对比文件的名称：2018-08-01_TW201827855A_发明专利_TW201827855A 液晶膜胞及含此液晶膜胞的窗戶及天窗
目标专利的名称：1599光学装置CN112204462B
本次调用的模型名称：DeepSeek AI 语言模型（v2）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（简体中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括第一外基板和第二外基板（未公开） | 对比文件未记载第一外基板和第二外基板。 | 对比文件涉及液晶膜胞及其在窗户等上的应用，但全文并未公开或暗示在液晶膜胞外部设置第一外基板和第二外基板，本领域技术人员无法从中直接或间接得出该特征。 |
| 技术特征B：液晶元件（直接公开） | “液晶膜胞可依次包括第一基底膜、液晶層及第二基底膜。”（【技術解決方案】部分） | 对比文件公开的液晶膜胞结构（第一基底膜、液晶层、第二基底膜）完全等同于目标专利的液晶元件（第一基础层、液晶层、第二基础层），因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：所述液晶元件定位在所述第一外基板与所述第二外基板之间并且具有其中第一基础层、液晶层和第二基础层顺序层合的结构（未公开） | 对比文件未公开第一外基板和第二外基板，但公开了“液晶膜胞可依次包括第一基底膜、液晶層及第二基底膜”。 | 对比文件虽然公开了液晶膜胞的内部层合结构，但并未公开该层合结构定位在两个外基板之间，因此整体技术特征C未被公开。 |
| 技术特征D：粘合膜（未公开） | 对比文件未记载粘合膜。 | 对比文件中仅提及密封剂用以密封液晶层，并未公开用于粘合外基板与液晶元件的粘合膜，因此特征D未被公开。 |
| 技术特征E：所述粘合膜定位在所述第一外基板与所述液晶元件之间以及所述第二外基板与所述液晶元件之间（未公开） | 对比文件未记载。 | 同特征D，对比文件未公开粘合膜，更未公开其位置关系。 |
| 技术特征F：其中所述第一基础层和所述第二基础层中的一者或更多者的如由以下方程式1表示的抗弯刚度D为2.2*10^(-4) N·m或更大（未公开） | 对比文件未公开抗弯刚度D及其数值。 | 对比文件未提及抗弯刚度或相关参数（杨氏模量、厚度、泊松比等），本领域技术人员无法得知抗弯刚度范围。 |
| 技术特征G：[方程式1]在以上方程式1中（未公开） | 对比文件未公开方程式1。 | 对比文件中无对应内容。 |
| 技术特征H：D为所述基础层的抗弯刚度，E为所述基础层的杨氏模量，he为所述基础层的厚度，以及υ为所述基础层的泊松比。（未公开） | 对比文件未公开这些定义。 | 对比文件中无对应内容。 |
| 技术特征I：其中所述第一基础层和所述第二基础层各自具有2.2*10^(-4) N·m或更大的如由方程式1表示的抗弯刚度D。（未公开） | 对比文件未公开。 | 同特征F，对比文件未公开任何抗弯刚度数值或定义。 |
| 技术特征J：其中所述第一基础层和所述第二基础层各自具有1*10^9 N/m^2至1*10^10 N/m^2的杨氏模量。（未公开） | 对比文件未公开杨氏模量范围。 | 对比文件未提及杨氏模量。 |
| 技术特征K：其中所述第一基础层和所述第二基础层各自具有10μm至1,000μm的厚度he。（直接公开） | “第一基底膜及/或第二基底膜之厚度可為50微米至300微米、60微米至250微米、70微米至200微米、80微米至150微米或90微米至110微米。”（【技術解決方案】部分） | 对比文件明确公开了基底膜（相当于目标专利的基础层）的厚度范围（如50-300μm），这些范围全部落在目标专利所要求的10-1000μm之内，因此技术特征K被直接公开。 |
| 技术特征L：其中所述第一基础层和所述第二基础层各自独立地为聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚酰亚胺膜、环烯烃聚合物膜、三乙酰纤维素膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜或聚碳酸酯膜。（直接公开） | “塑膠膜之具體實例可藉由包括以下之基底膜例示：三乙醯纖維素（TAC）；環烯烴共聚物（COP）；…；聚碳酸酯（PC）；…；聚萘二甲酸乙二酯（PEN）；聚對苯二甲酸乙二酯（PET）；聚醯亞胺（PI）；…”（【技術解決方案】部分） | 对比文件列出的基底膜材料中包含了目标专利特征L所列举的全部六种材料（TAC、COP、PC、PEN、PET、PI），因此技术特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：其中所述液晶层包含二色性染料客体。（直接公开） | “液晶層可包括液晶化合物及異向性染料。”（【技術解決方案】部分） | 异向性染料即为二色性染料，对比文件明确公开液晶层包含异向性染料，因此技术特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：其中所述液晶元件包括形成在所述第一基础层和所述第二基础层中的每一者上的导电层。（直接公开） | “第一電極層及第二電極層”（【技術解決方案】部分）；实施例中明确形成第一电极层和第二电极层。 | 对比文件公开了在第一基底膜和第二基底膜上形成电极层（导电层），因此技术特征N被直接公开。 |
| 技术特征O：其中所述液晶元件包括形成在所述导电层上的配向膜。（直接公开） | “第一電極層可安置於第一基底膜與第一配向膜之間”（【技術解決方案】部分） | 该记载表明电极层在基底膜与配向膜之间，即配向膜形成在电极层（导电层）上，因此技术特征O被直接公开。 |
| 技术特征P：其中所述液晶元件能够切换第一取向状态和第二取向状态。（直接公开） | “液晶層可根據外部電壓施加來轉換其取向。”（【技術解決方案】部分）；“液晶化合物及異向性染料可在垂直取向狀態與水平取向狀態之間切換。”（【技術解決方案】部分） | 对比文件公开了液晶层可在不同取向状态（如垂直取向与水平取向）之间切换，因此技术特征P被直接公开。 |
| 技术特征Q：还包括定位在所述第一外基板与所述第二外基板之间的偏振器。（未公开） | 对比文件未记载偏振器。 | 对比文件未公开任何偏振器结构，因此技术特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：其中所述粘合膜定位在所述第一外基板与所述液晶元件之间、所述液晶元件与所述偏振器之间、以及所述第二外基板与所述偏振器之间。（未公开） | 对比文件未记载粘合膜及偏振器。 | 对比文件未公开粘合膜和偏振器，因此无法公开其位置关系。 |
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