**对比文件名称**：2012-08-09_WO2012105148A_发明申请_WO2012105148A1 光電変換素子
**目标专利名称**：1666太阳能电池CN107039542B
**本次调用的模型名称**：GPT-4-0613
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：晶体半导体基板，包含第一导电类型杂质，具有前表面和后表面。《直接公开》** | 对比文件[0006]段：“本发明的光电转换元件包括：包含第一主面和与第一主面相对的第二主面的晶体半导体基板...”<br>对比文件图4对应描述：“光电转换元件10从光入射侧依次层叠透明导电膜11、p型非晶硅膜12、i型非晶硅膜13、n型单晶硅基板14、i型非晶硅膜15、n型非晶硅膜16、透明导电膜17、金属膜18而构成。”以及“i型非晶硅膜13形成在n型单晶硅基板14的受光面上，i型非晶硅膜15形成在n型单晶硅基板14的背面上。” | 对比文件公开了n型单晶硅基板，即包含n型（第一导电类型）杂质的晶体半导体基板，并具有前表面（受光面）和后表面（背面）。因此直接公开。 |
| **技术特征B：前掺杂层设置在半导体基板前表面上。《直接公开》** | 对比文件：“p型非晶硅膜12形成在i型非晶硅膜13上，i型非晶硅膜13形成在n型单晶硅基板14的受光面上。”（图4描述及形成方法部分） | p型非晶硅膜12为前掺杂层，通过i型膜设置在基板前表面，相当于前掺杂层设置在半导体基板前表面上。直接公开。 |
| **技术特征C：后掺杂层设置在半导体基板后表面上。《直接公开》** | 对比文件：“n型非晶硅膜16形成在i型非晶硅膜15上，i型非晶硅膜15形成在n型单晶硅基板14的背面上。”（图4描述及形成方法部分） | n型非晶硅膜16为后掺杂层，直接公开。 |
| **技术特征D：防反射层设置在前掺杂层上并且具有第一厚度。《直接公开》** | 对比文件：“透明导电膜11形成在p型非晶硅膜12上，其厚度例如优选为100nm。”（对比文件关于透明导电膜厚度的记载） | 透明导电膜11作为防反射层，具有第一厚度100nm，直接公开。 |
| **技术特征E：前收集器电极设置在防反射层上。《直接公开》** | 对比文件：在透明导电膜11上形成有包括指状电极20和汇流条电极19的集电极21。（图2、3及形成方法部分） | 前收集器电极直接设置在防反射层（透明导电膜11）上，直接公开。 |
| **技术特征F：反射层设置在后掺杂层下面并且具有第二厚度。《直接公开》** | 对比文件：“透明导电膜17形成在n型非晶硅膜16上（即下面），其厚度优选为透明导电膜11的厚度以上，例如大于100nm且小于150nm。”（对比文件关于透明导电膜厚度的记载） | 透明导电膜17作为反射层，具有第二厚度，直接公开。 |
| **技术特征G：后收集器电极设置在反射层下面。《直接公开》** | 对比文件：在透明导电膜17上形成有金属膜18和突起电极部22，作为后集电极。（图4描述及形成方法部分） | 后收集器电极设置在反射层（透明导电膜17）下面，直接公开。 |
| **技术特征H：防反射层和反射层各自由透明导电层形成。《直接公开》** | 对比文件：透明导电膜11和透明导电膜17均为透明导电膜。（多处） | 两者都是透明导电层，直接公开。 |
| **技术特征I：透明导电层包括能够控制电学特性和光学特性的氧；并且反射层的第二厚度小于防反射层的第一厚度。《未公开》** | 对比文件未提及氧对电学和光学特性的控制；明确公开反射层（透明导电膜17）厚度大于等于防反射层（透明导电膜11）厚度（例如>100nm vs 100nm），第二厚度不小于第一厚度。 | 对比文件没有公开氧控制特性，且厚度关系相反，特征I未公开。 |
| **技术特征J：防反射层的氧含量小于反射层的氧含量。《未公开》** | 对比文件仅记载防反射层（透明导电膜11）所含水分量（氢量）小于反射层（透明导电膜17）所含水分量（氢量），未涉及氧含量。 | 对比文件未明确氧含量关系，水分与氧不同，不能直接推断；未公开。 |
| **技术特征K：反射层的吸光率小于防反射层的吸光率。《未公开》** | 对比文件未公开透明导电膜的吸光率比较。 | 对比文件无相关公开，未公开。 |
| **技术特征L：防反射层的薄膜电阻小于反射层的薄膜电阻；并且反射层的第二厚度为25nm至75nm。《未公开》** | 对比文件未公开薄膜电阻关系；反射层厚度为>100nm且<150nm（或≥100nm），不在25-75nm范围。 | 对比文件未公开薄膜电阻差异且厚度范围不同，未公开。 |
| **技术特征M：防反射层和反射层由相同的材料形成。《直接公开》** | 对比文件：透明导电膜11和透明导电膜17均可由如ITO等相同材料形成。（对比文件材料描述及实施例） | 对比文件公开了防反射层和反射层可以由相同材料（如ITO）形成，直接公开。 |
| **技术特征N：防反射层和反射层由如下层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层。《直接公开》** | 对比文件：“这些金属氧化物可以掺杂锡(Sn)、锌(Zn)、钨(W)、铈(Ce)等。”（对比文件掺杂剂列表） | 对比文件公开了包含Sn、Zn、W、Ce的氧化铟层，属于特征N限定的选项，直接公开。 |
| **技术特征O：或者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层。《直接公开》** | 对比文件掺杂剂列表包含钛(Ti)。 | 公开了包含Ti的氧化铟层，直接公开。 |
| **技术特征P：或者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层。《直接公开》** | 对比文件掺杂剂列表包含铝(Al)、镓(Ga)。 | 公开了包含Al、Ga的氧化锌层，直接公开。 |
| **技术特征Q：或者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层。《未公开》** | 对比文件未涉及氧化锡掺氟的情况。 | 对比文件未公开，未公开。 |
| **技术特征R：前收集器电极和后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极。《未公开》** | 对比文件前收集器电极包括指状电极20和汇流条电极19；后收集器电极包括多个突起电极部22和金属膜18，无汇流条电极。 | 后收集器电极未包括汇流条电极，特征R未公开。 |
| **技术特征S：多个指状电极沿着第一方向延伸。《直接公开》** | 对比文件：指状电极20在透明导电膜11上相互平行延伸（图2、3）。 | 直接公开。 |
| **技术特征T：至少一个汇流条电极沿着与第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到多个指状电极。《直接公开》** | 对比文件：汇流条电极19在透明导电膜11上沿与指状电极正交的方向延伸且连接指状电极（图2、3）。 | 直接公开。 |
| **技术特征U：防反射层的第一厚度为70nm至100nm。《直接公开》** | 对比文件：“透明导电膜11的厚度例如优选为100nm”。 | 100nm属于70-100nm范围，直接公开。 |
| **技术特征V：前钝化层设置在前掺杂层和半导体基板之间。《直接公开》** | 对比文件：i型非晶硅膜13形成在n型单晶硅基板14的受光面上，p型非晶硅膜12形成在i型非晶硅膜13上。（图4及形成方法） | i型非晶硅膜13为前钝化层，直接公开。 |
| **技术特征W：后钝化层设置在后掺杂层和半导体基板之间。《直接公开》** | 对比文件：i型非晶硅膜15形成在n型单晶硅基板14的背面上，n型非晶硅膜16形成在i型非晶硅膜15上。 | i型非晶硅膜15为后钝化层，直接公开。 |
| **技术特征X：前掺杂层和后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；前钝化层和后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成。《直接公开》** | 对比文件：p型非晶硅膜12和n型非晶硅膜16为含杂质的非晶硅；i型非晶硅膜13和i型非晶硅膜15为本征非晶硅。 | 对比文件公开了掺杂层由非晶硅形成，钝化层由本征非晶硅形成（属于特征X的选项），直接公开。 |
| **技术特征Y：半导体基板的前表面和后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。《未公开》** | 对比文件未提及表面纹理化。 | 对比文件未公开，未公开。 |
| **技术特征Z：防反射层和反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。《未公开》** | 对比文件未提及防反射层或反射层的表面形状具有纹理化。 | 对比文件未公开，未公开。 |
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