**对比文件名称**：2015-11-09_JP2015198141A_发明专利_JP2015198141A 太陽電池の製造方法
**目标专利名称**：1666太阳能电池CN107039542B
**本次调用的模型名称**：GPT-4 Turbo
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **A**：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面<br>**《隐含公开》** | 【0036】“n型単結晶シリコン1”（n型单晶硅1），并描述其表面具有纹理结构。此外【0058】“裏面電極層を櫛形とした場合、第二主面側からも光を取り込むことが可能となる”（将背面电极形成为梳状时，也可以从第二主面侧取光）。 | 对比文件公开了n型单晶硅基板（第一导电类型），并具有前表面和后表面。虽然未明确记载“双面太阳能电池”，但通过描述将背面电极做成梳状可以从背面取光，本领域技术人员能够合理推断该太阳能电池可实现双面受光，因此隐含公开了双面太阳能电池的整体结构。 |
| **B**：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上<br>**《直接公开》** | 【0034】“p型シリコン系薄膜3”（p型硅系薄膜3），位于第一主面（光入射面）側。 | 对比文件明确公开了p型硅系薄膜作为前掺杂层，直接设置在n型单晶硅的前表面，方案完全相同。 |
| **C**：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上<br>**《直接公开》** | 【0034】“n型シリコン系薄膜5”（n型硅系薄膜5），位于第二主面側。 | 对比文件明确公开了n型硅系薄膜作为后掺杂层，直接设置在n型单晶硅的后表面，方案完全相同。 |
| **D**：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度<br>**《直接公开》** | 【0043】“p型シリコン系薄膜上に透明導電層6−1を備えることが好ましい”（优选在p型硅系薄膜上设置透明导电层6-1）。【0047】透明導電層の膜厚は、1nm以上140nm以下であることが好ましい（透明导电层的膜厚优选1nm以上140nm以下）。 | 对比文件公开了前透明导电层（防反射层）设置在p型掺杂层上，并具有厚度（第一厚度）。该层具有抗反射作用，与目标专利的防反射层功能一致，直接公开。 |
| **E**：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上<br>**《直接公开》** | 【0068】“前記透明導電層6−1上には、集電極7が形成される。”（在透明导电层6-1上形成集电极7）。【0034】集電極7は導電性シード層7−1、めっき層7−2を含む。 | 对比文件公开了前收集器电极（集电极）直接设置在透明导电层（防反射层）上，结构和位置相同。 |
| **F**：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度<br>**《隐含公开》** | 【0043】“n型シリコン系薄膜上に透明導電層6−2を備えることが好ましい”（优选在n型硅系薄膜上设置透明导电层6-2）。【0047】透明導電層の膜厚は1nm以上140nm以下。 | 对比文件公开了后透明导电层设置在后掺杂层下面（第二主面侧）并具有厚度。该层与目标专利的反射层结构对应。虽然对比文件未明确强调其反射功能，但透明导电层本身具有反射部分入射光的能力，且本领域技术人员在双面电池设计中常将其用作反射层，因此隐含公开了该技术特征。 |
| **G**：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面<br>**《直接公开》** | 【0051】“第二主面側の透明導電層6−2の上には、裏面電極層8が形成されている。”（在第二主面侧透明导电层6-2上形成背面电极层8）。 | 对比文件公开了背面电极层（后收集器电极）直接设置在透明导电层（反射层）下面，位置和结构相同。 |
| **H**：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成<br>**《直接公开》** | 【0043】記載の透明導電層6−1（第一主面側）及び透明導電層6−2（第二主面側）。【0044】透明導電層は導電性酸化物を主成分とする。 | 对比文件明确前后两个层均为透明导电层，直接公开。 |
| **I**：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度<br>**《未公开》** | 对比文件虽然提及透明导电层为氧化物（含氧），但未公开通过氧含量来控制电学和光学特性；也未公开前后透明导电层的厚度大小关系（反射层厚度小于防反射层厚度）。 | 对比文件未记载氧含量对特性的控制，也未记载厚度大小关系，无法直接或隐含得出。 |
| **J**：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量<br>**《未公开》** | 对比文件全文未涉及氧含量的比较。 | 无相关公开内容。 |
| **K**：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率<br>**《未公开》** | 对比文件未记载吸光率关系。 | 无相关公开内容。 |
| **L**：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm<br>**《未公开》** | 对比文件未公开薄膜电阻关系；透明导电层厚度范围为1‑140nm，未具体限定25‑75nm。 | 无相关公开内容。 |
| **M**：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成<br>**《隐含公开》** | 【0044】透明導電層として、酸化インジウム錫(ITO)を主成分とするものがより好ましく用いられる。同種の材料が前後面に用いられることが一般的である。 | 对比文件虽未强制要求相同材料，但本领域技术人员通常将前后透明导电层选用相同材料（如都使用ITO或IWO）以简化工艺，且对比文件未禁止使用相同材料，因此隐含公开。 |
| **N**：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层<br>**《直接公开》** | 【0045】“酸化インジウムを用いた場合には、亜鉛や錫、チタン、タングステン、モリブデン、ケイ素などが挙げられる。”（使用氧化铟时，可列举锌、锡、钛、钨、钼、硅等）。 | 对比文件公开了氧化铟作为主要成分，掺杂锡、锌、钨等杂质，这些具体选择落入特征N所列举的材料方案中（锡、锌、钨），因此直接公开了该材料组。 |
| **O**：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层<br>**《直接公开》** | 【0045】“酸化インジウムを用いた場合には、…チタン、タングステン…”（使用氧化铟时，...钛、钨...）。 | 对比文件明确公开了“钛”作为掺杂剂，满足“包含钛和钽中的至少一种”，因此直接公开。 |
| **P**：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层<br>**《直接公开》** | 【0045】“酸化亜鉛を用いた場合には、アルミニウムやガリウム、ホウ素、ケイ素、炭素などが挙げられる。”（使用氧化锌时，可列举铝、镓、硼、硅、碳等）。 | 对比文件公开了铝、硼、镓作为氧化锌的掺杂剂，直接落入特征P的范围。 |
| **Q**：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层<br>**《直接公开》** | 【0045】“酸化錫を用いた場合には、フッ素などが挙げられる。”（使用氧化锡时，可列举氟等）。 | 对比文件明确公开了氟作为氧化锡的掺杂剂，直接公开。 |
| **R**：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极<br>**《隐含公开》** | 【0070】導電性シード層7−1は櫛形、すなわちパターン化されていることが好ましい（导电性种子层7‑1优选为梳形，即图案化）。【0058】裏面電極層を櫛形とした場合（将背面电极形成为梳形时）。 | 对比文件公开了前电极采用梳形（指状+汇流条），也提到背面电极可以做成梳形。虽然未明确“每一个”都同时具有指状和汇流条，但本领域技术人员在面对双面受光要求时，易将后电极也形成类似梳形结构，因此隐含公开。 |
| **S**：所述多个指状电极沿着第一方向延伸<br>**《隐含公开》** | 【0070】導電性シード層7−1は櫛形パターン（梳形图案）。【0034】図1等に示されるようなグリッド状。 | 梳形电极的本质即包含沿一个方向延伸的多个指状电极，对比文件隐含公开了该延伸方向特征。 |
| **T**：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极<br>**《隐含公开》** | 【0070】梳形电极通常包含连接指状电极的汇流条，且方向正交。【0034】集電極パターンとして図示される。 | 梳形电极的汇流条与指状电极正交连接是公知常识，对比文件隐含公开。 |
| **U**：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm<br>**《隐含公开》** | 【0047】透明導電層の膜厚は1nm以上140nm以下であることが好ましい（透明导电层的膜厚优选1nm以上140nm以下）。 | 目标专利的70‑100nm范围落在对比文件公开的1‑140nm范围内，虽然未具体选择该子范围，但本领域技术人员在优化抗反射特性时可从该范围中合理选取70‑100nm（常见厚度），因此隐含公开。 |
| **V**：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间<br>**《直接公开》** | 【0034】“第1の真性シリコン系薄膜2”（第一本征硅系薄膜2），位于n型单晶硅1與p型シリコン系薄膜3之間。 | 对比文件明确公开了本征非晶硅钝化层位于基板和掺杂层之间，直接公开。 |
| **W**：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间<br>**《直接公开》** | 【0034】“第2の真性シリコン系薄膜4”（第二本征硅系薄膜4），位于n型单晶硅1與n型シリコン系薄膜5之間。 | 对比文件明确公开了后钝化层结构，直接公开。 |
| **X**：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成<br>**《直接公开》** | 【0042】p型シリコン系薄膜はp型水素化非晶質シリコン層が好ましい（p型硅系薄膜优选p型氢化非晶硅层）。【0042】n型シリコン系薄膜も同様に非晶質シリコン。【0040】真性シリコン系薄膜としてi型水素化非晶質シリコンを用いることが好ましい（本征硅系薄膜优选i型氢化非晶硅）。 | 对比文件公开了掺杂层由非晶硅形成，钝化层由本征非晶硅形成（满足本征非晶硅或隧穿氧化物的替代方案），直接公开。 |
| **Y**：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面<br>**《直接公开》** | 【0036】“一導電型単結晶シリコン1は、光閉じ込めの観点から、表面にテクスチャ構造を有することが好ましい。”（从光捕获观点看，单晶硅1优选在其表面具有纹理结构）。 | 对比文件公开了基板表面具有纹理结构，且双面结构下前后表面均可形成纹理，直接公开。 |
| **Z**：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面<br>**《隐含公开》** | 【0036】基板表面有纹理，透明導電層6−1、6−2通常采用溅射法等沉积在纹理表面上，会沿表面形状形成相同纹理。 | 虽然对比文件未明确描述透明导电层的表面形貌，但本领域技术人员已知在纹理基板上沉积薄膜会获得同样纹理的表面，因此隐含公开。 |
### 公开性代码输出
根据上述判断，直接公开的特征代码及隐含公开的特征代码汇总如下：
**直接公开**：B, C, D, E, G, H, N, O, P, Q, V, W, X, Y
**隐含公开**：a, f, m, r, s, t, u, z
注意：特征A隐含公开输出小写a；特征F隐含公开输出小写f；特征M隐含公开输出小写m；特征R隐含公开输出小写r；特征S隐含公开输出小写s；特征T隐含公开输出小写t；特征U隐含公开输出小写u；特征Z隐含公开输出小写z。
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