对比文件名称：2017-07-21_KR1020170084798A_发明公开_KR1020170084798A 비표면적이 큰 음극 활물질층을 포함하는 음극 및 이의 제조방법
目标专利名称：负极和包括所述负极的二次电池（CN114730859B）
本次调用的模型：GPT-4
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括负极集电器**《直接公开》 | 段落[0013]：“음극 집전체”（负极集流体）。 | 对比文件明确记载了负极集流体，作为负极的必要组成部分，本领域技术人员可直接且毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B：设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层**《直接公开》 | 段落[0014]：“상기 음극 집전체의 적어도 일면에 형성되어 있고, 흑연계 물질 및 제 1 바인더를 포함하는 제 1 음극 활물질층”（在所述负极集流体的至少一个表面上形成的、包含石墨材料和第一粘合剂的第一负极活性材料层）。 | 对比文件明确公开了第一负极活性材料层形成在负极集流体上，技术特征完全相同。 |
| **技术特征C：和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层**《直接公开》 | 段落[0015]：“상기 제 1 전극 활물질층 상에 위치하고, 상기 흑연계 물질보다 큰 비표면적을 갖는 비흑연계 물질 및 제 2 바인더를 포함하는 제 2 음극 활물질층”（位于所述第一电极活性材料层上、包含比所述石墨材料大的比表面积的非石墨材料和第二粘合剂的第二负极活性材料层）。 | 对比文件明确公开了第二负极活性材料层位于第一负极活性材料层上，技术特征完全相同。 |
| **技术特征D：其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂；并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂**《直接公开》 | 第一层导电剂：实施例1（段落[0070]）：“도전재로서 카본 블랙”（作为导电剂的碳黑）。第二层可包含导电剂：段落[0040]：“또한, 상기 제 1 음극 활물질층 및 제 2 음극 활물질층은, 전자 전도성의 도전재가 더 포함될 수 있고”（此外，所述第一和第二负极活性材料层可以进一步包含电子导电性的导电剂）。 | 对比文件实施例1明确第一层含有第一导电剂（碳黑）；其说明书明确记载第二层可以包含第二导电剂，因此本领域技术人员可直接得出第二层包括第二导电剂，特征D被直接公开。 |
| **技术特征E：其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料**《未公开》 | 无 | 对比文件第二负极活性材料为非石墨碳材料（碳纳米管、石墨烯），未提及任何硅基活性材料，本领域技术人员无法直接或合理推断出该特征。 |
| **技术特征F：所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)**《未公开》 | 无 | 对比文件完全没有涉及SiOx，该特征未被公开。 |
| **技术特征G：所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构**《未公开》 | 对照文件提及的“번들형 CNT”（束型CNT）[0029]-[0030]，但未指定为单壁，其直径（10nm）通常对应多壁，且未限定结合数目为2~5000个，更未将其归类为导电剂。 | 对比文件未公开“单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构”作为导电剂，也未给出任何关于结合数目、单壁的教导或暗示。 |
| **技术特征H：所述碳纳米管结构以0.01重量％至1.0重量％的量被包括在所述第二负极活性材料层中**《未公开》 | 对比文件实施例中第二层CNT含量为95重量%（[0071]）或更高，远高于0.01~1.0%。 | 对比文件未教导如此低的含量范围，也未给出任何将该范围应用于第二层的启示。 |
| **技术特征I：所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种**《未公开》 | 对比文件实施例1中第一导电剂为碳黑（[0070]），未使用碳纳米管结构或多壁碳纳米管单元；说明书中列举的导电剂类型（[0040]）也未特指碳纳米管结构或多壁碳纳米管。 | 对比文件第一层所使用的导电剂是碳黑，而非自变量中的碳纳米管结构或多壁碳纳米管单元，该特征未被公开。 |
| **技术特征J：其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构**《隐含公开》 | 段落[0030]：“번들형은 복수의 탄소 나노 튜브가 나란히 배열 또는 뒤엉켜 있는 형성으로 다발이나 로프 형태의 2차 형상을 보이며”（束型是多个碳纳米管并排排列或缠绕而形成束或绳形式的二次形状）。结合实施例，第二层中高含量的束型CNT必然相互接触。 | 对比文件公开了束型CNT的结构，本领域技术人员可以合理推断：在第二活性材料层中，这些束或绳形式的二次形状相互交联，必然形成导电网络结构。虽未明确记载，但根据其结构特性可合理得出。 |
| **技术特征K：其中在所述碳纳米管结构中**《未公开》 | 无 | 对比文件未公开目标专利所定义的碳纳米管结构（单壁并排结合），故该特征不能成立。 |
| **技术特征L：所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合**《未公开》 | 对比文件[0030]提及“나란히 배열”（并排排列），但针对的是碳纳米管（未区分单/多壁），且其直径暗示为多壁。 | 目标专利明确限定为单壁碳纳米管单元，对比文件未对此进行教导或暗示，故未公开。 |
| **技术特征M：其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm**《未公开》 | 对比文件实施例1中CNT长度30μm（[0071]），但该长度针对的是多壁碳纳米管单体，而非目标专利的碳纳米管结构。 | 由于目标专利的碳纳米管结构本身未被公开，其长度特征无从指认，不能认为被公开。 |
| **技术特征N：其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm**《未公开》 | 同特征M，对比文件实施例CNT长度30μm落在该范围，但对象不同。 | 与特征M同理，碳纳米管结构未公开，长度也不被公开。 |
| **技术特征O：其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm**《未公开》 | 对比文件实施例CNT直径10nm（[0071]），但未鉴别为单壁，且直径数值与多壁更匹配。 | 碳纳米管结构未公开，直径特征不成立。 |
| **技术特征P：其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm**《未公开》 | 同特征O。 | 同特征O。 |
| **技术特征Q：其中在所述碳纳米管结构中**《未公开》 | 无 | 同特征K。 |
| **技术特征R：所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm**《未公开》 | 对比文件实施例CNT直径10nm，位于该范围上限，但未指定为单壁；本领域公知单壁直径通常<3nm。 | 对比文件未公开单壁碳纳米管单元，也未明确其直径范围。 |
| **技术特征S：其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构**《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及单壁碳纳米管，也未限定束中结合的单管数目。 |
| **技术特征T：其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm**《直接公开》 | 段落[0072]：“7 : 3의 두께비율로 총 80 ㎛ 두께”（厚度比为7:3，总厚度80μm）；段落[0035]公开厚度比70:30~95:5。由此计算第一层厚度为56μm（80×0.7）或落入该比例的其他数值。 | 第一层厚度56μm直接落在1~100μm范围内，且对比文件教导的厚度比进一步确认了该范围，因此该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征U：其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm**《直接公开》 | 同特征T引用，第二层厚度为24μm（80×0.3）。 | 第二层厚度24μm直接落在1~100μm范围内，被直接公开。 |
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