对比文件名称：2019-09-24_KR102023602B_发明授权_KR102023602B1 고정세 선폭을 가지는 칩인덕터 제조방법 및 이에 사용되는 감광성 물질
目标专利名称：1525制备正极活性材料的方法CN115066397B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：所述方法包括下述步骤《直接公开》 | 对比文件[0010]-[0014]：为了实现上述目的，根据本发明的芯片电感器的制造方法，作为在介电层之间堆叠多个电极图案的层叠型芯片电感器的制造方法，形成所述电极图案的过程是通过在涂覆感光导电浆料后通过光刻工艺形成图案来进行的，形成所述介电层的过程是通过在电极图案上涂覆感光介电浆料后通过光刻工艺形成连接到电极图案的通孔来进行的，其特征在于，在涂覆感光导电浆料的过程中，感光导电浆料填充介电层中形成的通孔，从而下部电极图案与上部电极图案彼此电连接。 | 对比文件明确公开了一种芯片电感器的制造方法，该方法包括一系列步骤（例如形成基底、涂覆感光导电浆料、曝光、显影形成电极图案、涂覆感光介电浆料、曝光显影形成通孔等），因此本领域技术人员能够毫无疑义地得出该方法包括步骤这一技术特征，且特征A在目标专利中作为方法的前序，其作用为引出具体步骤，与对比文件方法步骤的引导作用实质相同。故特征A被直接公开。 |
| 特征B：(A)准备锂过渡金属氧化物《未公开》 | 对比文件全文未涉及锂过渡金属氧化物的制备或使用。 | 对比文件涉及芯片电感器制造，使用的材料为金属粉（如Ag）、陶瓷玻璃料等，未公开任何关于锂过渡金属氧化物的准备步骤。目标专利中该特征用于提供正极活性材料的前体，其作用与对比文件中准备基底或浆料完全不同。因此特征B未被直接或隐含公开。 |
| 特征C：(B)将所述锂过渡金属氧化物与漂洗液混合并进行漂洗和干燥《未公开》 | 对比文件全文未涉及漂洗步骤，也未公开混合锂过渡金属氧化物与漂洗液的操作。 | 对比文件的工艺涉及涂覆浆料、干燥、曝光、显影、烧结等，没有出现漂洗操作。目标专利中的漂洗步骤旨在控制残留锂副产物，而对比文件无此技术问题和技术手段。因此特征C未被公开。 |
| 特征D：其中所述漂洗液包括选自LiOH、NaOH和KOH中的一种或多种添加剂《未公开》 | 对比文件未公开任何含LiOH、NaOH或KOH的漂洗液。 | 对比文件中使用的感光组合物包含有机溶剂、粘合剂、光引发剂等，没有提及LiOH、NaOH或KOH作为添加剂用于漂洗液。目标专利中这些添加剂用于调节漂洗液pH以保护正极材料表面，对比文件中无相关应用。因此特征D未被公开。 |
| 特征E：相对于所述锂过渡金属氧化物，所述漂洗液中的所述添加剂的含量为3,000ppm～18,000ppm《未公开》 | 对比文件未公开添加剂含量范围。 | 对比文件不存在漂洗液添加剂，更无含量限定。目标专利的该含量范围是经过优化以实现残留锂控制同时避免表面劣化，对比文件完全未涉及。因此特征E未被公开。 |
| 特征F：所述漂洗液的pH为12以上《未公开》 | 对比文件未公开任何关于pH值的内容。 | 对比文件没有涉及漂洗液的pH测量或控制。目标专利中pH为12以上是保证漂洗效果的关键，对比文件无任何pH相关教导。因此特征F未被公开。 |
| 特征G：其中将所述锂过渡金属氧化物和所述漂洗液以1:0.5至1:0.9的重量比混合《未公开》 | 对比文件未公开此重量比。 | 对比文件无漂洗液使用，因而没有混合比例。目标专利的比例范围是为了减少漂洗液用量并保护材料，对比文件无相应教导。因此特征G未被公开。 |
| 特征H：其中相对于所述锂过渡金属氧化物，所述漂洗液中的所述添加剂的含量为4,000ppm～10,000ppm《未公开》 | 对比文件未公开添加剂含量范围。 | 同特征E，该优选范围未被对比文件以任何方式公开。因此特征H未被公开。 |
| 特征I：其中所述漂洗液的pH为12～13《未公开》 | 对比文件未公开pH范围。 | 同特征F，更具体的pH范围未被公开。因此特征I未被公开。 |
| 特征J：其中所述锂过渡金属氧化物由下述化学式1表示：[化学式1] Li_{1+a}Ni_{x1}Co_{y1}M1_{z1}M2_{w1}O_2《未公开》 | 对比文件未公开该化学式。 | 对比文件的介电材料为玻璃料（含Al2O3、SiO2、ZnO等），导电材料为Ag粉，无锂过渡金属氧化物。目标专利的化学式是正极活性材料的特征，对比文件无类似描述。因此特征J未被公开。 |
| 特征K：满足0≤a≤0.3《未公开》 | 对比文件未公开a的取值范围。 | 没有锂过渡金属氧化物，故无此限定。因此特征K未被公开。 |
| 特征L：0.6≤x1<1.0《未公开》 | 对比文件未公开镍含量。 | 无相关材料。因此特征L未被公开。 |
| 特征M：0<y1≤0.4, 0≤z1≤0.4, 0≤w1≤0.2, x1+y1+z1+w1=1, M1为选自Mn和Al中的一种或多种《未公开》 | 对比文件未公开这些元素及比例。 | 对比文件没有提及Mn、Al等特定过渡金属及其在活性材料中的组成。因此特征M未被公开。 |
| 特征N：M2为选自Zr、B、W、Mo、Cr、Nb、Mg、Hf、Ta、La、Ti、Sr、Ba、Ce、F、P、S和Y中的一种或多种《未公开》 | 对比文件未公开这些掺杂元素。 | 对比文件使用的玻璃料可能含部分元素（如B、Si等），但并非作为正极活性材料的掺杂元素，且公开的方式与目标专利不同。目标专利中M2是作为掺杂元素存在于锂过渡金属氧化物结构中，对比文件无此构成。因此特征N未被公开。 |
| 特征O：其中在所述漂洗液中所述添加剂的含量为0.4重量％～2重量％《未公开》 | 对比文件未公开添加剂含量百分比。 | 该特征与特征E实质相同（ppm换算），但以重量百分比表示。对比文件无此特征。因此特征O未被公开。 |
| 特征P：其中在所述漂洗液中所述添加剂的含量为0.4重量％～1重量％《未公开》 | 对比文件未公开此优选范围。 | 同特征O。因此特征P未被公开。 |
| 特征Q：其中所述漂洗液的溶剂为选自下述中的一种或多种：去离子水、蒸馏水和乙醇《未公开》 | 对比文件未公开使用去离子水、蒸馏水或乙醇作为漂洗液溶剂。 | 对比文件使用的溶剂如TPN（萜品醇）、BC（丁基卡必醇）、BCA（丁基卡必醇乙酸酯）等有机溶剂，与目标专利的溶剂完全不同。且对比文件无漂洗步骤。因此特征Q未被公开。 |
| 特征R：所述方法还包括《直接公开》 | 对比文件[0050]：此外，在电极图案222形成之后，通过重复进行如下过程：再次以与上述相同的方法形成感光介电材料层之后进行曝光和显影工艺形成介电层，然后再形成感光导电材料层之后进行曝光和显影工艺，形成重复的层叠结构，然后最终烧制。 | 对比文件明确公开了在初步的电极和介电层形成后，还包括重复形成层和最终烧结的步骤，即该方法还包括其他步骤。特征R在目标专利中用于引入可选步骤(C)，对比文件的“还包括”的内容虽然具体不同，但公开了“还包括”这一上位特征，且其作用为表示方法包含附加操作，本质相同。因此特征R被直接公开。 |
| 特征S：步骤(C)《未公开》 | 对比文件未以字母编号步骤。 | 对比文件没有明确标记为(C)的步骤，虽然包括后续步骤，但未以步骤(C)标称。目标专利中步骤(C)是特定标签，对比文件无此标签。因此特征S未被公开。 |
| 特征T：将所述干燥后的锂过渡金属氧化物与含有涂布元素的原料混合并进行热处理以形成涂层《未公开》 | 对比文件未公开涂布元素、热处理形成涂层。 | 对比文件无锂过渡金属氧化物，也无在正极材料上形成涂层的步骤。对比文件的烧结步骤是整体共烧，不涉及在活性材料上涂布。因此特征T未被公开。 |
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