对比文件名称：JPWO2014132312A1 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法
目标专利名称：1649太阳能电池及其制造方法 CN108110072B
本次调用的模型名称：DeepSeek-Chat
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该方法包括以下步骤（直接公开） | [0001] “本発明は、太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法に関する。”（本发明涉及太阳电池模块以及太阳电池模块的制造方法。） | 对比文件明确涉及太阳电池模块的制造方法，必然包括一系列步骤，因此直接公开了“该方法包括以下步骤”。 |
| 技术特征B：在半导体基板的划线部分上设置掩模（隐含公开） | [0036] “第1のi型層14及び第1導電型層16は、外周領域C1に対応する開口が設けられたマスクを第1面12a上に配置して形成することにより、一定距離だけ内側の領域である有効領域C2に形成される。”（第1i型层14和第1导电型层16通过将具有对应于外周区域C1的开口的掩模配置在第1面12a上而形成，从而在向内侧一定距离的区域即有效区域C2形成。） | 对比文件公开了在半导体基板上设置掩模以选择性地形成导电层，掩模用于定义区域。虽然掩模对应的是外周区域而非划线部分，但“划线部分”本质是基板上需要特殊处理的区域，本领域技术人员可以合理推断出可以在类似位置（如划线部分）设置掩模，且掩模起到阻挡沉积的作用相同，因此隐含公开。 |
| 技术特征C：其中，所述半导体基板包括多个单元部分（不公开） | 无相关内容。 | 对比文件仅涉及单个太阳电池素子，未公开半导体基板包含多个单元部分（即由划线分割形成的多个电池区域），故不公开。 |
| 技术特征D：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间（不公开） | 无相关内容。 | 对比文件未公开多个单元部分的结构，更未公开划线部分位于单元部分之间，故不公开。 |
| 技术特征E：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域（直接公开） | [0036] 同上；[0037] “第1導電型層16の上に第1透明電極層18及び第1金属電極20が形成され”（在第1导电型层16上形成第1透明电极层18和第1金属电极20）。 | 对比文件通过掩模形成第1导电型层16，该层必然同时形成在基板的开口区域和掩模的上表面（掩模上会有沉积），因此直接公开了在半导体基板和掩模上形成第一导电区域。 |
| 技术特征F：在所述第一导电区域上形成第一电极（直接公开） | [0037] 同上，在第1导电型层16上形成第1金属电极20。 | 对比文件明确在第1导电型层（第一导电区域）上形成金属电极（第一电极），直接公开。 |
| 技术特征G：所述第一电极与所述第一导电区域电联接（直接公开） | [0037] 第1金属电极20形成在第1导电型层16上。 | 电极直接形成在导电区域上，必然形成电联接，直接公开。 |
| 技术特征H：去除所述掩模（隐含公开） | 对比文件未明确记载去除掩模的步骤，但[0036]所述掩模用于定义沉积区域，在后续工序中必然被去除。 | 在半导体制造工艺中，使用掩模进行选择性沉积后，掩模会被去除以使图形化完成。本领域技术人员可以合理推断存在去除掩模的步骤，因此隐含公开。 |
| 技术特征I：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分（隐含公开） | 同上，掩模去除时其上的沉积层也随之去除。 | 去除掩模时，掩模上覆盖的第一导电区域部分会被同时剥离（lift-off效应），本领域技术人员可以合理推断出该结果，因此隐含公开。 |
| 技术特征J：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板。（不公开） | [0101] “n型層の一部をレーザ照射などにより除去することで溝を形成する。”（通过激光照射去除n型层的一部分来形成沟槽。） | 对比文件中的激光照射是用于在表面形成隔离沟槽，而不是对基板进行完全分割划线；且不具有暴露划线部分从而激光分割的步骤和目的，故不公开。 |
| 技术特征K：其中（隐含公开） | 对比文件的步骤描述中隐含了“其中”所表达的连接关系。 | 任何方法的描述都会隐含步骤间的逻辑连接，对比文件的方法自然包含“其中”所表示的条件或状态，因此隐含公开。 |
| 技术特征L：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露。（隐含公开） | [0036] 去除掩模后，掩模覆盖的区域（此处为外周区域）的基板暴露。 | 在对比文件的lift-off工艺中，去除掩模会使之前被掩模覆盖的区域（外周区域）的基板裸露。本领域技术人员可以合理推测类似地去除掩模后划线部分暴露，因此隐含公开。 |
| 技术特征M：其中（隐含公开） | 同特征K。 | 类似地，隐含公开。 |
| 技术特征N：形成所述第一电极包括以下步骤（直接公开） | [0037] 形成第1透明电极层18和第1金属电极20。 | 对比文件公开了形成第一电极的具体步骤（包括透明电极和金属电极），直接公开。 |
| 技术特征O：形成第一透明电极层（直接公开） | [0037] “第1導電型層16の上に第1透明電極層18及び第1金属電極20が形成され”。 | 直接公开形成第一透明电极层（第1透明电极层18）。 |
| 技术特征P：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层（直接公开） | [0037] 同上，第1透明电极层18上形成第1金属电极20。 | 直接公开。 |
| 技术特征Q：形成所述第一金属电极层包括以下步骤（直接公开） | [0037] 形成第1金属电极20。 | 金属电极的形成必然包含相关步骤，直接公开。 |
| 技术特征R：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层（直接公开） | [0037] 第1金属电极20形成在有源区域（有效区域C2）内，等同于单元部分。 | 对比文件中的金属电极只形成在有效区域（对应单元部分），直接公开。 |
| 技术特征S：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层。（隐含公开） | [0017] 第1导电型层16不形成在外周区域C1；[0020] 第1透明电极层18形成在有效区域内侧更深的区域。 | 对比文件中金属电极不形成在外周区域（无效率区域），该区域与划线部分均属于无效区域，本领域技术人员可合理推断在划线部分也同样不形成金属电极，因此隐含公开。 |
| 技术特征T：该方法还包括以下步骤（直接公开） | [0038]-[0047] 描述了印刷形成光扩散部、层压等后续步骤。 | 对比文件在形成电池后还包括多个步骤（如形成光扩散部、封装），直接公开了“还包括以下步骤”。 |
| 技术特征U：在设置所述掩模之前（直接公开） | [0033]-[0036] 先形成第1i型层14，然后设置掩模形成第1导电型层16。 | 对比文件明确在设置掩模之前形成了第1i型层（第一钝化层），顺序直接公开。 |
| 技术特征V：在所述半导体基板上形成第一钝化层（直接公开） | [0033] “ベース基板12の第1面12a上に第1のi型層14と第1導電型層16が順に形成され”。（在基板12的第一面12a上依次形成第1i型层14和第1导电型层16。） | 第1i型层14为实质本征非晶硅层，起到钝化作用，直接公开形成第一钝化层。 |
| 技术特征W：其中（隐含公开） | 同特征K。 | 隐含公开。 |
| 技术特征X：去除所述掩模包括以下步骤（隐含公开） | 同特征H，掩模去除是必然步骤。 | 去除掩模必然包含具体操作步骤（如剥离、清洗），本领域技术人员可合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征Y：去除所述掩模（隐含公开） | 同特征H。 | 隐含公开。 |
| 技术特征Z：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露。（隐含公开） | 在对比文件中，若掩模设置在外周区域上方，去除掩模后外周区域的钝化层（第1i型层）会暴露。 | 目标专利中划线部分暴露钝化层，对比文件类似地暴露外周区域钝化层，本领域技术人员可合理推断暴露效果，因此隐含公开。 |
注：对于未公开的特征（C、D、J），对比文件无相应内容，故第二栏不列引用，第三栏论述不公开理由。
### 公开性代码输出
根据上述判断，对比文件直接公开的技术特征有：A、E、F、G、N、O、P、Q、R、T、U、V；隐含公开的技术特征有：B、H、I、K、L、M、S、W、X、Y、Z。因此，在回答结尾插入相应代码。
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