对比文件的名称：2003-05-16_JP2003142709A_发明专利_JP2003142709A Laminated solar battery and method for manufacturing the same
目标专利的名称：1666太阳能电池CN107039542B
本次调用的模型名称：GPT-4（当前对话使用的模型）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A**：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面 **《未公开》** | 【0044】“抵抗率約０．５Ω・ｃｍのＮ型多結晶シリコン基板３を用いた。” | 对比文件公开了N型多晶硅基板，属于晶体半导体基板且含第一导电类型（N型）杂质，具有前、后表面。但特征A明确限定为“该双面太阳能电池”，即电池类型为双面受光结构；对比文件为单面受光的叠层太阳能电池，未公开双面电池类型。因此该特征的整体技术方案（双面电池+基板）未被公开。 |
| **特征B**：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上 **《直接公开》** | 【0044】“ボロン拡散を行ってＮ型多結晶シリコン基板３の表面にＰ型多結晶シリコン層を形成した。” | 对比文件在N型多晶硅基板前表面通过硼扩散形成P型多晶硅层，该层直接设置在基板前表面，作为前掺杂层，与基板形成pn结，作用与目标专利相同。因此直接公开。 |
| **特征C**：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上 **《直接公开》** | 【0045】“エッチング除去面に熱拡散法によって燐拡散を行い、厚さ約０．３μｍ、不純物濃度約１．２×１０^20 ｃｍ^-3のＮ型多結晶シリコン層２を形成した。” | 对比文件在N型多晶硅基板后表面通过磷扩散形成N型多晶硅层，该层直接设置在基板后表面，作为后掺杂层，作用类似。因此直接公开。 |
| **特征D**：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度 **《未公开》** | 【0054】“表面電極および反射防止膜９として膜厚約１０７ｎｍのＩＴＯ膜をＰ型アモルファスシリコン層８上にスパッタリング法で成膜し” | 对比文件在P型非晶硅层（上部电池的一部分）上形成ITO膜作为反射防止膜，该膜并非设置在基板的前掺杂层（P型多晶硅层4）上。目标专利的防反射层直接位于基板的前掺杂层上，位置要求不满足。因此未公开。 |
| **特征E**：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上 **《未公开》** | 【0054】“表面集電極１０を電子ビーム蒸着法で形成して” | 该表面集电极设置在作为防反射层的ITO膜上，但由于防反射层本身未在正确位置公开，且电极的设置基础不同，因此特征E整体未公开。 |
| **特征F**：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度 **《未公开》** | 无相应内容。 | 对比文件在后掺杂层（N型多晶硅层2）下面直接形成Ti/Pd/Ag金属电极，未设置透明导电反射层；中间层的透光导电层位于基板前表面上方，不符合位置要求。因此未公开。 |
| **特征G**：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面 **《未公开》** | 【0047】“Ｎ型多結晶シリコン層２の表面にＴｉ／Ｐｄ／Ａｇの積層からなる三層メタル電極１を蒸着” | 对比文件虽有后电极，但直接位于后掺杂层下面，不存在反射层；且该电极未设置在反射层下方。因此未公开。 |
| **特征H**：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成 **《未公开》** | 防反射层相关：【0054】ITO膜；反射层：无。 | 由于防反射层和反射层在目标专利的限定结构（位置、关系）下未被对比文件公开，因此“各自由透明导电层形成”这一限定未得到公开。 |
| **特征I**：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度 **《未公开》** | 氧控制：【0029】“透明導電膜は酸素含有量を増やすに従って導電率（ｂ）が下がり、透過率（ａ）が上がっていくという傾向がある。”（对ZnO膜）。厚度关系：无。 | 对比文件公开了ZnO透明导电膜的氧含量可控制导电率和透过率，但该膜不是目标专利限定的防反射层或反射层，且关于反射层厚度小于防反射层厚度的关系未公开。因此特征I整体未公开。 |
| **特征J**：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量 **《未公开》** | 无相应比较。 | 对比文件未公开防反射层（ITO）的氧含量，更未涉及与反射层氧含量大小关系的比较。因此未公开。 |
| **特征K**：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率 **《未公开》** | 无相应比较。 | 基于特征J未公开，无法推导出吸光率关系。因此未公开。 |
| **特征L**：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm。 **《未公开》** | 薄膜电阻相关：无比较；厚度：无。 | 对比文件未公开防反射层与反射层薄膜电阻的关系，也未公开反射层厚度在25-75nm范围内，且反射层本身未公开。因此未公开。 |
| **特征M**：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成。 **《未公开》** | 防反射层材料：ITO；反射层：无。 | 由于反射层未公开，无法判断材料是否相同。因此未公开。 |
| **特征N**：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层 **《未公开》** | 【0054】表面电极和反射防止膜为ITO（In2O3+Sn）。 | 对比文件防反射层材料为ITO，符合包含In2O3和Sn的条件，但反射层未公开。因此整体未公开。 |
| **特征O**：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层 **《未公开》** | 无相应材料。 | 对比文件未公开In2O3掺杂Ti或Ta的层。因此未公开。 |
| **特征P**：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层 **《未公开》** | 【0051】“ターゲットとして酸化亜鉛（Ａｌ：２％）を用い”（ZnO:Al中间层）。 | 对比文件在中间层使用了ZnO:Al，但该层不属于目标专利限定的防反射层或反射层。因此未公开。 |
| **特征Q**：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层 **《未公开》** | 无相应材料。 | 对比文件未公开SnO2:F层。因此未公开。 |
| **特征R**：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极 **《未公开》** | 【0054】“表面集電極１０”；【0047】“三層メタル電極１”。 | 对比文件仅描述为集电极和金属电极，未公开指状电极和汇流条的具体结构。因此未公开。 |
| **特征S**：所述多个指状电极沿着第一方向延伸 **《未公开》** | 无相应内容。 | 对比文件未公开指状电极及其延伸方向。因此未公开。 |
| **特征T**：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极。 **《未公开》** | 无相应内容。 | 对比文件未公开汇流条电极及其连接关系。因此未公开。 |
| **特征U**：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm。 **《未公开》** | 【0054】“膜厚約１０７ｎｍのＩＴＯ膜”。 | 对比文件防反射层（ITO）厚度为107nm，不在70-100nm范围内。因此未公开。 |
| **特征V**：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间 **《未公开》** | 无相应内容。 | 对比文件在前掺杂层（P型多晶硅层4）和基板3之间没有设置钝化层；形成的氧化硅膜（13）位于前掺杂层之上，而非之间。因此未公开。 |
| **特征W**：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间。 **《未公开》** | 无相应内容。 | 对比文件在后掺杂层（N型多晶硅层2）和基板3之间没有设置钝化层。因此未公开。 |
| **特征X**：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成。 **《未公开》** | 前掺杂层：【0044】P型多晶硅层；后掺杂层：【0045】N型多晶硅层；钝化层：无。 | 对比文件的前、后掺杂层均为多晶硅（晶体），非非晶硅；亦未公开对应的钝化层。因此未公开。 |
| **特征Y**：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。 **《隐含公开》** | 【0044】“酸による同方性エッチングを行ってテクスチャを形成した。” | 对比文件对N型多晶硅基板进行各向同性湿法刻蚀以形成纹理（テクスチャ）。本领域技术人员知晓，硅片浸入刻蚀液时其两面均会被刻蚀，通常形成双面纹理；且该纹理化用于陷光，在双面电池中前后表面均需纹理化。基于对比文件的公开内容，可以合理推断出基板前、后表面均形成纹理化表面。因此隐含公开。 |
| **特征Z**：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。 **《未公开》** | 无相应内容。 | 对比文件未公开反射层；防反射层（ITO）虽可能继承基板纹理，但反射层不存在，且特征要求两者均为纹理化表面，不满足。因此未公开。 |
### 公开性代码输出
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征B和C，隐含公开了技术特征Y，其他技术特征未直接或隐含公开。按输出格式要求，在回答结尾插入对应代码：
<<<B>>><<<C>>><<<y>>>