对比文件的名称：2021-10-21_None_发明专利_TWI743524B
目标专利的名称：1599光学装置CN112204462B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（繁体中文，保留原标点） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括,第一外基板和第二外基板《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“本申請案的光學元件可包括第一外部基板及第二外部基板”。 | 对比文件明确公开光学装置包含第一外部基板和第二外部基板，与技术特征A内容完全一致，作用相同（均为构成光学装置的基板），因此直接公开。 |
| 技术特征B：液晶元件《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“所述光學元件包括液晶組件”。 | 对比文件明确公开光学装置包括液晶组件（即液晶元件），与技术特征B完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述液晶元件定位在所述第一外基板与所述第二外基板之间并且具有其中第一基础层、液晶层和第二基础层顺序层合的结构《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“液晶組件可位於第一外部基板與第二外部基板之間”以及“所述液晶組件具有其中依序層壓第一基底層、液晶層及第二基底層的結構”。 | 对比文件既公开了液晶组件位于第一外部基板与第二外部基板之间（即定位关系），又公开了液晶组件具有第一基底層、液晶層、第二基底層依序层压的结构，与技术特征C完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征D：粘合膜《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“本申請案的光學元件可更包括偏振片及/或黏合膜”，并在后续详细描述黏合膜的结构和位置。 | 对比文件明确公开光学元件包括黏合膜（即粘合膜），与技术特征D完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述粘合膜定位在所述第一外基板与所述液晶元件之间以及所述第二外基板与所述液晶元件之间《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“黏合膜40可存在於例如外部基板20與液晶組件10之間、液晶組件10與偏振片30之間以及偏振片30與外部基板20之間”。同时结合图4及说明书，黏合膜位于第一外部基板与液晶组件之间、第二外部基板与液晶组件之间。 | 对比文件明确公开黏合膜位于外部基板與液晶組件之间（包括第一外部基板与液晶组件之间以及第二外部基板与液晶组件之间），与技术特征E完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征F：其中所述第一基础层和所述第二基础层中的一者或更多者的如由以下方程式1表示的抗弯刚度D为2.2*10⁻⁴N·m或更大《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“構成液晶組件10的第一基底層11a及第二基底層11b中的一或多者可具有約2.2*10⁻⁴N·m或大於2.2*10⁻⁴N·m的抗撓剛度（D），如由以下方程式1表示”。 | 对比文件明确公开第一基底層和第二基底層中的一或多个的抗撓剛度（即抗弯刚度）满足方程式1且为2.2*10⁻⁴N·m或更大，与技术特征F完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征G：[方程式1]在以上方程式1中《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分明确给出了方程式1的表达式：“[方程式1] D = E × h_e³ / (12×(1-υ²))”。 | 对比文件直接公开了方程式1的数学形式，所述方程式1即目标专利中引用的同一公式，与技术特征G指向的方程式1完全对应，因此直接公开。 |
| 技术特征H：D为所述基础层的抗弯刚度，E为所述基础层的杨氏模量，he为所述基础层的厚度，以及υ为所述基础层的泊松比《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“在以上方程式1中，D是基底層的抗撓剛度，E是基底層的楊氏模量，h_e是基底層的厚度，且υ是基底層的帕松比”。 | 对比文件以完全相同的方式定义了方程式1中各参数的含义，与技术特征H一字不差，因此直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述第一基础层和所述第二基础层各自具有2.2*10⁻⁴N·m或更大的如由方程式1表示的抗弯刚度D《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“作為一個實例，在第一基底層及第二基底層中的每一者中，以上方程式1的抗撓剛度（D）可為約2.2*10⁻⁴N·m或大於2.2*10⁻⁴N·m”。 | 对比文件明确限定第一基底層和第二基底層各自具有2.2*10⁻⁴N·m或更大的抗弯刚度（方程式1定义），与技术特征I完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述第一基础层和所述第二基础层各自具有1*10⁹N/m²至1*10¹⁰N/m²的杨氏模量《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“在一個實例中，第一基底層及第二基底層中的每一者可具有約1*10⁹N/m²至約1*10¹⁰N/m²的楊氏模量（E）”。 | 对比文件公开了第一基底層和第二基底層的杨氏模量范围，与技术特征J标称范围完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述第一基础层和所述第二基础层各自具有10μm至1,000μm的厚度he《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“作為一個實例，第一基底層及第二基底層可各自具有約10μm至約1,000μm的厚度（h_e）”。 | 对比文件公开了第一基底層和第二基底層的厚度范围，与技术特征K完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征L：其中所述第一基础层和所述第二基础层各自独立地为聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚酰亚胺膜、环烯烃聚合物膜、三乙酰纤维素膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜或聚碳酸酯膜《直接公开》 | 对比文件“實施例”部分记载：“在一個實施例中，第一基底層及第二基底層可各自獨立地由聚萘二甲酸乙二酯（PEN）膜、聚醯亞胺（PI）膜、環烯聚合物（COP）膜、三乙醯纖維素（TAC）膜、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜或聚碳酸酯（PC）膜等使用”。 | 对比文件明确列举了第一基底層和第二基底層可选的膜材料，与技术特征L所列的材料种类完全一致，名称对应（如聚酯类对应PEN等），因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中所述液晶层包含二色性染料客体《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“液晶層可為包含液晶化合物及二色性染料客體的液晶層”。 | 对比文件明确公开液晶层包含液晶化合物和二色性染料客体，与技术特征M完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征N：其中所述液晶元件包括形成在所述第一基础层和所述第二基础层中的每一者上的导电层《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“導電層13可形成於第一基底層及第二基底層11a、11b中的每一者上”。 | 对比文件明确公开导电层形成于第一基底層和第二基底層的每一者上，与技术特征N完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征O：其中所述液晶元件包括形成在所述导电层上的配向膜《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“配向膜14可存在於第一基底層及第二基底層11a、11b的表面上。舉例而言，導電層13可首先形成於基底層的一側上，且配向膜14可形成於導電層13上”。 | 对比文件明确公开配向膜形成于导电层上（先形成导电层，再在导电层上形成配向膜），与技术特征O完全对应，因此直接公开。 |
| 技术特征P：其中所述液晶元件能够切换第一取向状态和第二取向状态《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“液晶組件可在至少兩種或更多種光軸定向狀態（例如，第一定向狀態與第二定向狀態）之間切換”。 | 对比文件明确公开液晶组件能在第一定向状态和第二定向状态之间切换，与技术特征P完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征Q：还包括定位在所述第一外基板与所述第二外基板之间的偏振器《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“本申請案的光學元件可更包括偏振片及/或黏合膜”，并示出偏振片位于第一外部基板与第二外部基板之间的层叠结构（图4及对应说明：“光學元件100可具有依序層壓第一外部基板20、黏合膜40、液晶組件10、黏合膜40、偏振片30、黏合膜40及第二外部基板20的結構”）。 | 对比文件公开了偏振片（即偏振器）位于第一外部基板与第二外部基板之间，且具体位置在液晶元件之后、第二外部基板之前，明显位于两个外基板之间，与技术特征Q相同，因此直接公开。 |
| 技术特征R：其中所述粘合膜定位在所述第一外基板与所述液晶元件之间、所述液晶元件与所述偏振器之间、以及所述第二外基板与所述偏振器之间《直接公开》 | 对比文件“發明內容”部分记载：“如圖4中所示，光學元件100可具有依序層壓第一外部基板20、黏合膜40、液晶組件10、黏合膜40、偏振片30、黏合膜40及第二外部基板20的結構”。 | 对比文件公开的层叠结构明确显示：第一外部基板与液晶组件之间有黏合膜（第一个黏合膜），液晶组件与偏振片之间有黏合膜（第二个黏合膜），偏振片与第二外部基板之间有黏合膜（第三个黏合膜），完全对应于技术特征R的限定，因此直接公开。 |
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