对比文件名称：2008-03-13_JP2008060205A_发明专利_JP2008060205A Solar cell and method for manufacturing the same
目标专利名称：1649太阳能电池及其制造方法CN108110072B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该方法包括以下步骤 《直接公开》 | 对比文件第[2]段：“本发明涉及通过用分割沟分割大面积太阳能电池而获得的太阳能电池及其制造方法。”整体描述制造方法。 | 对比文件公开了一种太阳能电池的制造方法，包括形成分割沟和分割等步骤，本领域技术人员毫无疑义地得出该方法包含步骤，直接公开。 |
| 技术特征B：在半导体基板的划线部分上设置掩模 《未公开》 | 对比文件全文未提及掩模。 | 对比文件没有任何关于在划线部分设置掩模的描述或暗示，既不直接也不隐含公开。 |
| 技术特征C：其中，所述半导体基板包括多个单元部分 《隐含公开》 | 对比文件第[2]段：“従来より、大面積の半導体基板からなる太陽電池セルを、小面積の太陽電池セルに分割し”（传统上，将大面积半导体基板构成的太阳能电池分割成小面积太阳能电池）；实施例中从125×125mm电池分割成40×123mm电池。 | 本领域技术人员可以合理推断大面积半导体基板包含多个最终将形成独立小电池的单元部分，分割沟位于它们之间。因此隐含公开。 |
| 技术特征D：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间 《隐含公开》 | 对比文件图7-10（a）以点线示出的割断线22位于太阳能电池的不同区域之间；说明书：“大面積の太陽電池セル２０は、図７〜図１０の（ａ）に点線で示す割断線２２に沿って割断され”。 | 从附图及说明书的记载，本领域技术人员可以明确割断线（即划线部分）位于两个分割后的小电池区域（单元部分）之间。隐含公开。 |
| 技术特征E：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域 《未公开》 | 对比文件第[2]段：“ｉ型非晶質シリコン層２の上にｐ型非晶質シリコン層３”形成导电层，但未提及掩模。 | 对比文件仅在基板表面形成导电层，无掩模，因此未公开在掩模上形成导电区域。 |
| 技术特征F：在所述第一导电区域上形成第一电极 《直接公开》 | 对比文件第[2]段：“ｐ型非晶質シリコン層３の上には、ＩＴＯなどからなる透明導電膜４（厚み約３０ｎｍ〜約１５０ｎｍ）が形成されている。”以及图7-10显示集电极21形成在电池上。 | 对比文件明确在p型非晶硅层（第一导电区域）上形成透明导电膜（第一电极的一部分）和集电极（金属电极），直接公开。 |
| 技术特征G：所述第一电极与所述第一导电区域电联接 《直接公开》 | 对比文件第[2]段透明导电膜直接接触p型非晶硅层，集电极又形成在透明导电膜上。 | 透明导电膜和集电极均与导电区域直接接触，本领域技术人员能确定电连接关系，直接公开。 |
| 技术特征H：去除所述掩模 《未公开》 | 对比文件无掩模相关步骤。 | 对比文件未公开任何去除掩模的步骤，不公开。 |
| 技术特征I：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分 《未公开》 | 对比文件未涉及。 | 对比文件没有通过去除掩模来去除导电区域部分的技术方案，不公开。 |
| 技术特征J：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板 《未公开》 | 对比文件第[2]段：“レーザー加工により、大面積セルに上記分割溝を…形成する工程”；以及分割步骤。 | 对比文件激光加工时半导体基板表面尚存在导电区域和电极，并非在去除第一导电区域后的划线部分上进行照射，因此未公开该步骤。 |
| 技术特征K：其中 《直接公开》 | 对比文件在描述中自然使用“其中”含义的连接词。 | 对比文件在说明书中使用“であり”、“が”等带有“其中”逻辑的词，本领域技术人员能理解结构限定，直接公开。 |
| 技术特征L：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露 《未公开》 | 对比文件无掩模暴露步骤。 | 对比文件未公开通过去除掩模暴露划线部分的方案，不公开。 |
| 技术特征M：其中 《直接公开》 | 同K。 | 同K。 |
| 技术特征N：形成所述第一电极包括以下步骤 《直接公开》 | 对比文件第[2]段描述了形成透明导电膜和集电极的步骤。 | 对比文件公开了形成电极的过程包含多个子步骤，直接公开。 |
| 技术特征O：形成第一透明电极层 《直接公开》 | 对比文件第[2]段：“ｐ型非晶質シリコン層３の上には、ＩＴＯなどからなる透明導電膜４”。 | 对比文件直接公开了形成ITO透明导电膜（即第一透明电极层），直接公开。 |
| 技术特征P：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层 《直接公开》 | 对比文件图7-10显示集电极21形成在电池表面，且本领域已知金属电极通过丝网印制等形成于透明导电膜上。 | 对比文件公开了在透明导电膜上形成金属集电极，直接公开。 |
| 技术特征Q：形成所述第一金属电极层包括以下步骤 《直接公开》 | 对比文件制造方法包括形成集电极的步骤。 | 对比文件的方法包括形成金属电极的步骤，直接公开。 |
| 技术特征R：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层 《隐含公开》 | 对比文件图7-10中集电极21形成在太阳能电池20上，分割后每个小电池（单元部分）上具有电极部分。 | 本领域技术人员可以合理推断金属电极层形成在单元部分（分割后的小电池区域），隐含公开。 |
| 技术特征S：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层 《隐含公开》 | 对比文件图7-10中割断线22（点线）与集电极21图案无交叉，通常电极印刷避开切割线。 | 从附图可合理推断金属电极层未形成在划线部分上，以便于分割，隐含公开。 |
| 技术特征T：该方法还包括以下步骤 《直接公开》 | 对比文件整体方法包括多个步骤。 | 对比文件的方法包括多个额外步骤，直接公开。 |
| 技术特征U：在设置所述掩模之前 《未公开》 | 对比文件无掩模步骤。 | 对比文件不涉及掩模设置，故该时间条件未公开。 |
| 技术特征V：在所述半导体基板上形成第一钝化层 《直接公开》 | 对比文件第[2]段：“ｎ型単結晶シリコン基板１の下方面である一方主面の上に、ｉ型非晶質シリコン層２（厚み約５ｎｍ〜約２０ｎｍ）が形成されており”。 | i型非晶硅层作为本征钝化层，直接公开了在半导体基板上形成第一钝化层。 |
| 技术特征W：其中 《直接公开》 | 同K。 | 同K。 |
| 技术特征X：去除所述掩模包括以下步骤 《未公开》 | 对比文件无掩模。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：去除所述掩模 《未公开》 | 对比文件无掩模。 | 未公开。 |
| 技术特征Z：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露 《未公开》 | 对比文件无掩模暴露步骤。 | 未公开。 |
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