**对比文件名称**：2015-06-08_JP2015106586A_发明专利_JP2015106586A 太陽電池素子の製造方法および太陽電池モジュール
**目标专利名称**：1649 太阳能电池及其制造方法 CN108110072B
**本次调用的模型名称**：资深专利代理师分析模型（基于专利创造性评估指令）
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## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中译文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该方法包括以下步骤【直接公开】 | 对比文件[0008]：“本発明の一態様に係る太陽電池素子の製造方法は、n型シリコンからなる基板の表面にホウ素を拡散させて…を有する。”（中译：本发明的太阳能电池元件的制造方法包括：扩散工序、吸收层形成工序、抗蚀剂层配置工序、蚀刻工序、抗蚀剂层去除工序、硼浓度差形成工序、吸收层去除工序、电极形成工序。） | 对比文件明确公开了太阳能电池元件的制造方法，均由多个步骤构成，本领域技术人员能毫无疑义地得出该方法包括步骤，故直接公开特征A。 |
| 技术特征B：在半导体基板的划线部分上设置掩模【未公开】 | 对比文件[0032]：“前記吸収層の上面の一部に、エッチングに対して耐性を有するレジスト層15をパターニング形成する。”（中译：在吸收层的一部分区域上图案化形成对抗蚀刻具有耐受性的抗蚀剂层15。） | 对比文件公开了在吸收层上设置抗蚀剂层（可视为掩模），但该抗蚀剂层并非设置在半导体基板的“划线部分”上，且对比文件未揭示任何划线部分或后续分割概念。目标专利明确要求掩模设置在划线部分，二者位置、作用均不同，本领域技术人员无法从对比文件直接得到该特征，亦无合理推理基础，故不公开。 |
| 技术特征C：其中，所述半导体基板包括多个单元部分【未公开】 | 对比文件[0014]：“半導体基板2は、例えば単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板が用いられる。”（中译：半导体基板2使用例如单晶硅基板或多晶硅基板。） | 对比文件仅提及半导体基板本身，未公开基板包含多个单元部分。虽然实际生产中基板可能被分割为多个电池单元，但对比文件未给出任何暗示或教导，不能合理推断出基板包括多个单元部分，故不公开。 |
| 技术特征D：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间【未公开】 | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开划线部分，也未公开单元部分，故该特征完全不公开。 |
| 技术特征E：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域【未公开】 | 对比文件[0028]：“ホウ素を半導体基板2の表面に拡散させることによって、半導体基板2の表層内にp型シリコン層であるp型層8を形成する。”（中译：通过使硼在半导体基板表面扩散，在基板表层内形成p型层8。）[0032]：抗蚀剂层形成在吸收层14上。 | 对比文件的第一导电区域（p型层）是通过扩散在半导体基板表层形成，且形成在设置抗蚀剂层（掩模）之前，并非在基板和掩模上同时形成。抗蚀剂层设置于吸收层之上，与导电区域的形成无关。故未公开该特征。 |
| 技术特征F：在所述第一导电区域上形成第一电极【直接公开】 | 对比文件[0042]：“表面側導電ペースト17を配置する。”（中译：配置表面侧导电浆料。）[0043]：“表面側導電ペースト17は、反射防止膜9をファイアースルーして…半導体基板2と直接、接するバスバー電極3およびフィンガー電極4が形成される。”（中译：表面侧导电浆料烧穿反射防止膜，形成直接接触半导体基板的母线电极和指状电极。） | 对比文件公开了在p型层（第一导电区域）上形成表面电极（即第一电极），该电极通过烧穿与p型层接触，形成电连接。因此直接公开了在导电区域上形成第一电极。 |
| 技术特征G：所述第一电极与所述第一导电区域电联接【直接公开】 | 对比文件[0043]：如上所述，烧成后电极与半导体基板（p型层）直接接触，实现电联接。 | 对比文件明确电极与基板中的导电区域（p型层）形成金属-半导体接触，即电联接，故直接公开。 |
| 技术特征H：去除所述掩模【直接公开】 | 对比文件[0033]：“レジスト層15の耐酸レジストを剥離液で除去する（レジスト層除去工程）。”（中译：用剥离液去除抗蚀剂层（抗蚀剂层去除工序）。） | 对比文件公开了去除抗蚀剂层（掩模）的步骤，该步骤属于方法一部分，故直接公开特征H。 |
| 技术特征I：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分【未公开】 | 对比文件无此记载。 | 对比文件中，第一导电区域（p型层）在设置掩模前已形成，且掩模（抗蚀剂）设置在吸收层上，掩模上并不存在第一导电区域。因此去除掩模并不伴随去除导电区域部分，故不公开。 |
| 技术特征J：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板【未公开】 | 对比文件全文无激光照射、划线或分割基板的任何记载。 | 对比文件的方法中不包含任何分割基板的步骤，更未涉及激光照射划线部分，故完全不公开特征J。 |
| 技术特征K：其中【直接公开】 | 对比文件全文多处使用“其中”等连接词。 | 该特征为方法步骤间的连接词，无技术内容，对比文件的方法描述中必然包含此类语言，故直接公开。 |
| 技术特征L：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露【未公开】 | 对比文件[0033]：去除抗蚀剂后，所述吸收層で覆われていない領域のp型層8を露出させる（露出未被吸收层覆盖的p型层）。 | 对比文件去除抗蚀剂后露出的是p型层或吸收层，并非半导体基板本身，且无划线部分概念，故不公开。 |
| 技术特征M：其中【直接公开】 | 同特征K。 | 直接公开。 |
| 技术特征N：形成所述第一电极包括以下步骤【直接公开】 | 对比文件[0042]-[0043]描述了形成表面电极的具体步骤（配置导电浆料、干燥、烧成等）。 | 对比文件公开了形成第一电极的步骤（包括多个子步骤），故直接公开特征N。 |
| 技术特征O：形成第一透明电极层【未公开】 | 对比文件[0042]使用表面侧导电浆料（银等金属成分），未提及透明导电层。 | 对比文件未公开任何透明电极层的形成，其电极由金属浆料直接形成，无分层结构，故不公开。 |
| 技术特征P：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层【未公开】 | 对比文件无相关记载。 | 对比文件无透明电极层，故不能在透明电极层上形成金属电极层，该特征不公开。 |
| 技术特征Q：形成所述第一金属电极层包括以下步骤【直接公开】 | 对比文件[0042]形成表面侧导电浆料（金属电极）的步骤（印刷、干燥），以及[0043]的烧成步骤。 | 对比文件公开了形成金属电极（即第一金属电极层）的步骤，包括印刷、干燥、烧成等，故直接公开。 |
| 技术特征R：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层【未公开】 | 对比文件无单元部分记载。 | 对比文件未公开单元部分，也未限定金属电极形成区域为单元部分，故不公开。 |
| 技术特征S：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层【未公开】 | 对比文件无划线部分记载。 | 对比文件无划线部分，故未公开该限定。 |
| 技术特征T：该方法还包括以下步骤【直接公开】 | 对比文件[0008]等概括了多个步骤，且全文描述了各工序步骤。 | 对比文件的方法包含多个步骤，特征T作为方法步骤的引入语，被对比文件直接公开。 |
| 技术特征U：在设置所述掩模之前【直接公开】 | 对比文件[0028]-[0031]在形成抗蚀剂层（掩模）之前进行了扩散、形成吸收层等步骤。 | 对比文件明确在设置掩模（抗蚀剂）之前具有其他工序，因此存在“在设置掩模之前”的时间顺序，故直接公开特征U。 |
| 技术特征V：在所述半导体基板上形成第一钝化层【未公开】 | 对比文件[0039]形成反射防止膜（如氮化硅），但这是在设置掩模后、电极形成前进行的，且该膜并非目标专利所述的第一钝化层（隧穿层）。 | 对比文件没有在设置掩模之前形成钝化层，且反射防止膜的作用与目标专利的第一钝化层（用作隧穿层）不同，故不公开。 |
| 技术特征W：其中【直接公开】 | 同特征K。 | 直接公开。 |
| 技术特征X：去除所述掩模包括以下步骤【直接公开】 | 对比文件[0033]描述了用剥离液去除抗蚀剂层的具体操作。 | 对比文件公开了去除掩模（抗蚀剂）的步骤，故直接公开特征X。 |
| 技术特征Y：去除所述掩模【直接公开】 | 同特征H引用内容。 | 同特征H论证，直接公开。 |
| 技术特征Z：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露【未公开】 | 对比文件无与此对应的内容。 | 对比文件无第一钝化层，无划线部分暴露，故不公开。 |
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**公开性代码输出**
基于上述比对，对比文件直接公开了技术特征 A、F、G、H、K、M、N、Q、T、U、W、X、Y，未直接或隐含公开其他技术特征。
因此，在回答结尾插入相应大写代码：
<<<A>>><<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<K>>><<<M>>><<<N>>><<<Q>>><<<T>>><<<U>>><<<W>>><<<X>>><<<Y>>>