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对比文件列表
2002-06-27_US2002082683A_发明申请_US20020082683A1 Radiopaque markers for implantable prostheses_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U+++.docx
2026-07-03 00:57
2013-04-25_JP2013077391A_发明专利_JP2013077391A Negative electrode for lithium ion secondary battery, and lithium ion secondary battery including the negative electrode for lithium ion secondary battery_+++A_B_C_T_U_d+++.docx
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2013-12-26_US2013344382A_发明申请_US20130344382A1 LI-ION BATTERY POSITIVE PLATE STRUCTURE_+++A_B_C_D_E_F_T_U_i+++.docx
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2014-01-09_JP2014003015A_发明专利_JP2014003015A Pole piece structure of lithium ion battery anode_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2014-05-07_GB2507535A_发明专利_GB2507535A Multilayer electrode for metal ion battery_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-01-19_JP2015011959A_发明专利_JP2015011959A リチウムイオン二次電池_+++A_B_C_D_E_F_i+++.docx
2026-07-03 00:57
2015-07-27_KR1020150086288A_发明公开_KR1020150086288A 장치 및 장치의 형성 방법_+++A_B_C_D_E_T_U+++.docx
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2015-09-02_CN104885262A_发明公开_CN104885262A 装置和形成装置的方法_+++A_B_C_D_E_T_U+++.docx
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2015-09-09_EP2915204A_发明公开_EP2915204A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-10-01_US2015280221A_发明申请_US20150280221A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-10-07_KR101558647B_发明授权_KR101558647B1 SiOx―탄소나노튜브 복합체를 포함하는 음극 활물질 및 이의 제조방법_+++A_B_F_d_e_h_i_j_l_r+++.docx
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2015-12-24_JP2015537347A_发明专利_JP2015537347A デバイスおよびデバイスの形成方法_+++A_B_C_D_E_I_T_U+++.docx
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2017-07-21_KR1020170084798A_发明公开_KR1020170084798A 비표면적이 큰 음극 활물질층을 포함하는 음극 및 이의 제조방법_+++A_B_C_D_T_U_j+++.docx
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2017-09-25_KR1020170107213A_发明公开_KR1020170107213A 리튬이차전지용 다층전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이차전지_+++A_B_C_D_E_F_T_U_i+++.docx
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2017-10-12_KR1020170113250A_发明公开_KR1020170113250A 도전재 분산액 및 이를 이용하여 제조한 이차전지_+++A_B_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_a_b_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_r_s+++.docx
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2018-01-10_EP2915204B_发明授权_EP2915204B1 MULTILAYERED ELECTRODE AND METHOD OF ITS FORMATION_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2018-02-07_JP6277197B_发明专利_JP6277197B2 デバイスおよびデバイスの形成方法_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
2026-07-03 00:57
2018-06-26_US10008716B_发明授权_US10008716B2 Device and method of forming a device_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
2026-07-03 00:57
2019-06-11_KR1020190065172A_发明公开_KR20190065172A 음극 및 이를 포함하는 이차전지_+++A_B_C_D_E_F_j_r_t_u+++.docx
2026-07-03 00:57
2018-06-26_US10008716B_发明授权_US10008716B2 Device and method of forming a device_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx

对比文件的名称:2018-06-26_US10008716B_发明授权_US10008716B2 Device and method of forming a device

目标专利的名称:1515负极和包括所述负极的二次电池 CN114730859B

本次调用的模型名称:资深专利代理师(人工分析)

以下为特征比对表格:

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:包括负极集电器 —— **《直接公开》**【0104】“该电池200具有导电阳极集流体层201,例如金属层”。【0161】“阳极集流体层201可由任何导电材料形成,优选金属或金属合金”。对比文件明确公开了负极集电器(导电阳极集流体层),其作用与目标专利相同,都是作为负极的导电基体。因此该特征被直接公开。
技术特征B:设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层 —— **《直接公开》**【0104】“第一复合阳极层203a”;【0068】“第一复合电极层形成在导电层上”。对比文件公开了第一复合阳极层设置在集流体上,该层包含活性材料和粘合剂即对应目标专利的第一负极活性材料层,且位置关系一致。因此直接公开。
技术特征C:和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层 —— **《直接公开》**【0104】“第二复合阳极层203b”;【0069】“第二复合电极层形成在第一复合电极层上”。对比文件公开了第二复合阳极层形成在第一复合阳极层上,层叠顺序与目标专利完全相同。因此直接公开。
技术特征D:其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂;并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂 —— **《直接公开》**【0105】“每个复合阳极层203a和203b至少包含一种粘合剂和一种或多种电活性材料颗粒……还可以包含一种或多种其他组分,例如一种或多种非活性导电材料颗粒,例如炭黑”。【0239】第一层包含石墨、VGCF(气相生长碳纤维)导电剂和PVDF。【0241】第二层包含活性硅、PAANa、石墨和Cmix导电混合物(含碳纳米管、VGCF、炭黑)。对比文件明确公开了第一层包含石墨(第一负极活性材料)和VGCF(第一导电剂),第二层包含硅(第二负极活性材料)和Cmix(第二导电剂)。每个层均同时包含活性材料和导电剂,符合特征D的全部内容。因此直接公开。
技术特征E:其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料 —— **《直接公开》**【0042】“第二复合电极层的主要活性组分选自硅、锡、铝、铅和锑”。【0051】“掺杂或未掺杂的硅是第二复合电极层的主要活性组分”。对比文件明确公开第二层的活性材料选自硅,硅是典型的硅基活性材料。因此直接公开。
技术特征F:所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2) —— **《未公开》**【0012】提及“第二硅层具有较高的氧与硅比”作为现有技术背景,但本发明实施例未使用SiOx作为活性材料。主要活性材料为元素硅(Si)。对比文件全文以元素硅(Si)为活性材料,并未教导或暗示使用SiOx(0≤x<2)作为第二负极活性材料。背景中的氧化硅层是缓冲层而非活性材料。因此该特征未被公开。
技术特征G:所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构 —— **《未公开》**【0225】“每个复合阳极层可独立地包含一种或多种颗粒状非活性导电添加剂,例如……碳纳米管……”【0241】第二层的导电混合物Cmix包含碳纳米管、VGCF和炭黑。对比文件虽然提及使用碳纳米管作为导电添加剂,但未明确该碳纳米管是单壁还是多壁,更未公开2‑5000个单壁碳纳米管单元并排结合形成的碳纳米管结构(即绳状/束状结构)。其使用的碳纳米管可能是普通分散态,与目标专利的特定结构不同。因此该特征未被公开。
技术特征H:所述碳纳米管结构以0.01重量%至1.0重量%的量被包括在所述第二负极活性材料层中 —— **《未公开》**对比文件未公开碳纳米管结构的含量,也未公开任何碳纳米管在第二层中的具体重量百分比范围。Cmix的总含量虽可计算,但未单独列出碳纳米管结构的比例。对比文件没有给出碳纳米管结构(rope)的含量数据,更没有0.01‑1.0wt%的教导。因此该特征未被公开。
技术特征I:所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种 —— **《隐含公开》**【0225】“每个复合阳极层可独立地包含一种或多种颗粒状非活性导电添加剂,例如……碳纳米管……”。碳纳米管通常包括单壁和多壁,本领域技术人员可知多壁碳纳米管单元是碳纳米管的常见形式,且对比文件泛泛提到任何一层均可使用碳纳米管。对比文件明确指出任一复合电极层(包括第一层)均可使用碳纳米管作为导电添加剂,而碳纳米管包括多壁碳纳米管单元。因此,本领域技术人员完全可以合理推断第一导电剂可选用多壁碳纳米管单元(即特征I中的选项之一)。虽然具体实施例第一层使用VGCF,但该一般性公开使得该选择成为可能。因此特征I被隐含公开。
技术特征J:其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构 —— **《未公开》**对比文件没有描述碳纳米管或任何导电剂在第二层中形成网络结构,更未提及互连。对比文件未公开碳纳米管结构的存在,当然也未公开其形成网络。因此该特征未被公开。
技术特征K:其中在所述碳纳米管结构中 —— **《未公开》**对比文件未公开碳纳米管结构(rope)。由于作为基础的碳纳米管结构未被公开,该过渡性特征无实质公开内容,故未公开。
技术特征L:所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合 —— **《未公开》**对比文件没有提及单壁碳纳米管单元的排列方式或结合状态。对比文件未公开任何关于单壁碳纳米管单元平行排列并结合的信息,故未被公开。
技术特征M:其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm —— **《未公开》**对比文件未给出碳纳米管结构的长度参数。对比文件未公开碳纳米管结构,更无其平均长度范围。故未被公开。
技术特征N:其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm —— **《未公开》**对比文件未涉及碳纳米管结构的长度。同特征M,该优选范围未被公开。
技术特征O:其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm —— **《未公开》**对比文件未给出碳纳米管结构的直径参数。对比文件未公开碳纳米管结构,更无其直径范围。故未被公开。
技术特征P:其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm —— **《未公开》**对比文件未涉及碳纳米管结构的直径。同特征O,该优选范围未被公开。
技术特征Q:其中在所述碳纳米管结构中 —— **《未公开》**对比文件未公开碳纳米管结构(rope)。同特征K,由于碳纳米管结构未被公开,该过渡特征未公开。
技术特征R:所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm —— **《未公开》**对比文件未提及单壁碳纳米管单元的具体直径。对比文件未公开单壁碳纳米管单元及其直径范围,故未被公开。
技术特征S:其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构 —— **《未公开》**对比文件未公开单壁碳纳米管结构的单元结合数量。对比文件未公开碳纳米管结构,更未限定结合单元数目,故未被公开。
技术特征T:其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm —— **《直接公开》**【0159】“第一复合电极层203a的厚度优选在约20‑40微米范围内”。对比文件公开的第一层厚度20‑40μm完全落入目标专利的1‑100μm范围内,因此该特征被直接公开。
技术特征U:其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm —— **《直接公开》**【0159】“第二复合电极层203b的厚度优选在5‑20微米范围内”。对比文件公开的第二层厚度5‑20μm完全落入目标专利的1‑100μm范围内,因此该特征被直接公开。

根据上述比对,结论如下:

- 直接公开的技术特征:A、B、C、D、E、T、U

- 隐含公开的技术特征:I

- 其他技术特征未公开。

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