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2011-07-14_US2011168255A_发明申请_US20110168255A1 ELECTRODE STRUCTURE OF SOLAR CELL_+++A_B_D_E_G_H_I_J_L_m_o_r+++.docx

**对比文件名称**:2011-07-14_US2011168255A_发明申请_US20110168255A1 ELECTRODE STRUCTURE OF SOLAR CELL

**目标专利名称**:1610太阳能电池和包括该太阳能电池的太阳能电池板CN108074996B

**本次调用的模型名称**:用户未指定

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(翻译成中文)公开性论述
**技术特征A**:该太阳能电池包括<br>《直接公开》【0028】“太阳能电池2包括电极结构21”。对比文件明确公开了“太阳能电池2”这一产品,直接对应目标专利的“太阳能电池”。
**技术特征B**:半导体基板<br>《直接公开》【0030】“基板20可以是半导体基板,由具有光电转换功能的半导体材料制成,例如单晶硅基板、多晶硅基板或砷化镓基板”。对比文件直接公开了用于太阳能电池的半导体基板,与目标专利的半导体基板实质相同。
**技术特征C**:在该半导体基板的边缘处形成有倒角<br>《未公开》对比文件全文未提及“倒角”或半导体基板边缘的倾斜形状。目标专利的倒角是单晶硅基板特有的准正方形切割形成的倾斜边缘,对比文件未作任何描述,本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出该特征。
**技术特征D**:电极<br>《直接公开》【0028】“电极结构21包括多个汇流电极211和多个指状电极212”。对比文件明确公开了电极结构,该结构即目标专利所述的电极。
**技术特征E**:该电极通过导电型区域电连接到所述半导体基板<br>《直接公开》【0030】“基板20包括至少一个P型半导体层和至少一个N型半导体层”;【0028】“电极结构21设置在基板20的光接收表面上”;【0009】“背接触电极13耦合到电极结构11以向外部负载提供电力”。对比文件公开了基板具有P型/N型导电型区域,电极设置于基板表面并通过接触这些导电型区域实现电连接,与目标专利作用相同。
**技术特征F**:其中<br>(不构成实质技术特征)无对应技术内容该词为连接用语,无需进行公开性判断。
**技术特征G**:所述电极包括<br>《直接公开》【0028】“电极结构21包括多个汇流电极211和多个指状电极212”。对比文件直接公开了电极由汇流电极和指状电极构成,即目标专利所述的电极包括指状线和汇流条。
**技术特征H**:在第一方向上延伸的多条指状线<br>《直接公开》【0034】“汇流电极211和指状电极212基本上彼此垂直”;【0028】“多个指状电极212设置在汇流电极的两侧”。对比文件公开了指状电极沿一定方向(垂直于汇流电极)延伸,形成了多条平行的指状线,与目标专利的指状线对应。
**技术特征I**:在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸<br>《直接公开》【0034】“汇流电极211和指状电极212基本上彼此垂直”。对比文件明确公开了汇流电极沿与指状电极垂直的方向延伸,即目标专利的第二方向。
**技术特征J**:连接所述多条指状线并在所述第一方向上彼此间隔开第一宽度的多个汇流条<br>《直接公开》【0028】“汇流电极211分开设置在基板20上”;“指状电极212设置在汇流电极211的两侧并电连接到汇流电极211”。对比文件公开了多个汇流电极彼此间隔设置,电连接指状电极,且沿第一方向排列。目标专利的“第一宽度”在此仅为泛指间隔,对比文件虽未给出具体数值,但已公开间隔布置的实质。
**技术特征K**:其中<br>(不构成实质技术特征)无对应技术内容同特征F。
**技术特征L**:所述多个汇流条包括<br>《直接公开》【0028】“电极结构21包括多个汇流电极211”。对比文件直接公开了电极结构包括多个汇流电极,即目标专利的汇流条。
**技术特征M**:第一汇流条对<br>《隐含公开》【0028】“多个汇流电极211分开设置在基板20上”。对比文件虽未明确区分“第一汇流条对”,但多个汇流电极中必然存在位于基板相对端的最外侧两个汇流电极,它们可被视作一对。本领域技术人员根据对比文件公开的多个汇流电极的布置,可以合理推断出存在位于两端的汇流条对。
**技术特征N**:所述第一汇流条对分别设置在所述半导体基板的相对端并且在所述第一方向上分离开比所述倒角的宽度大的第二宽度<br>《未公开》对比文件未提及倒角,也未公开汇流条与基板边缘的距离或任何与倒角宽度比较的关系。目标专利的第一汇流条对相对于倒角的位置和偏移量是解决倒角区域输出损耗问题的关键,对比文件完全没有涉及倒角及相关的偏移设计,本领域技术人员无法从对比文件得出该特征。
**技术特征O**:设置在所述第一汇流条对之间的多个第二汇流条<br>《隐含公开》【0028】“多个汇流电极211分开设置在基板20上”。在隐含公开第一汇流条对的前提下,位于最外侧汇流电极之间的其他汇流电极自然形成第二汇流条,本领域技术人员可以合理推断出此结构。
**技术特征P**:设置在所述半导体基板的一端与所述第一汇流条对中的一个之间的第一区域中的多条指状线具有与设置在所述第一汇流条对之间的第二区域中的多条指状线不同的形状<br>《未公开》对比文件未划分第一区域和第二区域,也未公开不同区域的指状线具有不同形状。虽然指状线具有梯形形状(一端宽一端窄),但该形状是全局性而非分区变化的。目标专利通过端部区域(第一区域)与中间区域(第二区域)指状线形状不同来补偿输出损耗,对比文件的指状线形状变化仅沿单根线本身渐变,未涉及不同区域间的形状差异,作用也不同。
**技术特征Q**:并且中<br>(不构成实质技术特征)无对应技术内容同特征F。
**技术特征R**:所述第二区域被所述第二汇流条分成多个第三区域<br>《隐含公开》【0028】多个汇流电极分开设置在基板上。在隐含公开第二汇流条的情况下,第二区域(第一汇流条对之间的区域)自然被多个第二汇流条分隔成多个子区域。本领域技术人员可以合理推断出此区域划分。
**技术特征S**:所述多条指状线包括<br>《未公开》(具体组成未公开)对比文件公开了指状线包括梯形形状(宽度渐变),但未公开后续的延伸部分、连接部分、指状部分等特定部件。目标专利的指状线包括延伸部分、连接部分、指状部分,三者具有特定的位置和相对宽度关系。对比文件虽有指状线的宽度变化,但未公开按区域划分的这些部分,故未公开特征S的实质内容。
**技术特征T**:设置在所述第一区域中的延伸部分<br>《未公开》对比文件未定义第一区域,也未公开专门设置于边缘区域的延伸部分。目标专利的延伸部分位于第一区域(端部),宽度大于中间部分。对比文件没有第一区域及相应的延伸部分。
**技术特征U**:连接部分<br>《未公开》对比文件未公开任何被称作“连接部分”的电极结构。目标专利的连接部分位于与第一区域相邻的第三区域且宽度介于延伸部分和指状部分之间。对比文件无此结构。
**技术特征V**:所述连接部分设置在所述多个第三区域中与所述第一区域相邻的第三区域对中<br>《未公开》对比文件未提及第三区域对或连接部分的设置位置。该位置关系完全依赖目标专利的区域划分和特定设计,对比文件未公开。
**技术特征W**:所述连接部分的宽度小于所述延伸部分的宽度<br>《未公开》对比文件未公开连接部分和延伸部分的宽度比较。目标专利的宽度关系是实现输出损耗梯度补偿的关键,对比文件无相关教导。
**技术特征X**:指状部分<br>《未公开》对比文件未公开与目标专利相同的“指状部分”(位于未设置连接部分的第三区域且宽度最小)。目标专利的指状部分宽度最小,是基准宽度。对比文件指状线最窄处可能在中间,但未按区域定义为指状部分。
**技术特征Y**:所述指状部分设置在所述多个第三区域中不设置所述连接部分的第三区域中<br>《未公开》对比文件未公开第三区域中是否设置连接部分或指状部分的选择。目标专利通过选择性设置连接部分来过渡宽度,对比文件无此概念。
**技术特征Z**:所述指状部分的宽度小于所述连接部分的宽度<br>《未公开》对比文件未公开指状部分和连接部分的宽度比较。同特征W,宽度关系是目标专利的特定设计,对比文件未公开。

**结论代码**(仅列出被直接公开或隐含公开的特征对应代码):

- 直接公开:A、B、D、E、G、H、I、J、L

- 隐含公开:M、O、R

对应代码:

<<<A>>><<<B>>><<<D>>><<<E>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<L>>><<<m>>><<<o>>><<<r>>>

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