**对比文件名称**：1998-09-25_None_发明专利_JPH10253955A Liquid crystal display device
**目标专利名称**：1561全息光学元件及其制造方法CN113728257B
**本次调用的模型名称**：基于深度学习的文本分析模型
以下是根据目标专利权利要求的技术特征划分进行的特征比对表。对比文件原文引用已翻译为中文，并标注了准确的段落编号。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述制造方法包括（直接公开） | [0026]“体积全息图11是通过使参考光从与物体光相反的方向入射到感光干板上而形成的。” | 对比文件明确描述了通过干涉记录制作体全息图（全息光学元件）的方法，该方法属于全息光学元件的制造方法，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：通过用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底的步骤(a)（未公开） | 无相关内容 | 对比文件使用“感光干板”，未公开在基底上涂覆光敏树脂的具体步骤，也未暗示涂覆过程。 |
| 技术特征C：通过用激光照射所述光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者来记录所述全息光栅的步骤(b)（直接公开） | [0026]“体积全息图11是通过使参考光从与物体光相反的方向入射到感光干板上而形成的。” | 对比文件公开了从相反方向（即两个表面）用激光（物体光和参考光）照射感光干板，从而记录全息光栅，故直接公开。 |
| 技术特征D：其中在所述步骤(a)中施加所述光敏树脂使得光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化（未公开） | 无相关内容 | 对比文件未提及涂层高度变化，也未暗示任何方向上的高度渐变。 |
| 技术特征E：所述全息光栅记录在所述光敏树脂涂层的整个高度上（隐含公开） | [0027]“通过干涉条纹，体积全息图11根据布拉格条件衍射特定波长的光……”；体全息图的干涉条纹通常贯穿整个记录介质厚度。 | 体全息图本质上是三维记录，全息光栅自然记录在整个光敏层的厚度内，本领域技术人员可以合理推断此特征，故隐含公开。 |
| 技术特征F：所述全息光栅的高度沿所述预定方向变化；并且其中所述光敏树脂涂层的高度沿所述预定方向逐渐增加（未公开） | 无相关内容 | 对比文件未公开全息光栅高度变化，也未公开涂层高度逐渐增加。 |
| 技术特征G：所述全息光栅的高度沿所述预定方向逐渐增加（未公开） | 无相关内容 | 对比文件未公开全息光栅高度的逐渐增加。 |
| 技术特征H：所述全息光栅具有相同的宽度（未公开） | 无相关内容 | 对比文件未提及全息光栅的宽度特征，也无法从现有内容合理推断。 |
| 技术特征I：其中在所述步骤(a)中将所述光敏树脂喷涂至所述基底的一个表面上多个位置处（未公开） | 无相关内容 | 对比文件未涉及喷涂工艺。 |
| 技术特征J：喷涂的光敏树脂的量根据位置而变化（未公开） | 无相关内容 | 对比文件未涉及喷涂量的变化。 |
| 技术特征K：其中所述步骤(a)包括将所述基底浸入包含所述光敏树脂的容器中的步骤(a-1)（未公开） | 无相关内容 | 对比文件未涉及浸渍工艺。 |
| 技术特征L：和通过在一个方向上移动所述基底将所述基底与所述容器分离的步骤(a-2)（未公开） | 无相关内容 | 对比文件未涉及分离步骤。 |
| 技术特征M：在所述步骤(a-2)中在改变所述基底的移动速度的同时将所述基底与所述容器分离（未公开） | 无相关内容 | 对比文件未涉及移动速度变化。 |
| 技术特征N：其中所述步骤(a)包括在所述基底与辅助基底之间提供所述光敏树脂的步骤(a-1)（未公开） | 无相关内容 | 对比文件未涉及辅助基底。 |
| 技术特征O：和移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者的步骤(a-2)（未公开） | 无相关内容 | 对比文件未涉及移动步骤。 |
| 技术特征P：在所述步骤(a-2)中在改变所述基底和所述辅助基底中的一者相对于另一者的相对移动速度的同时移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者（未公开） | 无相关内容 | 对比文件未涉及相对速度变化。 |
| 技术特征Q：其中在所述步骤(a)中在所述基底的一个表面相对于基面倾斜的状态下提供所述光敏树脂（未公开） | 无相关内容 | 对比文件未涉及倾斜涂覆。 |
| 技术特征R：将所述光敏树脂干燥（未公开） | 无相关内容 | 对比文件未涉及干燥步骤。 |
综上，对比文件直接公开了技术特征A和C，隐含公开了技术特征E。其他技术特征未被公开。
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