**对比文件名称**：2013-10-22_KR1020130115875A_发明公开_KR1020130115875A 태양 전지 및 그 제조 방법
**目标专利名称**：1649太阳能电池及其制造方法CN108110072B
**本次调用的模型名称**：GPT-4o
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该方法包括以下步骤 《直接公开》 | [0028] “根据本发明…太阳能电池的制造方法包括：在半导体晶圆的边缘部分形成分离沟槽线的工序；在包括分离沟槽线的半导体晶圆的上表面上形成第一半导体层的工序；在第一半导体层上形成第一电极的工序；以及在半导体晶圆的下表面上形成第二半导体层的工序；以及利用分离沟槽线将半导体晶圆的边缘部分分离的工序。” | 对比文件直接公开了一种太阳能电池制造方法，其包含多个具体工序，因此直接公开了“该方法包括以下步骤”这一上位限定。 |
| 技术特征B：在半导体基板的划线部分上设置掩模 《未公开》 | 无合适记载。 | 对比文件仅背景技术[0011]提及使用掩模覆盖边缘部分（EA），但该掩模设置在边缘区域而非划线部分，且本发明优选实施例未采用掩模。因此未公开。 |
| 技术特征C：其中，所述半导体基板包括多个单元部分 《未公开》 | 无合适记载。 | 对比文件从半导体晶圆出发，仅描述最终形成一个太阳能电池，未公开晶圆内部具有多个单元部分。因此未公开。 |
| 技术特征D：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间 《未公开》 | 无合适记载。 | 对比文件没有多个单元部分和位于其间的划线部分的概念，因此未公开。 |
| 技术特征E：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域 《未公开》 | 无合适记载。 | 对比文件未采用掩模，其第一半导体层（相当于第一导电区域）直接形成在半导体晶圆（包括分离沟槽线）上，未涉及在掩模上形成。因此未公开。 |
| 技术特征F：在所述第一导电区域上形成第一电极 《直接公开》 | [0015] “第一电极40形成在第一半导体层20上。” [0056] “第一电极400形成在第一半导体层200的上表面。” | 对比文件明确公开了在第一半导体层（即第一导电区域）上形成第一电极的步骤，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述第一电极与所述第一导电区域电联接 《直接公开》 | [0015] 第一电极与第一半导体层直接接触。 | 由于第一电极形成在第一导电区域上，两者必然形成电连接，该技术效果是固有的，因此直接公开。 |
| 技术特征H：去除所述掩模 《未公开》 | 无合适记载。 | 对比文件制造方法中不存在掩模，因此无去除掩模步骤，未公开。 |
| 技术特征I：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分 《未公开》 | 无合适记载。 | 对比文件无掩模及对应的lift-off工艺，未公开。 |
| 技术特征J：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板。 《未公开》 | [0034] “分离沟槽线可用激光形成” [0035] “将半导体晶圆的边缘部分分离的工序是将边缘部分真空吸附或加压来分离” | 对比文件使用物理力（真空吸附或加压）沿分离沟槽线分割，并未采用激光照射划线部分进行分割。虽可用激光形成沟槽，但分割步骤明确为物理方式，未公开本特征。 |
| 技术特征K：其中 《直接公开》 | 对比文件全文使用“其中”等连接词。 | 对比文件在方法描述中自然包含连接词，直接公开该语法成分。 |
| 技术特征L：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露。 《未公开》 | 无合适记载。 | 对比文件无掩模，无划线部分暴露的步骤，未公开。 |
| 技术特征M：其中 《直接公开》 | 同特征K。 | 同特征K论述。 |
| 技术特征N：形成所述第一电极包括以下步骤 《直接公开》 | [0113] “在第一半导体层200上形成第一电极400。” [0114]详细描述形成方法。 | 对比文件直接公开了形成第一电极的步骤，因此直接公开。 |
| 技术特征O：形成第一透明电极层 《直接公开》 | [0068] “第一导电层300由ITO等透明导电材料形成。” [0069] “通过溅射或MOCVD形成。” | 对比文件公开的形成第一导电层（透明导电层）相当于目标专利的第一透明电极层，两者材料与功能相同，因此直接公开。 |
| 技术特征P：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层；并且中 《直接公开》 | [0070] “第一电极400形成在第一导电层300的上表面。” [0114]用金属浆料通过印刷形成。 | 对比文件明确公开了在透明导电层上形成金属电极（第一电极），因此直接公开。 |
| 技术特征Q：形成所述第一金属电极层包括以下步骤 《直接公开》 | [0114] “第一电极400可以通过印刷工艺形成。” | 对比文件公开了形成金属电极层的工艺步骤，因此直接公开。 |
| 技术特征R：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层 《隐含公开》 | [0114] 印刷工艺形成第一电极；最终物理分离后保留的区域即为单元部分。 | 对比文件中，第一金属电极层通过印刷形成于半导体晶圆的有效区域，该区域经物理分离后保留为太阳能电池单元部分。虽未明确定义“单元部分”，但本领域技术人员可合理推断第一金属电极层形成于单元部分上，因此隐含公开。 |
| 技术特征S：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层。 《未公开》 | 无合适记载。 | 对比文件无“划线部分”概念，且未对金属电极层在特定区域的形成做出限定，因此未公开。 |
| 技术特征T：该方法还包括以下步骤 《直接公开》 | [0028]等记载了多个步骤。 | 对比文件公开了包括额外工序的方法，直接公开“还包括以下步骤”。 |
| 技术特征U：在设置所述掩模之前 《未公开》 | 无合适记载。 | 对比文件无设置掩模的步骤，因此无法公开该时间限定，未公开。 |
| 技术特征V：在所述半导体基板上形成第一钝化层 《直接公开》 | [0076] “在半导体晶圆100的上表面形成第一本征半导体层150，然后形成第一半导体层200。” | 对比文件的第一本征半导体层（i-a-Si）起钝化作用，与目标专利的第一钝化层功能相同，直接公开形成第一钝化层的步骤。 |
| 技术特征W：其中 《直接公开》 | 同特征K。 | 同特征K论述。 |
| 技术特征X：去除所述掩模包括以下步骤 《未公开》 | 无合适记载。 | 对比文件无掩模，因此无去除掩模步骤，未公开。 |
| 技术特征Y：去除所述掩模 《未公开》 | 无合适记载。 | 对比文件无掩模，因此无去除掩模步骤，未公开。 |
| 技术特征Z：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露。 《未公开》 | 无合适记载。 | 对比文件无掩模，无划线部分暴露，未公开。 |
### 直接公开代码（大写）
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### 隐含公开代码（小写）
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