**对比文件名称**：锂离子二次电池用电极、其制造方法以及锂离子二次电池（CN103109404A）
**目标专利名称**：负极和包括所述负极的二次电池（CN114730859B）
**模型名称**：DeepSeek AI
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## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（英文翻译）及段落标号 | 公开性论述 |
| **特征A《直接公开》**：包括负极集电器 | 【0057】集电体能够使用铜制及镍制的箔、冲压金属、网、扩展金属等，但通常是使用铜箔。集电体的厚度优选为5～30μm。（原文：集電体には、銅製及びニッケル製の箔、パンチングメタル、網、エキスパンドメタル等が使用できるが、通常は銅箔が使用される。集電体の厚さは、5～30μmが好ましい。） | 对比文件明确公开了负极集电器（铜箔），本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件公开了该特征。 |
| **特征B《直接公开》**：设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层 | 【0019】本发明的电极具有包含能吸藏并放出Li的活性物质粒子、导电助剂及树脂制粘合剂的电极合剂层，具有该电极合剂层例如在集电体的单面或两面上形成的结构。（原文：本発明の電極は、Liを吸蔵・放出できる活物質粒子と、導電助剤と、樹脂製結着剤とを含む電極合材層を備え、該電極合材層が、例えば集電体の片面又は両面上に形成された構造を有する。） | 对比文件明确公开了在集电体（负极集电器）上设置电极合剂层（相当于负极活性材料层），且该层直接设置在集电体上。该层可视为第一负极活性材料层，因此特征B直接被公开。 |
| **特征C**：和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层 | ❌ 对比文件全文仅公开单层电极合剂层结构，未提及在第一活性材料层上再设置第二活性材料层。无相关记载。 | 对比文件未公开任何多层活性材料层的结构，本领域技术人员无法从中获得形成第二活性材料层的任何直接或暗示性教导。因此该特征未公开。 |
| **特征D**：其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂；并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂 | ❌ 对比文件公开了单层电极合剂层包括活性物质和导电剂（如【0015】），可视为第一层部分内容，但完全未公开第二活性材料层及其组成。无相关记载。 | 对比文件仅公开单层结构中的活性材料与导电剂，未公开第一层与第二层的区分以及第二层的组成，因此特征D未公开。 |
| **特征E《直接公开》**：其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料 | 【0039】在将本发明的电极作为锂离子二次电池用负极来使用时，在活性物质粒子中能够使用……可与锂合金化的金属（Si、Sn等）、含有这些金属的材料（合金、氧化物等）等的粒子。（原文：本発明の電極をリチウムイオン二次電池用負極として用いる場合、活物質粒子としては……リチウムと合金化し得る金属（Si、Sn等）又はこれらを含む材料（合金、酸化物等）等の粒子を使用できる。）<br>【0040】在上述的负极活性物质中，特别是在争取电池的高容量化上，优选使用在构成元素中包含Si和O的材料（SiOp，0.5≤p≤1.5）。（原文：上記の負極活物質の中でも、特に電池の高容量化を図る上では、構成元素としてSiとOを含む材料が好ましく使用できる。）<br>实施例9使用了SiO作为负极活性物质。 | 对比文件清楚公开了负极活性材料可使用硅基材料（Si、SiO等），因此特征E被直接公开。 |
| **特征F《直接公开》**：所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2) | 【0040】……优选使用在构成元素中包含Si和O的材料（SiOp，其中O相对于Si的原子比p为0.5≤p≤1.5）。（原文：……構成元素としてSiとOを含む材料（SiOp（但し、Siに対するOの原子比pは、0.5≦p≦1.5））が好ましく使用できる。）<br>实施例9明确使用SiO（p≈1）。 | 对比文件公开的SiOp满足0≤x<2（x=p，0.5-1.5），并具体使用了SiO，因此特征F被直接公开。 |
| **特征G**：所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构 | 【0011】通常，碳纳米管是集中大约几根来形成捆束（束）……（原文：カーボンナノチューブは、通常数本程度が集まってバンドル（束）を形成しているが……。）<br>【0020】经过DNA的作用而由捆束拆解开的状态的碳纳米管。（原文：DNAの働きによりバンドルから解された状態のカーボンナノチューブ。） | 对比文件虽然提及了碳纳米管捆束（即单元并排结合的结构），但其技术方案明确教导将捆束拆解成单根分散状态，并极力避免捆束存在于最终电极中。本领域技术人员从对比文件无法得出将“碳纳米管结构”（即未拆开的捆束）作为导电剂包含在第二负极活性材料层中的技术方案。因此特征G未公开（直接或隐含）。 |
| **特征H**：所述碳纳米管结构以0.01重量％至1.0重量％的量被包括在所述第二负极活性材料层中 | ❌ 对比文件【0028】公开相对于100质量份活性物质粒子，碳纳米管含量为0.001-5质量份，但未提及重量百分比范围，且第二层不存在，碳纳米管结构未公开。 | 由于对比文件未公开碳纳米管结构在第二层中的存在，且含量条件未直接对应于层总重，故特征H未公开。 |
| **特征I《直接公开》**：所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种 | 【0025】在本发明的电极中的碳纳米管中，能够使用单壁碳纳米管和多壁碳纳米管中的任一种。（原文：本発明の電極におけるカーボンナノチューブとしては、単層カーボンナノチューブ及び多層カーボンナノチューブの何れも使用できる。）<br>实施例5同时使用了碳纳米管和乙炔黑（粒子状导电助剂），但导电剂整体仍包含碳纳米管。 | 对比文件明确公开了第一导电剂（单层中的导电剂）可以包含多壁碳纳米管单元（多層カーボンナノチューブ）。由于特征I为“选自由……至少一种”，多壁碳纳米管单元为选项之一且被公开，因此特征I被直接公开。 |
| **特征J**：其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构 | ❌ 对比文件未公开第二活性材料层中的碳纳米管结构，也未公开由这种特定结构形成的网络。虽有【0034】提到碳纳米管可形成导电路径，但并非针对捆束结构互连网络。 | 由于第二层及碳纳米管结构均未公开，网络结构更无从谈起，故特征J未公开。 |
| **特征K**：其中在所述碳纳米管结构中 | ❌ 无独立对应内容，且碳纳米管结构未公开。 | 对比文件未公开碳纳米管结构，故该特征无法成立。 |
| **特征L**：所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合 | 【0011】通常，碳纳米管是集中大约几根来形成捆束（束）……（原文：カーボンナノチューブは、通常数本程度が集まってバンドル（束）を形成しているが……。） | 对比文件提及的“捆束”本质上是单壁碳纳米管单元长轴平行排列结合而成，本领域技术人员可以合理推断出该结合状态。但该捆束并非作为第二导电剂存在于电极层中，且对比文件意图将其拆解，因此该特征仅被隐含公开（作为对原料捆束状态的描述）。 |
| **特征M**：其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm | ❌ 对比文件【0026】公开单根碳纳米管的平均长度为50nm至5μm（优选1μm至3μm），并非碳纳米管结构（捆束）的长度。 | 对比文件未公开碳纳米管结构的长度，且单根长度范围与特征M不直接对应，故特征M未公开。 |
| **特征N**：其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm | ❌ 理由同特征M。 | 对比文件未给出任何与碳纳米管结构长度有关的信息，故特征N未公开。 |
| **特征O**：其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm | ❌ 对比文件未公开碳纳米管结构的直径。 | 对比文件未涉及碳纳米管结构的直径，故特征O未公开。 |
| **特征P**：其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm | ❌ 理由同特征O。 | 对比文件未公开，故特征P未公开。 |
| **特征Q**：其中在所述碳纳米管结构中 | ❌ 同特征K。 | 无对应公开。 |
| **特征R《隐含公开》**：所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm | 对比文件【0025】提到可使用单壁碳纳米管，但未具体给出直径范围。 | 本领域技术人员熟知单壁碳纳米管的典型直径范围即为0.5nm至10nm，这是公知常识。对比文件提及使用单壁碳纳米管，本领域技术人员可以合理联想到其直径落入该范围，因此特征R被隐含公开。 |
| **特征S**：其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构 | 【0011】通常，碳纳米管是集中大约几根来形成捆束（束）……（原文：カーボンナノチューブは、通常数本程度が集まってバンドル（束）を形成しているが……。） | 对比文件仅提及“数本”（几根），通常理解为2-10根左右，并未明确公开2-50根的范围，且该捆束并非作为最终电极中的导电剂结构存在。因此特征S未公开。 |
| **特征T《直接公开》**：其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm | 【0032】在负极是以石墨为负极活性物质的情况下……优选电极合剂层的厚度……为80μm以上，更优选为100μm以上。<br>【0033】……优选电极合剂层的厚度为200μm以下，更优选为150μm以下。<br>实施例1：负极合剂层的厚度为98μm。（原文：負極合材層の厚さは98μmであった。） | 对比文件的负极合剂层可视为第一负极活性材料层，其实施例厚度98μm落入1-100μm范围内，且优选范围80-200μm也包括在该范围内，因此特征T被直接公开。 |
| **特征U**：其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm | ❌ 对比文件未公开第二负极活性材料层。 | 无任何相关记载，故特征U未公开。 |
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**直接公开特征代码**：<<<A>>><<<B>>><<<E>>><<<F>>><<<I>>><<<T>>>
**隐含公开特征代码**：<<<l>>><<<r>>>