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对比文件列表
2003-11-28_JP2003338631A_发明专利_JP2003338631A Semiconductor device and its manufacturing method_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_M_S_f_k_p_q_t+++.docx
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2011-07-14_US2011168255A_发明申请_US20110168255A1 ELECTRODE STRUCTURE OF SOLAR CELL_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_m_o_r+++.docx
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2012-06-07_US2012138141A_发明申请_US20120138141A1 SOLAR CELL_+++A_D_E_G_H_I_J_L_S_b_f_k_q+++.docx
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2013-07-04_WO2013099039A_发明申请_WO2013099039A1 太陽電池及びその製造方法_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_M_S_U_X_c_p_t_z+++.docx
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2014-07-10_US2014190563A_发明申请_US20140190563A1 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL_+++A_B_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_Q_S_p_t+++.docx
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2015-03-05_WO2015029657A_发明申请_WO2015029657A1 太陽電池_+++A_D_G_H_I_b_e+++.docx
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2015-06-09_US9054238B_发明授权_US09054238B1 Semiconductor with silver patterns having pattern segments_+++A_B_c_d_e_g_h_i_j_l_m_o_p_r_s_x+++.docx
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2015-09-17_US2015263194A_发明申请_US20150263194A1 SOLAR CELL_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_M_S+++.docx
2026-07-03 01:10
2016-03-31_US2016093752A_发明申请_US20160093752A1 SOLAR CELL AND SOLAR CELL PANEL INCLUDING THE SAME_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_R+++.docx
2026-07-03 01:10
2016-04-07_KR1020160038717A_发明公开_KR1020160038717A 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_P_R+++.docx
2026-07-03 01:10
2016-10-06_WO2016157683A_发明申请_WO2016157683A1 太陽電池モジュール_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_c_f_k_m_o_p_q_r+++.docx
2026-07-03 01:10
2014-07-10_US2014190563A_发明申请_US20140190563A1 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL_+++A_B_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_Q_S_p_t+++.docx

对比文件名称:2014-07-10_US2014190563A_发明申请_US20140190563A1 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL

目标专利名称:1610太阳能电池和包括该太阳能电池的太阳能电池板CN108074996B

本次调用的模型名称:无(用户未指定,可留空)

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译成中文)公开性论述
技术特征A:该太阳能电池包括《直接公开》[0026]:“太阳能电池10包括光电转换部分11、形成在光电转换部分11的受光面上的受光面电极12、以及形成在光电转换部分11的背面上的背面电极13。”对比文件明确公开了一种太阳能电池,包括光电转换部分、电极等,因此直接公开了“该太阳能电池包括”。
技术特征B:半导体基板《直接公开》[0029]:“光电转换部分11例如具有半导体基板20、在基板20的受光面侧形成的非晶半导体层21、以及在基板20的背面侧形成的非晶半导体层22。”对比文件直接公开了半导体基板20,因此直接公开。
技术特征C:在该半导体基板的边缘处形成有倒角《未公开》对比文件全文未记载。对比文件未提及半导体基板的边缘具有倒角,也未暗示基板形状为带倒角的准正方形,因此未公开。
技术特征D:电极《直接公开》[0026]:“受光面电极12和背面电极13”。对比文件公开了形成于半导体基板表面的电极,因此直接公开。
技术特征E:该电极通过导电型区域电连接到所述半导体基板《直接公开》[0029]-[0030]:非晶半导体层21(p型)和22(n型)形成在基板20两侧,受光面电极12形成在非晶半导体层21上,背面电极13形成在非晶半导体层22上。对比文件公开了电极通过掺杂的半导体层(导电型区域)电连接到半导体基板,因此直接公开。
技术特征F:其中《直接公开》全文多处使用“其中”作为连接词。“其中”为无实质技术内容的连接词,对比文件明确使用,直接公开。
技术特征G:所述电极包括《直接公开》[0032]:“受光面电极12还包括多个指状部31和多个汇流条部34。”对比文件明确电极包括指状线和汇流条,直接公开。
技术特征H:在第一方向上延伸的多条指状线《直接公开》[0032]:“指状部31是在透明导电层30上广泛形成的细线状电极。”;图1显示指状线沿水平方向(第一方向)延伸。对比文件公开了多条指状线沿第一方向延伸,直接公开。
技术特征I:在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸《直接公开》[0033]:“两个汇流条部34相互平行地以预定间隔配置,多个指状部31大致正交于汇流条部34配置。”对比文件公开了汇流条沿与指状线交叉的第二方向延伸,直接公开。
技术特征J:连接所述多条指状线并在所述第一方向上彼此间隔开第一宽度的多个汇流条《直接公开》[0032]-[0033]:汇流条部34连接指状部31,且两个汇流条部34相互平行以预定的间隔(第一宽度)配置。对比文件公开了两个汇流条连接多条指状线,并在第一方向上彼此间隔开,直接公开。
技术特征K:其中《直接公开》全文多处使用“其中”。同特征F。
技术特征L:所述多个汇流条包括《直接公开》[0032]:“多个(例如两个)汇流条部34”。对比文件公开了多个汇流条,直接公开。
技术特征M:第一汇流条对《直接公开》[0033]:“两个汇流条部34相互平行地以预定间隔配置”。对比文件的两个汇流条可视为第一汇流条对,直接公开。
技术特征N:所述第一汇流条对分别设置在所述半导体基板的相对端并且在所述第一方向上分离开比所述倒角的宽度大的第二宽度《未公开》[0033]仅记载汇流条部以预定间隔配置,未提及设置位置靠近基板相对端,也未提及倒角。对比文件中的汇流条设置在基板内部区域而非相对端,且未涉及倒角宽度比较,因此未公开。
技术特征O:设置在所述第一汇流条对之间的多个第二汇流条;并且中《未公开》对比文件仅有两个汇流条,无其他汇流条。对比文件未公开在第一汇流条对之间还设置有多个第二汇流条,因此未公开。
技术特征P:设置在所述半导体基板的一端与所述第一汇流条对中的一个之间的第一区域中的多条指状线具有与设置在所述第一汇流条对之间的第二区域中的多条指状线不同的形状《隐含公开》[0065]及图6:“最靠近电镀端子部14的第一指状部32ex的宽度大于其他第一指状部32和第二指状部33、33e的宽度。”;图6显示,在基板左端与左边汇流条之间的区域(第一区域)中,第一指状部32ex宽度较大;在两个汇流条之间的区域(第二区域)中,第二指状部33宽度正常。对比文件虽未明确使用“第一区域”“第二区域”的术语,但本领域技术人员结合图6可知:基板端部与汇流条之间的区域(第一区域)中的指状线(至少部分)宽度明显大于两个汇流条之间的区域(第二区域)中的指状线宽度,即形状不同。因此,该技术特征被隐含公开。
技术特征Q:其中《直接公开》全文多处。同特征F。
技术特征R:所述第二区域被所述多个第二汇流条分成多个第三区域;并且中《未公开》对比文件无第二汇流条。对比文件未公开第二区域被第二汇流条分割成多个第三区域,因此未公开。
技术特征S:所述多条指状线包括《直接公开》[0033]:“指状部31具有从各汇流条部34向受光面的端缘侧延伸的第一指状部32和连接两个汇流条部34的第二指状部33”。对比文件公开了指状线包括第一指状部和第二指状部,直接公开“多条指状线包括”。
技术特征T:设置在所述第一区域中的延伸部分《隐含公开》[0065]及图6:最靠近电镀端子部14的第一指状部32ex宽度较大,且其位于基板端部与汇流条之间的区域(第一区域)中。对比文件公开了在第一区域中设置有宽度较大的指状部,该部分可视为目标专利中的延伸部分(宽度大于其他区域的指状部分)。目标专利的延伸部分设置在第一区域中且宽度较大,对比文件公开了相应结构,因此隐含公开。
技术特征U:连接部分《未公开》对比文件未记载。对比文件未公开位于第三区域且宽度中等(介于延伸部分与指状部分之间)的连接部分,因此未公开。
技术特征V:所述连接部分设置在所述多个第三区域中与所述第一区域相邻的第三区域对中《未公开》对比文件未记载。对比文件既无连接部分,也无第三区域对的概念,因此未公开。
技术特征W:所述连接部分的宽度小于所述延伸部分的宽度《未公开》对比文件未记载。对比文件未公开连接部分及其与延伸部分的宽度关系,因此未公开。
技术特征X:指状部分《未公开》对比文件虽有权值部分,但未区分指状部分、连接部分等。对比文件没有公开目标专利中与连接部分相对的、宽度更小的指状部分,因此未公开。
技术特征Y:所述指状部分设置在所述多个第三区域中不设置所述连接部分的第三区域中《未公开》对比文件未记载。对比文件无相应的区域划分和连接部分设置,因此未公开。
技术特征Z:所述指状部分的宽度小于所述连接部分的宽度《未公开》对比文件未记载。对比文件未公开连接部分和指状部分,更未公开宽度比较,因此未公开。

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