对比文件名称：KR20070071244A_Description_20260618_1955
目标专利名称：圆柱形二次电池及其制造方法CN113711404B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
## 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（韩文→中文翻译，含段落标号） | 公开性论述 |
| **技术特征A：第一绝缘层《直接公开》** | [0011] “241 - 상절연판” → “241 – 上绝缘板”。<br>[0039] “상기 전극 조립체(200)의 상부 및 하부에는 각각 캡조립체(400) 또는 원통형 캔(300)과의 접촉을 방지하기 위한 절연판(241, 245)이 더 포함되어 형성될 수 있다。” → “在电极组件(200)的上部和下部分别还可包括用于防止与盖组件(400)或圆筒形罐(300)接触的绝缘板(241、245)。” | 对比文件明确公开了上绝缘板（상절연판）241，该部件由绝缘材料制成，安装在电极组件与盖组件之间，起到绝缘隔离作用。其基本结构与目标专利的第一绝缘层相对应，且安装位置均位于电极组件上端部，因此直接公开技术特征A。 |
| **技术特征B：第一绝缘层安装在电极组件的上端部处《直接公开》** | [0039] 同上，明确指出上绝缘板（241）位于电极组件的上部（상부）。 | 对比文件记载上绝缘板布置在电极组件的上端（与盖组件之间），这与目标专利中第一绝缘层安装于电极组件上端部的技术方案一致，直接公开特征B。 |
| **技术特征C：具有供一个电极接片穿过的一个第一通孔《直接公开》** | [0012] “양극탭용 홀(243)” → “正极引线孔(243)”。<br>[0043] “양극 탭(215)이 빠져나오는 통로가 되는 양극탭용 홀(243)” → “成为正极引线(215)穿出通道的正极引线孔(243)”。 | 对比文件的上绝缘板上明确设置了一个专用的正极引线孔（양극탭용 홀 243），该孔是供一个电极接片（正极引线）穿过的通孔，且该孔的数量为一个，直接公开特征C。 |
| **技术特征D：和第二绝缘层《直接公开》** | [0011] “245 - 하절연판” → “245 – 下绝缘板”。<br>[0039] 同A引用，提及上、下两个绝線板（241，245）。 | 对比文件除了上绝缘板之外，还公开了下绝缘板（하절연판）245，该下绝缘板是与上绝缘板不同的另一绝缘层。因此，对比文件直接公开了存在第二绝缘层，符合特征D。 |
| **技术特征E：第二绝缘层安装在第一绝缘层的上端处《未公开》** | 无。对比文件中下绝缘板（245）安装于电极组件下部（与罐底部接触），上绝缘板（241）之上并无其他绝缘层。 | 对比文件中的第二绝缘层（下绝缘板）位于电极组件底部，并非安装在上绝缘板的上端；且上绝缘板上方直接为盖组件，不存在另一绝缘层。没有记载或暗示将第二绝缘层叠放在第一绝缘层上端，故特征E未公开。 |
| **技术特征F：具有与电极组件的中心位置对应形成的一个第二通孔《未公开》** | [0046] “하절연판(245)에는 … 중공(248)이 형성되어 있다。” → “下绝缘板(245)上形成有中心孔(248)”。<br>该中心孔与电极组件中心对应。 | 虽然下绝缘板（第二绝缘层）具有一个位于中心的通孔（중공 248），但该孔在对比文件中的作用是容纳中心销，并非用于供电极接片穿过；更重要的是，该下绝缘板并不安装在第一绝缘层的上端（不符合特征E），因此特征F所限定的“第二绝缘层”（具有E所述位置关系的）以及其上的第二通孔并未被公开。 |
| **技术特征G：其中穿过第一通孔的一个电极接片被弯折《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未描述穿过上绝缘板正极引线孔（第一通孔）的电极接片被弯折的过程或最终弯折状态，特征G未公开。 |
| **技术特征H：以便穿过所述第二通孔《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未提及电极接片在弯折后穿过第二绝缘层上的第二通孔的结构或步骤，特征H未公开。 |
| **技术特征I：穿过第二通孔的电极接片具有垂直于第二绝缘层设置并且从电极组件中心伸出的形状《未公开》** | 无相关记载。 | 对比文件未公开接片最终从电极组件中心垂直伸出的形态，特征I未公开。 |
| **技术特征J：第一通孔形成在第一绝缘层的中心之外的位置处《直接公开》** | [0012] 结合附图：上绝缘板中心形成有中공(244)，而正极引线孔(243)偏离该中心设置。说明书[0043]提及양극탭용 홀(243)，结合中공(244)的位置可知该孔位于中心之外。 | 对比文件的上绝缘板（第一绝缘层）的中心设置有用于中心销的孔（중공 244），而用于正极接片穿过的通孔（양극탭용 홀 243）则位于中心以外的位置，直接公开特征J。 |
| **技术特征K：第一通孔和第二通孔彼此不重叠《直接公开》** | 第一通孔（上绝缘板上的正极引线孔）位于偏离中心位置；第二通孔（下绝缘板上的中心孔）位于底部中心位置；两者在竖直方向上不重叠。 | 对比文件中，第一通孔（正极引线孔）和第二通孔（下绝缘板中心孔）分处不同绝缘板的不同位置，其一侧偏、一居中，在竖直投影上必然不重叠，直接公开特征K。 |
| **技术特征L：一个电极接片在卷绕之前位于电极组件的中心；并且第一绝缘层仅具有一个通孔《未公开》** | 无相关记载。对比文件的上绝缘板具有多个通孔（电解液孔242、正极引线孔243、中心孔244）。 | 对比文件未公开电极接片在卷绕前的中心位置，且其第一绝缘层（上绝缘板）具有多个通孔，并非仅有一个通孔，故特征L未公开。 |
| **技术特征M：即所述第一通孔《直接公开》** | 同特征C的引用：正极引线孔(243)。 | 对比文件明确公开了第一通孔（正极引线孔）这一结构，与特征M相同，直接公开。 |
| **技术特征N：第一通孔和第二通孔分别具有直通孔结构《直接公开》** | 对比文件图3a、图4a显示正极引线孔（243）和中心孔（248、244）均为贯穿绝缘板的直孔；说明书称其为“홀”或“중공”。 | 第一通孔（正极引线孔）和第二通孔（下绝缘板中心孔）均呈直通孔形状，垂直贯穿绝缘层，直接公开特征N。 |
基于上述特征比对结果，对比文件直接公开的技术特征代码为：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<J>>><<<K>>><<<M>>><<<N>>>
（特征E、F、G、H、I、L未被直接或隐含公开，故不输出对应代码）