本次评估的对比文件名称：2013-02-14_KR101233479B_发明授权_KR101233479B1 다지점 인식 터치 화면；目标专利名称：1658触摸传感器及其制造方法CN107750354B；调用的模型名称：GPT-4。
特征比对表格如下：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| A: 包括基板 (直接公开) | [61]：“光传输构件(112)由玻璃或塑料等透明材料形成”；[69]：“玻璃构件(138)”。 | 对比文件明确公开了触摸屏的基板（光传输构件、玻璃构件），是触摸传感器的基本支撑体。 |
| B: 设置在基板的相同表面上的驱动电极单元、感应电极单元和布线电极单元 (未公开) | [59]自电容实施例：电极102和感测迹线106设置在同一光传输构件112上；[71]互电容实施例：驱动线和感测线位于不同层。 | 自电容实施例只有单一电极层（兼具驱动和感应功能），未明确分离驱动与感应单元；互电容实施例中驱动和感应位于不同表面。因此未公开驱动和感应两个不同的电极单元同时设置在基板的相同表面上。 |
| C: 触摸传感器包括触摸感应区域和触摸非感应区域 (直接公开) | [112]：“活动区域(active area)”以及“遮蔽部分(facade)”用于隐藏连接部，对应非感应区域。 | 对比文件明确区分了触摸屏的活动区域（感应区域）和边框区域（非感应区域）。 |
| D: 驱动、感应、布线电极单元均包括包含遮蔽部和敞开部的导电图案 (直接公开) | [80]：“ITO区域和没有ITO的区域”；[59]：电极和迹线图案化为导电区域和间隙。 | 对比文件中的导电图案（ITO）自然具有遮蔽（导电部分）和敞开（非导电部分）区域，该属性直接公开。 |
| E: 布线电极单元包括位于触摸感应区域中的第一布线电极单元和位于触摸非感应区域中的第二布线电极单元 (隐含公开) | [59]：“感测迹线(106)在电极(102)之间的间隙(108)中路由”，间隙位于感应区域，且迹线延伸到感测电路（边缘区域）。 | 感测迹线在感应区域内的部分（电极之间）以及从感应区域延伸到非感应区域的部分可分别视为第一和第二布线电极单元，本领域技术人员可合理推断这种划分。 |
| F: 第一布线电极单元包括一束或两束以上的将驱动电极单元或感应电极单元连接至第二布线电极单元的导线 (隐含公开) | [59]：每个电极通过一条迹线连接到感测电路；[66]：多条迹线从电极区域引出。 | 感测迹线作为导线连接电极（感应电极单元）到感测电路（位于非感应区域），多条迹线可视为束，本领域技术人员可合理理解为连接导线。 |
| G: 构成触摸感应区域的导电图案包括如下形式：n个重复单元图案在触摸感应区域的宽度方向上重复 (隐含公开) | [62]：“电极端子可以以行和列的阵列布置”；[59]：电极阵列形成重复结构。 | 电极的行列排列可视为重复单元图案，在宽度方向（行方向）上重复，本领域技术人员可合理推断存在重复单元图案。 |
| H: 第二布线电极单元设置在与触摸感应区域的上部的侧面相邻的触摸非感应区域中 (未公开) | [66]：感测迹线路由到触摸屏的左侧和右侧，未提及上部和下部。 | 对比文件仅公开迹线路由到左右两侧，没有公开设置在上部或下部相邻的非感应区域。 |
| I: 第二布线电极单元设置在与触摸感应区域的下部的侧面相邻的触摸非感应区域中 (未公开) | 同H。 | 同H。 |
| J: 重复单元图案的宽度D由下面的式1表示 (未公开) | 无相关内容。 | 对比文件未披露任何关于重复单元图案宽度公式的内容。 |
| K: [式1] (未公开) | 同上。 | 同上。 |
| L: D＝A/(n×m) (未公开) | 同上。 | 同上。 |
| M: 在式1中，A是触摸感应区域的宽度，n是重复单元图案的数目，m是n的约数 (未公开) | 无。 | 无。 |
| N: 第一布线电极单元的至少一些束连接至设置在上部的第二布线电极单元 (未公开) | 无相关内容。 | 对比文件未公开将束分配到上部或下部。 |
| O: 第一布线电极单元的其它束连接至设置在下部的第二布线电极单元 (未公开) | 无。 | 无。 |
| P: 设置在触摸感应区域和触摸非感应区域中的导电图案基于平分触摸传感器的水平直轴彼此对称 (未公开) | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何关于水平轴对称的布置。 |
| Q: 驱动、感应、布线电极单元的导电图案由规则多边形网格图案形成，重复单元图案满足式5 (未公开) | 无相关内容。 | 对比文件使用ITO图案，未明确为正多边形网格图案，也未公开面积比公式。 |
| R: [式5] (未公开) | 无。 | 无。 |
| S: 0<As/AL≤1 (未公开) | 无。 | 无。 |
| T: 0<AS1/AL≤1 (未公开) | 无。 | 无。 |
| U: 在式5中，As、AS1、AL的定义及第一多边形和第二多边形共享相同水平轴 (未公开) | 无。 | 未公开。 |
| V: 重复单元图案满足式6 (未公开) | 无。 | 未公开。 |
| W: [式6] (未公开) | 无。 | 无。 |
| X: 0<(As+AS1)/(2×AL)≤1 (未公开) | 无。 | 无。 |
| Y: 导电图案由导电金属线形成 (未公开) | [80]：导电图案由ITO（铟锡氧化物）形成，而非金属线。 | 对比文件主要使用透明导电氧化物，未公开使用导电金属线形成图案。 |
| Z: 导电金属线包括选自金、银、铝、铜、钕、钼、镍和它们的合金中的一种或多种 (未公开) | 无。 | 未公开。 |
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A、C、D，隐含公开了技术特征E、F、G。其他技术特征未被直接或隐含公开。
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