对比文件名称：2012-07-16_TW201229154A_发明专利_TW201229154A 抗反射膜、抗反射膜之製造方法、偏光板及影像顯示裝置
目标专利名称：1559光学层合体CN113613883B
本次调用的模型名称：本模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：光学功能层**《直接公开》 | 对比文件说明书第21页：“本發明亦為一種偏光板，其係具備偏光元件而成者”。 | 对比文件明确公开了偏光板包括偏光元件（即光学功能层），因此该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征B：所述光学功能层为偏振层**《直接公开》 | 对比文件说明书第21页：“作為上述偏光元件，並無特別限定，例如可列舉藉由碘等進行染色且經延伸之聚乙烯醇膜”。 | 对比文件公开的偏光元件即为偏振层（聚乙烯醇碘染色拉伸膜），因此技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C：和形成在所述光学功能层的至少一侧上的抗变红层**《直接公开》 | 对比文件说明书第21页：“上述偏光板於偏光元件表面具備上述抗反射膜”；结合低折射率层的形成位置，抗反射膜包含低折射率层，该层形成在透光性基材上并通过粘合等设置在偏光元件表面一侧。 | 对比文件公开了抗反射膜（包含低折射率层）设置在偏光元件表面，低折射率层相当于目标专利的抗变红层（含中空颗粒的层），且形成在光学功能层（偏光元件）的至少一侧上，因此技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D：其中对于波长为380nm至780nm的光的平均表面反射率为2％或更大**《未公开》 | 对比文件评价部分反射Y值：实施例反射Y值均小于1.5%（通常小于1.0%），未教导反射率≥2%。 | 对比文件的目的在于降低反射，其实施例均具有低于2%的反射率，未公开反射率≥2%的技术方案，因此技术特征D未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征E：其中所述抗变红层不包含实心颗粒**《未公开》 | 对比文件低折射率层配方中除中空状二氧化硅微粒子外，还包含“反應性二氧化矽微粒子”（表面具有反应性官能团的二氧化硅微粒子，通常为实心）。 | 对比文件明确公开了低折射率层包含反应性二氧化硅微粒子（实心颗粒），这与“不包含实心颗粒”的技术教导相反，因此技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F：其中所述抗变红层包含粘结剂和中空颗粒**《直接公开》 | 对比文件说明书第3页：“上述低折射率層含有(甲基)丙烯酸系樹脂、中空狀二氧化矽微粒子”。 | 对比文件直接公开了低折射率层（相当于抗变红层）包含(甲基)丙烯酸系树脂（即粘结剂）和中空状二氧化硅微粒子（中空颗粒），因此技术特征F被直接公开。 |
| **技术特征G：其中所述中空颗粒在颗粒尺寸分布的重量累积曲线中具有在25nm至50nm范围内的D10颗粒直径、在50nm至95nm范围内的D50颗粒直径以及在100nm至200nm范围内的D90颗粒直径**《未公开》 | 对比文件说明书第4页：“上述中空狀二氧化矽微粒子之平均粒徑為40～80 nm”。 未涉及D10、D50、D90的颗粒尺寸分布。 | 对比文件仅公开了中空颗粒的平均粒径范围（40-80nm），未公开具体的D10、D50、D90数值及其累积分布，因此技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H：其中所述抗变红层包括按照通过原子力显微镜测量的表面积比为0.02或更大的表面**《未公开》 | 对比文件全文未提及AFM测量表面积比，也未涉及任何表面粗糙度参数。 | 对比文件中没有关于AFM表面积比的任何记载，本领域技术人员无法由此推出该特征，因此技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I：其中所述偏振层为基于碘的偏振层**《直接公开》 | 对比文件说明书第21页：“作為上述偏光元件，並無特別限定，例如可列舉藉由碘等進行染色且經延伸之聚乙烯醇膜”。 | 对比文件明确列举了以碘染色拉伸的聚乙烯醇膜作为偏光元件，即基于碘的偏振层，因此技术特征I被直接公开。 |
| **技术特征J：其中所述抗变红层对于波长为800nm至1300nm的光的反射率为2％或更大**《未公开》 | 对比文件评价部分仅涉及380-780nm可见光反射率（反射Y值），未测量或记载800-1300nm红外反射率。 | 对比文件未涉及红外反射率，也未公开任何关于800-1300nm反射率≥2%的教导，因此技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K：其中所述抗变红层为含空隙层或者包括所述含空隙层的层**《直接公开》 | 对比文件说明书第4页：“中空狀二氧化矽微粒子係於內部填充有氣體之結構及/或包含氣體之多孔質結構體”。 | 对比文件明确低折射率层包含中空二氧化硅微粒子（其内部为空隙），因此该层为含空隙层，技术特征K被直接公开。 |
| **技术特征L：其中所述抗变红层在小角X射线散射的散射强度的对数值图中在0.06nm⁻¹至0.209nm⁻¹的散射矢量范围内表现出至少一个峰**《未公开》 | 对比文件全文未提及小角X射线散射（SAXS）测量或相关散射矢量峰。 | 对比文件中没有关于SAXS测试的任何记载或数据，因此技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M：其中所述抗变红层的满足以下等式6的A值为1.5或更小**《未公开》 | 对比文件全文未涉及椭圆偏光法测量柯西参数（A、B、C值）。 | 对比文件中没有关于折射率柯西模型拟合及A/B/C参数的任何记载，因此技术特征M、N、O均未被公开。 |
| **技术特征N：所述抗变红层的满足以下等式6的B值为0至0.01**《未公开》 | 同上 | 同上 |
| **技术特征O：所述抗变红层的满足以下等式6的C值为0至0.001**《未公开》 | 同上 | 同上 |
| **技术特征P：其中所述粘结剂包含衍生自具有2至10个可聚合官能团的多官能丙烯酸酯的聚合物**《直接公开》 | 对比文件说明书第3-4页：“作為上述(甲基)丙烯酸系單體，例如可列舉新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯（3官能）、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯（6官能）、新戊四醇(甲基)四丙烯酸酯（4官能）等”。 | 对比文件公开的低折射率层用(甲基)丙烯酸系单体均具有2至10个可聚合官能团，其形成的聚合物即为该粘结剂，因此技术特征P被直接公开。 |
| **技术特征Q：其中所述抗变红层的厚度为200nm或更大**《未公开》 | 对比文件实施例明确低折射率层膜厚为0.1μm（即100nm），且未教导其他厚度范围。 | 对比文件给出的低折射率层厚度为100nm（小于200nm），未公开厚度≥200nm的技术方案，因此技术特征Q未被公开。 |
| **技术特征R：其中所述抗变红层不形成所述光学层合体的最外层的表面**《未公开》 | 对比文件说明书第1页：“於最表面上設置有低折射率層”。 | 对比文件明确低折射率层（相当于抗变红层）设置在最表面，这与“不形成最外层”的技术特征相反，因此技术特征R未被公开。 |
| **技术特征S：其中所述抗变红层与所述光学功能层之间的距离在90μm以内**《未公开》 | 对比文件未记载抗变红层（低折射率层）与偏光元件之间的具体距离数值。 | 对比文件没有给出两者之间的距离或任何相关限定，因此技术特征S未被公开。 |
### 输出代码
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