对比文件名称：2011-11-17_US2011277825A_发明申请_US20110277825A1 SOLAR CELL WITH METAL GRID FABRICATED BY ELECTROPLATING
目标专利名称：1649太阳能电池及其制造方法CN108110072B
本次调用的模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| A: 该方法包括以下步骤（直接公开） | [0031] “图2展示了根据本发明实施例的太阳能电池的示例性制造工艺。” 并结合操作2A‑2H的具体描述。 | 对比文件明确公开了一种太阳能电池的制造方法，包含多个工艺步骤，因此直接公开了“该方法包括以下步骤”。 |
| B: 在半导体基板的划线部分上设置掩模（未公开） | 无相关内容。对比文件[0035]操作2D在TCO层上沉积图案化掩模层208，开口210对应设计的金属栅极位置，但未提及划线部分。 | 对比文件中掩模设置于TCO层上用于限定电极区域，而非设置于半导体基板的划线部分，且未公开“划线部分”的概念，因此未公开。 |
| C: 其中，所述半导体基板包括多个单元部分（未公开） | 无相关内容。对比文件整体描述单个太阳能电池的制造，未提及其他单元部分。 | 对比文件未公开半导体基板包含多个单元部分，无法毫无疑义地得出该特征。 |
| D: 所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间（未公开） | 无相关内容。 | 对比文件既未公开单元部分也未公开划线部分，因此未公开。 |
| E: 在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域（未公开） | 无相关内容。对比文件[0033]操作2B在基板上形成a-Si层（导电区域），[0035]操作2D随后形成掩模，掩模形成于导电区域之上，而非在掩模上形成导电区域。 | 对比文件中导电区域的形成在掩模之前，且未在掩模上沉积任何导电层（电镀金属只在掩模开口中，不在掩模上），因此未公开该特征。 |
| F: 在所述第一导电区域上形成第一电极（未公开） | [0036]操作2E在掩模开口中的TCO层上形成金属栅极212；[0034] TCO层形成于a-Si层（第一导电区域）上。 | 第一电极（金属栅极）形成于TCO层上，而非直接形成于第一导电区域（a-Si层）上，TCO层在目标专利中属于透明电极层而非导电区域，因此未公开。 |
| G: 所述第一电极与所述第一导电区域电联接（隐含公开） | [0036] “金属栅极212与TCO层206接触”；[0034] TCO层206与a-Si层204接触。 | 电极通过TCO层与第一导电区域（a-Si层）形成电联接，本领域技术人员可合理推断出电联接的存在，因此隐含公开。 |
| H: 去除所述掩模（直接公开） | [0037]操作2F：“去除掩模层208”。 | 明确公开了去除掩模的步骤，直接公开。 |
| I: 以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分（未公开） | 无相关内容。对比文件[0046]操作3G去除掩模和部分薄金属层，但薄金属层并非第一导电区域，且第一导电区域未设置在掩模上。 | 对比文件中第一导电区域未形成于掩模上，因此没有去除掩模上第一导电区域部分的步骤，未公开。 |
| J: 通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板（未公开） | 无相关内容。对比文件未涉及任何分割步骤，亦未提及激光照射或划线部分。 | 对比文件描述到形成电极后即结束，未公开后续分割基板的处理，因此未公开。 |
| K: 其中（直接公开） | [0011]等权利要求及说明书中多次使用“其中”。 | 对比文件在技术方案中普遍采用连接词“其中”，属于惯用表达，直接公开。 |
| L: 所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露（未公开） | 无相关内容。对比文件去除掩模后暴露的是TCO层，不是半导体基板，且无划线部分概念。 | 对比文件中半导体基板始终被覆盖，未暴露，亦无划线部分，因此未公开。 |
| M: 其中（直接公开） | 同K。 | 同K。 |
| N: 形成所述第一电极包括以下步骤（直接公开） | [0036]操作2E描述了在掩模开口处沉积金属以形成金属栅极（第一电极）的具体步骤。 | 对比文件明确公开了形成第一电极（金属栅极）的步骤，因此直接公开。 |
| O: 形成第一透明电极层（隐含公开） | [0034]操作2C：“沉积一层透明导电氧化物（TCO）形成抗反射层206”。 | TCO层透明且导电，功能与目标专利的第一透明电极层类似，本领域技术人员可将其视为第一透明电极层，虽形成时机不同但技术实质相同，因此隐含公开。 |
| P: 在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层（隐含公开） | [0036]操作2E：“在掩模开口处沉积金属形成金属栅极212”，金属栅极位于TCO层上。 | 金属栅极形成于透明导电层（TCO）上，相当于在第一透明电极层上形成第一金属电极层，因此隐含公开。 |
| Q: 形成所述第一金属电极层包括以下步骤（直接公开） | [0036]详细描述了电镀形成金属栅极的步骤（包括电流、厚度等）。 | 对比文件公开了形成金属电极层的具体步骤，直接公开。 |
| R: 在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层（未公开） | 无相关内容。对比文件未定义单元部分。 | 对比文件无单元部分概念，无法确定金属栅极是否形成于单元部分上，因此未公开。 |
| S: 而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层（未公开） | 无相关内容。对比文件未公开划线部分。 | 由于无划线部分概念，该特征未被公开。 |
| T: 该方法还包括以下步骤（直接公开） | [0032]-[0034]等描述了形成钝化层、a-Si层、TCO层等多个步骤。 | 对比文件方法包含多个步骤，直接公开。 |
| U: 在设置所述掩模之前（直接公开） | [0033]操作2B形成氧化硅钝化层发生在[0035]操作2D设置掩模之前。 | 对比文件明确在设置掩模之前形成钝化层，因此直接公开。 |
| V: 在所述半导体基板上形成第一钝化层（直接公开） | [0033] “在c-Si基板200上生长氧化硅层202以形成钝化层”。 | 直接公开了在半导体基板上形成第一钝化层。 |
| W: 其中（直接公开） | 同K。 | 同K。 |
| X: 去除所述掩模包括以下步骤（直接公开） | [0037] “去除掩模层208”。 | 直接公开了去除掩模的步骤。 |
| Y: 去除所述掩模（直接公开） | [0037] “去除掩模层208”。 | 直接公开。 |
| Z: 以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露（未公开） | 无相关内容。对比文件去除掩模后暴露的是TCO层，且无划线部分。 | 对比文件未使第一钝化层暴露，也无划线部分，因此未公开。 |
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