**对比文件名称**：2015-10-07_KR101558647B_发明授权_KR101558647B1 ＳｉＯｘ―탄소나노튜브 복합체를 포함하는 음극 활물질 및 이의 제조방법
**目标专利名称**：1515负极和包括所述负极的二次电池CN114730859B
**模型名称**：本次调用模型为基于OpenAI GPT-4的AI助手
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## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括负极集电器《直接公开》 | [0036] “所述负极集电器有铜、金、镍或铜合金或它们的组合制造的箔等。” | 对比文件明确列举了负极集电器的具体材料，本领域技术人员可以直接确定其公开了负极集电器这一技术特征。 |
| 技术特征B：设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层《直接公开》 | [0033] “将制备的电极浆料在电流集电器上涂布、轧制并干燥来制造。”；[0051] “将上述制备的浆料在铜箔上涂布，约130℃真空干燥10小时后，制备1.4875㎠的负极。” | 对比文件公开了在集电器（铜箔）上直接涂布浆料形成活性材料层，该层即构成第一负极活性材料层，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征C：和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层《未公开》 | 对比文件全文未记载两层活性材料层的结构，仅公开单层活性材料层。 | 对比文件没有公开在第一层上再设置第二层的技术内容，也未暗示任何多层结构，所以未公开。 |
| 技术特征D：其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂；并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂《隐含公开》 | [0033] “将正极活性物质及负极活性物质分别与导电剂、粘合剂、增稠剂等混合来制造电极浆料，将制造的电极浆料在电流集电器上涂布、轧制并干燥来制造。” | 对比文件公开了负极活性材料层包含活性物质和导电剂（广义的“导电剂”），但未区分两层。本领域技术人员根据对比文件的教导，可以合理推断出在负极中使用活性材料和导电剂分别构成各层的成分，且有可能通过与其他对比文件组合而实现分层结构。因此隐含公开。 |
| 技术特征E：其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料《隐含公开》 | [0007] “本发明提供一种包含SiOx(0<x≤1)与碳纳米管以99至95重量%:1至5重量%组成的SiOx-碳纳米管复合体的负极活性物质。” | 对比文件明确公开了负极活性物质包含SiOx（硅基活性材料）。尽管未指定其为“第二”层，但该材料本身就是硅基活性材料，本领域技术人员可以将其应用于第二负极活性材料层。因此隐含公开。 |
| 技术特征F：所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)《直接公开》 | [0007] “SiOx(0<x≤1)”；[0012] “SiOx(0<x≤1)”；实施例均使用SiO。 | 对比文件公开的SiOx中x的范围(0<x≤1)完全落入目标专利的0≤x<2范围内，且明确包含SiO。因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构《未公开》 | [0016] “所述碳纳米管可以选自单壁碳纳米管、多壁碳纳米管及碳纳米纤维中的一种以上。” | 对比文件仅提及可使用单壁碳纳米管，但未描述其具体结构（如并排结合的数量、束状形态），更没有公开2-5000个单元并排结合形成的碳纳米管结构。因此未公开。 |
| 技术特征H：所述碳纳米管结构以0.01重量％至1.0重量％的量被包括在所述第二负极活性材料层中《隐含公开》 | 表1显示实施例2中负极内CNT含量为0.194重量%，实施例3为0.097重量%，实施例4为0.484重量%。 | 对比文件公开了在负极层中CNT（碳纳米管）的含量数值，该数值完全落在目标专利的0.01-1.0%范围内。尽管对比文件中的碳纳米管不一定是目标专利定义的“碳纳米管结构”，但其含量公开为隐含公开提供了基础，本领域技术人员有可能将其与目标专利的碳纳米管结构结合。因此隐含公开。 |
| 技术特征I：所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种《隐含公开》 | [0016] “所述碳纳米管可以选自单壁碳纳米管、多壁碳纳米管及碳纳米纤维中的一种以上。” | 对比文件公开了多壁碳纳米管单元可作为碳纳米管的一种类型使用，而导电剂通常即包含碳纳米管。尽管未明确其为“第一导电剂”，但该公开内容为本技术特征提供了部分基础，本领域技术人员可以合理推断将多壁碳纳米管单元用于第一导电剂。因此隐含公开。 |
| 技术特征J：其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构《隐含公开》 | [0013] “碳纳米管提供可以与电极内的锂离子反应的路径(path)，在充放电循环期间使电极内的电流和电压分布均匀。” | 对比文件描述了碳纳米管提供“路径”并使电流分布均匀，这实质上描述了碳纳米管互连形成导电网络的作用。本领域技术人员可以合理推断出碳纳米管会形成网络结构。因此隐含公开。 |
| 技术特征K：其中在所述碳纳米管结构中《未公开》（引子，无实质限定） | — | 该特征仅起引导作用，无具体技术内容，且对比文件未公开相应结构。 |
| 技术特征L：所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合《隐含公开》 | [0016] 公开可使用单壁碳纳米管。单壁碳纳米管本身易形成束状结构，束中管子长轴基本平行排列。 | 本领域技术人员熟知单壁碳纳米管倾向于以束状存在，平行排列结合。对比文件使用了单壁碳纳米管，本领域技术人员可以合理推断其以平行排列的束状形式存在。因此隐含公开。 |
| 技术特征M：其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm《未公开》 | 对比文件未记载任何关于碳纳米管长度的数值。 | 没有公开或暗示碳纳米管结构的平均长度范围。 |
| 技术特征N：其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm《未公开》 | 同M。 | 无任何长度数值公开。 |
| 技术特征O：其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm《未公开》 | 对比文件未记载碳纳米管结构的平均直径。 | 无公开。 |
| 技术特征P：其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm《未公开》 | 同O。 | 无公开。 |
| 技术特征Q：其中在所述碳纳米管结构中《未公开》（引子，无实质限定） | — | 同K。 |
| 技术特征R：所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm《隐含公开》 | [0016] 公开可使用单壁碳纳米管，本领域公知单壁碳纳米管的直径一般为1nm左右（通常0.5-5nm）。 | 对比文件使用了单壁碳纳米管，根据本领域公知常识，单壁碳纳米管的直径通常在0.5nm至10nm之间。尽管对比文件未给出具体数值，本领域技术人员可以合理推断其平均直径落入该范围。因此隐含公开。 |
| 技术特征S：其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构《未公开》 | 对比文件未公开碳纳米管结构中单元结合的具体数量。 | 无任何关于结合数量范围的记载。 |
| 技术特征T：其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm《未公开》 | 对比文件未记载任何层的厚度范围。 | 无公开。 |
| 技术特征U：其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm《未公开》 | 对比文件未记载任何层的厚度范围。 | 无公开。 |
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