘构件(1412)可以在其中央具有开口(1414)。”但该开口用于供电池单元杆通过；接片穿过的是该构件上的槽(1416a-c)，这些槽位于偏离中心的位置。 | 对比文件的第二绝缘构件（外环）上虽有中心开口，但其功能并非作为接片穿过的第二通孔。接片通过的是位于偏离中心的弧形槽。因此对比文件没有公开与中心位置对应的第二通孔。特征F未被公开。 |
| 特征G：其中穿过所述第一通孔的所述一个电极接片被弯折 《直接公开》 | [0038]：“首先，所有四个接片在绝缘盘(3)上方朝果冻卷的中心轴弯曲。”<br>[0047]：“电极中央的一个接片可以类似作用。” | 对比文件明确描述了穿过绝缘盘槽的接片被弯曲朝向中心轴，该弯曲动作同样适用于单个接片。本领域技术人员能毫无疑义地确定穿过第一通孔的接片被弯折。特征G被直接公开。 |
| 特征H：以便穿过所述第二通孔 《未公开》 | [0038]：接片弯曲后进一步实施步骤3（垂直弯曲），未涉及穿过另一通孔。<br>[0060]：接片先穿过内环和外环的槽，然后向中心弯曲，弯曲后不再穿过其他通孔。 | 对比文件的所有实施例中，接片在弯折后没有设置再穿过第二通孔的步骤，而是直接进行连接。因此特征H未被公开。 |
| 特征I：其中穿过所述第二通孔的所述一个电极接片具有垂直于所述第二绝缘层设置并且从所述电极组件的中心伸出的形状 《未公开》 | [0038]：“所有接片……相对于中心轴平行，在中心轴处相对于盘面弯曲约90度。”接片最终垂直并从中心伸出，但未提及第二通孔。 | 虽然对比文件公开了接片最终垂直并从中心伸出的形状，但目标专利要求该形状在穿过第二通孔后实现，而对比文件缺乏第二通孔这一前提。因此特征I整体未被公开。 |
| 特征J：其中所述第一通孔形成在所述第一绝缘层的中心之外的位置处 《直接公开》 | [0054]：“多个槽(702)……具有约90度至120度范围的圆弧形槽。”这些槽显然位于绝缘盘的中心之外。 | 对比文件的槽（相当于第一通孔）设置于绝缘盘的边缘区域，远离中心。特征J被直接公开。 |
| 特征K：所述第一通孔和所述第二通孔彼此不重叠 《直接公开》 | 对比文件图14‑15显示内绝缘构件上的槽（第一通孔）和外绝缘构件上的槽（第二通孔）位于不同的径向位置，相互错开；[0057]至[0060]描述了槽分别设置在不同半径上。 | 根据对比文件的图示和文字描述，本领域技术人员可以直接确定两种通孔在投影方向上互不重叠。特征K被直接公开。 |
| 特征L：其中所述一个电极接片在卷绕之前位于所述电极组件的中心；并且中所述第一绝缘层仅具有一个通孔 《未公开》 | [0036]~[0038]：接片在卷绕后通过弯曲才到达中心，未提及卷绕前位置。<br>[0019]/[0054]：绝缘盘设有多个槽（通孔），非仅一个。 | 对比文件没有公开电极接片在卷绕前已位于中心，而是卷绕后通过弯曲汇集到中心；同时第一绝缘层具有多个通孔，并非仅一个。因此特征L未被公开。 |
| 特征M：即所述第一通孔 《无需单独判断》 | 该特征是对特征L中“第一通孔”的进一步指明，不构成独立技术特征。 | — |
| 特征N：其中所述第一通孔和所述第二通孔分别具有直通孔结构 《未公开》 | [0054]：“圆弧形槽(702)”。 | 对比文件的槽为圆弧形，不是直的，因此不满足“直通孔”的定义。特征N未被公开。 |
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