**对比文件名称**：2015-12-17_US2015364616A_发明申请_US20150364616A1 SOLAR CELL MODULE AND SOLAR CELL MODULE MANUFACTURING METHOD
**目标专利名称**：1649太阳能电池及其制造方法CN108110072B
**调用模型**：当前系统默认模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述（公开性判断） | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该方法包括以下步骤（直接公开） | 对比文件整体涉及一种太阳能电池模块制造方法，包括准备太阳能电池元件、形成光扩散部分、层压密封等多个步骤（参见摘要、[0008]-[0009]、[0046]-[0048]、[0073]-[0079]等）。 | 对比文件直接记载了一种太阳能电池模块的制造方法，属于太阳能电池领域的制造方法，本领域技术人员可以毫无疑义地确定该方法包括一系列步骤，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：在半导体基板的划线部分上设置掩模（未公开） | 对比文件记载了在形成第一i型层和第一导电类型层时使用掩模，但掩模的开口对应于外围区域，掩模放置在有效区域上，且没有涉及“划线部分”（参见[0071]）。 | 对比文件中的掩模是用于防止在外围区域形成半导体层，其位置和作用与目标专利中为暴露划线部分而设置的掩模完全不同，且对比文件不存在“划线部分”这一概念，因此特征B未被公开。 |
| 技术特征C：其中，所述半导体基板包括多个单元部分（未公开） | 对比文件中的半导体基板（基底层12）为单个晶体硅基板，未提及基板被划分为多个单元部分（参见[0049]-[0050]）。 | 目标专利的单元部分是指通过划线分割出的独立电池区域，对比文件没有公开基板被分为多个这样的部分，特征C未被公开。 |
| 技术特征D：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间（未公开） | 对比文件没有公开任何“单元部分”或“划线部分”，更未提及二者的位置关系。 | 由于特征C未公开，特征D基于其上的位置关系自然也未被公开。 |
| 技术特征E：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域（隐含公开） | 对比文件记载使用掩模通过PECVD形成第一导电类型层16（[0069]-[0071]）。 | 对比文件在沉积第一导电类型层时确实使用了掩模，虽然未明确描述掩模上也被沉积，但根据薄膜沉积工艺常识，掩模表面必然附着有沉积材料，因此本领域技术人员可以合理推断在掩模上同时形成了导电层，故特征E被隐含公开。 |
| 技术特征F：在所述第一导电区域上形成第一电极（直接公开） | 对比文件明确记载“第一透明电极层18和第一金属电极20形成在第一导电类型层16上”（[0072]）。 | 对比文件直接公开了在已形成的导电区域上制作电极，特征F被直接公开。 |
| 技术特征G：所述第一电极与所述第一导电区域电联接（直接公开） | 同上，第一电极紧邻第一导电类型层形成，必然构成电联接。 | 导电层与电极直接接触形成电连接是常规结构，对比文件隐含或直接体现了这一点，特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：去除所述掩模（隐含公开） | 对比文件没有明确描述掩模去除步骤。 | 在半导体工艺中使用掩模进行沉积后，本领域技术人员必然要进行掩模去除以继续后续工序，因此该步骤是合理且必需的，特征H被隐含公开。 |
| 技术特征I：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分（隐含公开） | 同H，未明确记载。 | 去除掩模的同时，掩模上附着的导电层也会随之去除，这是lift‑off工艺的基本逻辑，本领域技术人员能够合理推断，特征I被隐含公开。 |
| 技术特征J：沿着所述划线部分来分割所述半导体基板（用激光照射去除了第一导电区域的划线部分）（未公开） | 对比文件第四实施例（图30-31）描述了通过激光照射形成沟槽118以隔离外围区域，但该激光处理并非用于分割基板，也未在所述“划线部分”上进行（[0132]-[0135]）。 | 对比文件的激光处理目的为隔离（形成电学绝缘沟槽），而非将基板分裂成多个单元，且不存在“划线部分”，因此特征J未被公开。 |
| 技术特征K：其中（过渡特征） | — | 该特征仅为格式性用语，无实质性限定作用，不单独判断。 |
| 技术特征L：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露（未公开） | 对比文件去除掩模后所暴露的区域是有效区域或外围区域，不存在“划线部分”的暴露（[0071]及相关工艺）。 | 目标专利中通过去除掩模暴露划线部分以实现后续分割，对比文件无此对应结构或作用，特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其中（过渡特征） | — | 不单独判断。 |
| 技术特征N：形成所述第一电极包括以下步骤（直接公开） | 对比文件明确写出形成第一电极的步骤：形成第一透明电极层和第一金属电极（[0072]）。 | 对比文件直接公开了形成第一电极的过程包含子步骤，特征N被直接公开。 |
| 技术特征O：形成第一透明电极层（直接公开） | 对比文件记载“形成第一透明电极层18”（[0072]）。 | 直接公开。 |
| 技术特征P：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层（直接公开） | 对比文件记载“形成第一金属电极20第一透明电极层18上”（[0072]）。 | 直接公开。 |
| 技术特征Q：形成所述第一金属电极层包括以下步骤（直接公开） | 对比文件说明第一金属电极可通过印刷等方式形成（[0072]）。 | 对比文件公开了形成金属电极层这一步骤，特征Q被直接公开。 |
| 技术特征R：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层（未公开） | 对比文件的第一金属电极形成在有效区域（valid area C2），但有效区域并非由划线界定的“单元部分”，且基板不被分为多个单元（[0062]、[0072]）。 | 对比文件未公开基板被分割为多个单元部分，其金属电极形成的区域与目标专利的“单元部分”在结构界定上不同，因此特征R未被公开。 |
| 技术特征S：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层（未公开） | 对比文件的第一金属电极不在外围区域（无效区域）形成，但该外围区域不是划线部分，划线部分在对比文件中不存在。 | 由于基础概念“划线部分”缺失，特征S无法被认定公开。 |
| 技术特征T：该方法还包括以下步骤（直接公开） | 对比文件的方法包括准备基板、沉积、印刷、层压等多个步骤（如[0067]-[0079]）。 | 对比文件明确公开了其方法包含多个步骤，特征T被直接公开。 |
| 技术特征U：在设置所述掩模之前（直接公开） | 对比文件在设置掩模之前已经进行了基板制备、纹理化、形成第二i型层和第二导电类型层等步骤（[0067]-[0069]）。 | 对比文件示出了在掩模设置之前存在其他步骤，特征U被直接公开。 |
| 技术特征V：在所述半导体基板上形成第一钝化层（直接公开） | 对比文件的第一i型层14（本征非晶硅）形成在基底层12上，起到钝化作用（[0049]-[0051]、[0069]）。 | 对比文件的第一i型层在材料和功能上相当于钝化层，且形成步骤明确公开，特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：其中（过渡特征） | — | 不单独判断。 |
| 技术特征X：去除所述掩模包括以下步骤（隐含公开） | 对比文件未明确描述去除掩模的具体子步骤。 | 去除掩模本身可以视为一个或多个动作的综合，本领域技术人员根据工艺需要可以想到去除掩模包含准备、实施、检查等子步骤，特征X被隐含公开。 |
| 技术特征Y：去除所述掩模（隐含公开） | 同H，对比文件未明确记载。 | 在掩模使用后去除它是常规操作，隐含公开。 |
| 技术特征Z：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露（未公开） | 对比文件中的第一i型层（钝化层）形成在有效区域，无划线部分暴露的概念。 | 对比文件既无划线部分，也无通过去除掩模使钝化层特定部分暴露的结构，特征Z未被公开。 |
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基于以上特征比对，对比文件直接公开了技术特征：A、F、G、N、O、P、Q、T、U、V。
对比文件隐含公开了技术特征：E、H、I、X、Y。
其余特征均未被公开（含直接或隐含）。
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