对比文件：WO2020021763A1_Description_20260618_2342
目标专利：1515负极和包括所述负极的二次电池CN114730859B
模型：本次调用的AI语言模型
以下为特征比对表格，严格按照目标专利权利要求的技术特征划分，对比文件引用内容已翻译为中文，并标明来源段落或部分。公开性判断分为直接公开、隐含公开或未公开，论述基于本领域技术人员的理解。
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括负极集电器《直接公开》 | “具备负极集电体30、和形成在负极集电体30上的负极合剂层31。”（对比文件“负極”部分，图2及说明） | 对比文件明确公开了负极集电体，结构完全对应，作用相同，为后续层提供支撑与导电。 |
| 技术特征B：设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层《直接公开》 | “负极合剂层31具有形成在负极集电体30上的第1层32。”（对比文件“负極”部分） | 对比文件中第1层32直接形成在集电体上，相当于第一负极活性材料层，公开充分。 |
| 技术特征C：和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层《直接公开》 | “第1层32上形成的第2层33”（对比文件“负極”部分） | 对比文件中第2层33形成于第1层32上，结构顺序与目标专利一致，直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂；并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂《未公开》 | 第一层：“第1层32是含有第1碳系活物质、Si系活物质、聚丙烯酸或其盐、以及纤维状碳（导电剂）的层。”第二层：“第2层33是含有第2碳系活物质的层。”以及“第2层33是纤维状碳的含有率比第1层低的层或实质上不含纤维状碳的层。”（对比文件“负極”部分） | 对比文件在第一层中公开了第一活性材料（碳系活物质）和第一导电剂（纤维状碳），但第二层仅公开了第二活性材料（碳系活物质），未公开第二导电剂；且说明书优选第二层不含纤维状碳，故未公开“第二负极活性材料层包括第二导电剂”，整体特征D未公开。 |
| 技术特征E：其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料《未公开》 | “第2层33是含有第2碳系活物质的层，Si系活物质的含有率比第1层低或实质上不含。”（对比文件“负極”部分） | 对比文件明确第二层不含或极少含Si系活物质，其第二活性材料为碳系，不含硅基活性材料，故未公开。 |
| 技术特征F：所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)《未公开》 | “第1层32含有Si系活物质，具体为SiOx(0.5≤x≤1.5)。”（对比文件“負極”部分及实施例） | 对比文件虽在第一次公开SiOx（0.5≤x≤1.5），但该特征是基于第二层包含硅基活性材料的前提，而第二层不具备，故未公开。 |
| 技术特征G：所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构《未公开》 | “纤维状碳包括碳纳米管（CNT），可为单层、双层、多层CNT及其混合物。”（对比文件“繊維状炭素”部分） | 对比文件仅泛泛提及CNT，未公开由特定数量单壁CNT单元平行结合形成的“碳纳米管结构”，且该导电剂位于第一层而非第二层，故未公开。 |
| 技术特征H：所述碳纳米管结构以0.01重量％至1.0重量％的量被包括在所述第二负极活性材料层中《未公开》 | 未记载相关内容 | 对比文件未公开第二层含有任何碳纳米管结构，更未给出含量范围，故未公开。 |
| 技术特征I：所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种《直接公开》 | “纤维状碳可例示碳纳米管（CNT），CNT不仅包括单层CNT，还包括2层CNT、多层CNT以及混合物。”（对比文件“繊維状炭素”部分） | 对比文件第一层使用纤维状碳作为导电剂，该纤维状碳明确包括多壁碳纳米管单元（多层CNT），完全覆盖“多壁碳纳米管单元”这一选择项，因此特征I直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构《未公开》 | 未记载相关内容 | 对比文件第二层不存在碳纳米管结构，无网络结构形成，故未公开。 |
| 技术特征K：其中在所述碳纳米管结构中《未公开》 | 未记载相关内容 | 前提条件（碳纳米管结构）不存在，故未公开。 |
| 技术特征L：所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合《未公开》 | 未记载相关内容 | 对比文件未描述任何碳纳米管的具体排列方式，故未公开。 |
| 技术特征M：其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm《未公开》 | 未记载相关内容 | 对比文件无相关数值公开，故未公开。 |
| 技术特征N：其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm《未公开》 | 未记载相关内容 | 对比文件无相关数值公开，故未公开。 |
| 技术特征O：其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm《未公开》 | 未记载相关内容 | 对比文件无相关数值公开，故未公开。 |
| 技术特征P：其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm《未公开》 | 未记载相关内容 | 对比文件无相关数值公开，故未公开。 |
| 技术特征Q：其中在所述碳纳米管结构中《未公开》 | 未记载相关内容 | 同特征K，未公开。 |
| 技术特征R：所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm《未公开》 | 未记载相关内容 | 对比文件未公开单壁CNT单元的直径范围，故未公开。 |
| 技术特征S：其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构《未公开》 | 未记载相关内容 | 对比文件未公开具体结合单元数量，故未公开。 |
| 技术特征T：其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm《隐含公开》 | “负极合剂层31的厚度在集电体单侧为30μm～100μm”；“第1层32质量占合剂层质量的50%～90%”。（对比文件“負極”部分） | 联合上述信息可推算第1层厚度下限为30μm×50%=15μm，上限为100μm×90%=90μm，即15μm～90μm，完全落入1μm～100μm范围。本领域技术人员能合理推断该厚度范围，故隐含公开。 |
| 技术特征U：其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm《隐含公开》 | “负极合剂层31厚度为30μm～100μm”；“第2层33质量占合剂层质量的>10%～50%”。（对比文件“負極”部分） | 推算出第2层厚度下限为30μm×10%=3μm，上限为100μm×50%=50μm，即3μm～50μm，完全落入1μm～100μm范围。同理可合理推断，故隐含公开。 |
根据以上判断，对比文件直接公开的技术特征有：A、B、C、I；隐含公开的技术特征有：T、U。其余技术特征未被公开。
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<I>>><<<T>>><<<U>>>