对比文件名称：2013-12-05_JP2013243358A_发明专利_JP2013243358A Solar cell and module thereof
目标专利名称：1649太阳能电池及其制造方法CN108110072B
本次调用的模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该方法包括以下步骤（《隐含公开》） | 对比文件整体涉及一种太阳能电池及其模块的制造方法，例如段落[0014]公开了“本発明の提供する太陽電池は、シリコン半導体基板、複合多機能保護膜、複数の表面電極、複数の裏面電極を含み”，以及段落[0017]提及“発明を実施するための形態において、本発明の詳細な特徴と利点を詳細に説明する。その内容はあらゆる当業者が本発明の技術内容を理解して実施するに足るものである”，暗示了对应的制造步骤。 | 对比文件虽未列出具体步骤标题，但作为太阳能电池专利，其公开的内容必然涉及制造方法，本领域技术人员可以合理推断该对比文件隐含公开了一种制造方法，因而包含方法步骤。 |
| 技术特征B：在半导体基板的划线部分上设置掩模（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未提及任何关于掩模、划线部分的设置，也未给出任何提示或教导，本领域技术人员无法从对比文件得出该技术方案。 |
| 技术特征C：其中，所述半导体基板包括多个单元部分（《隐含公开》） | 对比文件附图3及段落[0014]中描述了太阳能电池结构，但未明确写明基板包含多个单元部分。然而，通常晶圆被分割成多个电池单元。 | 在太阳能电池制造领域，半导体基板通常被划分为多个单元区域，这是本领域公知常识，对比文件作为太阳能电池技术文献，隐含公开了基板包含多个单元部分的基本结构。 |
| 技术特征D：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件完全未提及划线部分及其位置，本领域技术人员无法从对比文件内容推理出该特征。 |
| 技术特征E：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域（未公开） | 对比文件无掩模相关公开内容。 | 对比文件未涉及掩模，因此也未公开在基板和掩模上形成导电区域，本领域技术人员无法从对比文件得出该特征。 |
| 技术特征F：在所述第一导电区域上形成第一电极（《直接公开》） | 段落[0014]公开了“複数の表面電極は、複合多機能保護膜に穿通されてドープ層上に設置される”，即表面电极40穿透保护膜设置在掺杂层（导电区域）上。图3显示表面电极40位于掺杂层24上方。 | 对比文件直接公开了在导电区域（掺杂层）上形成电极的步骤，电极与导电区域接触，故直接公开。 |
| 技术特征G：所述第一电极与所述第一导电区域电联接（《直接公开》） | 同上段落[0014]“複数の表面電極は…ドープ層上に設置される”，以及图3中电极直接接触掺杂层。 | 电极直接设置在导电区域上，必然实现电联接，对比文件直接公开了电联接关系。 |
| 技术特征H：去除所述掩模（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未涉及掩模的去除步骤，无任何公开或暗示。 |
| 技术特征I：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未描述掩模及导电区域在掩模上的部分，无法得出该特征。 |
| 技术特征J：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未提及激光照射、划线部分或分割步骤，本领域技术人员无法从对比文件得出该特征。 |
| 技术特征K：其中（《隐含公开》） | 该特征是语句连接词，被对比文件隐含包含在整体方法描述中。 | 对比文件在叙述结构或方法时必然使用连接词，隐含公开了该语法成分。 |
| 技术特征L：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未涉及掩模去除和划线部分暴露，未公开该特征。 |
| 技术特征M：其中（《隐含公开》） | 同特征K。 | 对比文件隐含包含此类过渡词。 |
| 技术特征N：形成所述第一电极包括以下步骤（《隐含公开》） | 对比文件公开了电极形成步骤，例如段落[0014]“複数の表面電極は…設置される”，但未明确分为子步骤。 | 对比文件隐含公开了电极形成包括某些步骤，但未限定透明电极层和金属电极层的分层形成，故仅隐含公开该引入句。 |
| 技术特征O：形成第一透明电极层（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件的表面电极40为银浆形成的金属电极，未提及透明电极层，本领域技术人员无法推理出形成透明电极层的步骤。 |
| 技术特征P：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未公开透明电极层，因此该形成步骤未公开。 |
| 技术特征Q：形成所述第一金属电极层包括以下步骤（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未公开形成金属电极层的具体步骤。 |
| 技术特征R：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未涉及单元部分与划线部分的区分，未公开在单元部分上形成电极。 |
| 技术特征S：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未提及划线部分，无法公开该选择性形成特征。 |
| 技术特征T：该方法还包括以下步骤（《隐含公开》） | 对比文件整体方法隐含包含多个步骤。 | 对比文件在公开电池结构的同时，必然隐含包括相应制造步骤，因此该引入句被隐含公开。 |
| 技术特征U：在设置所述掩模之前（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未涉及掩模，无从设置掩模之前。 |
| 技术特征V：在所述半导体基板上形成第一钝化层（《隐含公开》） | 段落[0014]公开了“複合多機能保護膜は…設置され”，包含抗反射层（如SiNx）可作为钝化层；段落[0017]提及“前記複合多機能保護膜…入射光の反射率を減少でき”。 | 对比文件公开了在基板上形成多层膜作为抗反射/钝化层，本领域技术人员可以合理推断该膜层中包含起到钝化作用的层，因此隐含公开了形成钝化层，但未限定与掩模的关系。 |
| 技术特征W：其中（《隐含公开》） | 同特征K。 | 对比文件隐含包含此类过渡词。 |
| 技术特征X：去除所述掩模包括以下步骤（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未涉及掩模去除。 |
| 技术特征Y：去除所述掩模（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未涉及任何掩模过程。 |
| 技术特征Z：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露（未公开） | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未提及划线部分和钝化层在划线部分上的暴露。 |
根据上述判断，仅部分技术特征被直接或隐含公开。按照输出格式，在回答结尾插入对应代码。
直接公开的技术特征：F、G；隐含公开的技术特征：A、C、K、M、N、T、V、W。
对应的代码：直接公开大写F、G；隐含公开小写a、c、k、m、n、t、v、w。
注意：一个特征对应一个字母代码，A-Z。插入时按照字母顺序？要求“若对比文件直接公开了技术特征A请在回答的结尾插入大写英文代码<<<A>>>”等等，所以是枚举所有被公开的特征代码。我们应列出所有被公开的代码（包括直接和隐含），格式为代码被分别用三角括号包围。可能多个代码可以连续写，如<<<A>>><<<C>>>等。根据例子，是分开插入的。但为了明确，我们依次写出。
根据回答结尾要求，插入代码：直接公开的F和G：<<<F>>><<<G>>>；隐含公开的A、C、K、M、N、T、V、W：<<<a>>><<<c>>><<<k>>><<<m>>><<<n>>><<<t>>><<<v>>><<<w>>>。
注意顺序：按字母顺序？要求没有规定顺序，但一般按字母顺序。我们按字母顺序排列：A、C、F、G、K、M、N、T、V、W。注意F、G是大写直接公开，其他小写隐含公开。
所以插入：<<<A>>><<<C>>><<<F>>><<<G>>><<<K>>><<<M>>><<<N>>><<<T>>><<<V>>><<<W>>>？不对：隐含公开的代码是小写，所以A应为<<<a>>>（隐含公开），C为<<<c>>>，K为<<<k>>>，M为<<<m>>>，N为<<<n>>>，T为<<<t>>>，V为<<<v>>>，W为<<<w>>>；直接公开的F、G为大写<<<F>>><<<G>>>。所以整体按字母排序：a,c,F,G,k,m,n,t,v,w。
但字母排序可能混合大小写？一般ASCII顺序大写在前，所以顺序可能是F,G,a,c,k,m,n,t,v,w？但要求没有严格规定，我们按特征本身字母顺序混合大小写可能更好。但为了清晰，我们可以先写大写直接公开，再写小写隐含公开。或者按字母表顺序：a,c,F,G,k,m,n,t,v,w。注意F和G排在小写a和c之后因为F=70，a=97，所以大写排在前面。但根据常见惯例，我们通常按特征标记顺序排列。这里特征标记是A-Z，所以我们可以按A、B、C、D、E、F、G...的顺序写出公开的代码。所以顺序是：A隐含（小写a），C隐含（小写c），F直接（大写F），G直接（大写G），K隐含（小写k），M隐含（小写m），N隐含（小写n），T隐含（小写t），V隐含（小写v），W隐含（小写w）。所以完整为<<<a>>><<<c>>><<<F>>><<<G>>><<<k>>><<<m>>><<<n>>><<<t>>><<<v>>><<<w>>>。
注意：要求中明确若直接公开则用大写代码，隐含公开用小写代码。所以上述符合。
我们也要注意，特征K、M、W是单独的“其中”，可能在某些解释中不被视为实质性特征，但根据给定的技术特征列表，它们被列出，且我们判断为隐含公开，所以必须包含。
另外，特征A我们判断为隐含公开，特征T也是隐含公开。
所有其他特征未公开，不插入代码。
因此，最终回答末尾插入上述代码。</think><<<a>>><<<c>>><<<F>>><<<G>>><<<k>>><<<m>>><<<n>>><<<t>>><<<v>>><<<w>>>