对比文件名称：2012-07-25_EP2479796A_发明公开_EP2479796A1 SOLAR BATTERY, SOLAR BATTERY MODULE, AND SOLAR BATTERY SYSTEM
目标专利名称：1666太阳能电池CN107039542B
本次调用的模型名称：AI Assistant（大型语言模型）
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面<br>《直接公开》 | 【0016】“太阳能电池1具有基板2，其包含n型单晶硅。基板2具有上表面和后表面。” | 对比文件明确公开了晶体半导体基板（n型单晶硅），n型为第一导电类型；并且具有上表面（前表面）和后表面。该特征在目标专利中的作用是提供电池基础结构，与对比文件完全相同，因此直接公开。 |
| **技术特征B**：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上<br>《直接公开》 | 【0016】“在基板2的上表面的基本整个区域上依次形成有：p型非晶硅层4，厚度约5nm。” | 对比文件的上表面设置p型非晶硅层，该层为掺杂层（p型），直接形成在基板前表面上，对应于目标专利中的前掺杂层。作用相同（形成p-n结），直接公开。 |
| **技术特征C**：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上<br>《直接公开》 | 【0017】“在基板2的后表面的基本整个区域上依次形成有：n型非晶硅层8，厚度约5nm。” | 对比文件的后表面设置n型非晶硅层，该层为掺杂层（n型），直接形成在基板后表面上，对应于目标专利中的后掺杂层。作用相同（形成背电场），直接公开。 |
| **技术特征D**：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度<br>《直接公开》 | 【0016】“透明导电膜5，厚度约100nm。”该膜位于p型非晶硅层4上，起到防反射和导电作用。 | 对比文件的透明导电膜5设置在前掺杂层上，具有第一厚度（约100nm），其功能包括抗反射（目标专利中前透明导电层即为防反射层）。作用和设置方式与目标专利一致，直接公开。 |
| **技术特征E**：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上<br>《直接公开》 | 【0016】“上表面侧收集电极6进一步设置在透明导电膜5上。” | 对比文件的收集电极6直接位于前透明导电膜（防反射层）上，用于收集电流。与目标专利的前收集器电极作用完全相同，直接公开。 |
| **技术特征F**：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度<br>《直接公开》 | 【0017】“透明导电膜9，厚度约100nm。”该膜位于n型非晶硅层8下面，提供后反射和导电功能。 | 对比文件的透明导电膜9设置在后掺杂层下面，具有第二厚度（约100nm），其功能包括反射背面入射光（目标专利中后透明导电层即为反射层）。作用和设置方式与目标专利一致，直接公开。 |
| **技术特征G**：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面<br>《直接公开》 | 【0017】“后表面侧收集电极10进一步设置在透明导电膜9下面。” | 对比文件的收集电极10直接位于后透明导电膜（反射层）下面，用于收集电流。与目标专利的后收集器电极作用完全相同，直接公开。 |
| **技术特征H**：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成<br>《直接公开》 | 【0016】【0017】透明导电膜5和9均为透明导电层。 | 对比文件中前后透明导电膜均明确为透明导电层，材料均为氧化物透明导电材料。与目标专利中防反射层和反射层均为透明导电层完全相同，直接公开。 |
| **技术特征I**：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度<br>《未公开》 | 【0016】透明导电膜5厚度约100nm；【0017】透明导电膜9厚度约100nm。对比文件未提及氧含量对电学和光学特性的控制作用。 | 对比文件前后透明导电层厚度均为100nm，不满足“反射层厚度小于防反射层厚度”。虽然透明导电层含有氧（氧化物），但对比文件未指出氧含量可用来控制电学和光学特性，更未给出前氧含量小于后氧含量的教导。因此本特征整体未被公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量<br>《未公开》 | 对比文件未比较前透明导电膜5和后透明导电膜9的氧含量。 | 对比文件未公开前后透明导电层的氧含量差异，也没有暗示或教导前膜氧含量应低于后膜。因此本特征未被公开。 |
| **技术特征K**：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率<br>《未公开》 | 对比文件未给出前后透明导电层的吸光率比较。 | 基于氧含量差异导致的吸光率差异在对比文件中无记载，且对比文件未公开氧含量差异，因此本特征未被公开。 |
| **技术特征L**：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm<br>《未公开》 | 对比文件未比较前膜5和后膜9的薄膜电阻；后膜9厚度约100nm，不在25-75nm范围。 | 对比文件没有公开前膜薄膜电阻小于后膜，也未公开反射层厚度为25-75nm（实际为100nm）。因此本特征未公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成<br>《未公开》 | 【0022】前透明导电膜5包含氧化铟、氢和铈；【0031】后透明导电膜9包含氧化铟、氢和钨。 | 对比文件前膜为In2O3:H,Ce，后膜为In2O3:H,W，材料组成不同（杂质不同），因此不是相同材料。本特征未公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层<br>《直接公开》 | 【0022】“透明导电膜5包含氧化铟作为主要成分，并含有氢(H)和铈(Ce)。”【0031】“透明导电膜9包含氧化铟作为主要成分，并含有氢(H)和钨(W)。” | 对比文件前膜（In2O3+H+Ce）和后膜（In2O3+H+W）均符合“包含氧化铟作为主要成分，并含有钨、铈或氢等杂质”这一范围。因此直接公开。 |
| **技术特征O**：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层<br>《未公开》 | 对比文件未涉及钛或钽掺杂的透明导电层。 | 对比文件没有公开任何含Ti或Ta的层，因此本特征未公开。 |
| **技术特征P**：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层<br>《未公开》 | 对比文件未涉及氧化锌基透明导电层。 | 对比文件没有公开氧化锌为主要成分的层，因此本特征未公开。 |
| **技术特征Q**：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层<br>《未公开》 | 对比文件未涉及氧化锡基透明导电层。 | 对比文件没有公开氧化锡为主要成分的层，因此本特征未公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极<br>《直接公开》 | 【0020】“上表面侧收集电极6包括指状电极6a,6a,…和两个汇流条电极6b,6b。”【0021】“后表面侧收集电极10包括指状电极10a,10a,…和两个汇流条电极10b,10b。” | 对比文件的前后收集电极均由指状电极和汇流条电极构成，与目标专利结构一致，直接公开。 |
| **技术特征S**：所述多个指状电极沿着第一方向延伸<br>《直接公开》 | 【0020】“指状电极6a,6a,…具有多个窄直线形状，相互平行排列。” | 对比文件指状电极为平行直线延伸，定义了第一方向，直接公开。 |
| **技术特征T**：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极<br>《直接公开》 | 【0020】“汇流条电极6b,6b为条状，相互平行排列，并连接到指状电极6a。”以及附图1所示的正交关系。 | 对比文件汇流条电极与指状电极垂直相交并连接，符合正交方向且物理连接，直接公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm<br>《直接公开》 | 【0016】“透明导电膜5，厚度约100nm。” | 对比文件前透明导电层厚度100nm，落在70-100nm范围内，直接公开。 |
| **技术特征V**：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间<br>《直接公开》 | 【0016】“在基板2上依次形成有：本征i型非晶硅层3，厚度约5nm；p型非晶硅层4。” | 对比文件在基板和p型层之间设置了本征非晶硅层，该层起钝化作用，对应于前钝化层，位置和作用相同，直接公开。 |
| **技术特征W**：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间<br>《直接公开》 | 【0017】“在基板2后表面依次形成有：本征i型非晶硅层7，厚度约5nm；n型非晶硅层8。” | 对比文件在基板和n型层之间设置了本征非晶硅层，起钝化作用，对应于后钝化层，位置和作用相同，直接公开。 |
| **技术特征X**：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成<br>《直接公开》 | 【0016】p型非晶硅层4（含杂质）；【0017】n型非晶硅层8（含杂质）；【0016】【0017】本征非晶硅层3和7。 | 对比文件前后掺杂层为掺杂非晶硅，前后钝化层为本征非晶硅（非隧穿氧化物），符合特征X的描述，直接公开。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面<br>《直接公开》 | 【0016】“基板2的上表面具有纹理结构。”【0017】“基板2的后表面也具有纹理结构。”【0018】详细描述了金字塔形状的凹凸。 | 对比文件基板前后表面均为纹理化表面，具有细小不平坦部分，直接公开。 |
| **技术特征Z**：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面<br>《直接公开》 | 【0016】透明导电膜5形成于纹理化表面上；【0017】透明导电膜9形成于纹理化表面上。 | 由于对比文件中的透明导电膜直接形成在纹理化的基板表面上，因此它们必然呈现与基板表面一致的纹理结构。本领域技术人员可以毫无疑义地确定透明导电膜表面也具有纹理化形貌，直接公开。 |
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