对比文件的名称：2004-08-05_JP2004221368A_发明专利_JP2004221368A Photovoltaic device
目标专利的名称：1666太阳能电池CN107039542B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面。《直接公开》 | 【0015】“约1Ω·cm的电阻率和约300μm的厚度，以及以(100)面为表面的n型单晶硅基板1”。n型对应第一导电类型，基板具有前表面（表面）和后表面（背面）。 | 对比文件明确公开了n型单晶硅基板1作为晶体半导体基板，具有前表面和后表面，且n型是第一导电类型。该基板在对比文件中与目标专利中作用相同，作为太阳能电池的半导体基底。 |
| 技术特征B：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上。《直接公开》 | 【0015】“p型非晶硅膜3”形成在n型单晶硅基板1的表面上（即前表面）。 | 对比文件公开了p型非晶硅膜作为前掺杂层，位于半导体基板前表面，与目标专利中前掺杂层的作用（形成p-n结、收集空穴）相同。 |
| 技术特征C：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上。《直接公开》 | 【0016】“n型非晶硅膜13”形成在n型单晶硅基板1的背面上。 | 对比文件公开了n型非晶硅膜作为后掺杂层，位于半导体基板背面，与目标专利中后掺杂层的作用（形成背场、收集电子）相同。 |
| 技术特征D：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度。《直接公开》 | 【0015】“约100nm厚度的ITO膜组成的透明导电膜4”形成在p型非晶硅膜3上。 | 对比文件公开了位于前掺杂层上的透明导电膜，该膜在太阳能电池中常规具有抗反射功能，且厚度明确为约100nm（第一厚度）。其作用与目标专利的防反射层相同（减反射并传导电荷）。 |
| 技术特征E：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上。《直接公开》 | 【0015】“数十μm厚度的银组成的金属电极5”形成在透明导电膜4上。 | 对比文件公开了位于透明导电膜（防反射层）上的金属电极作为前收集器电极，用于收集电荷，作用与目标专利相同。 |
| 技术特征F：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度。《直接公开》 | 【0016】“约100nm厚度的ITO膜组成的透明导电膜14”形成在n型非晶硅膜13下（背面侧）。 | 对比文件公开了位于后掺杂层下面的透明导电膜，该膜与背面金属电极共同起到反射光的作用（对比文件强调金属电极反射的光的吸收被抑制），且具有第二厚度。其作用与目标专利的反射层（将透射光反射回基板）实质相同。 |
| 技术特征G：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面。《直接公开》 | 【0016】“数十μm厚度的银组成的金属电极15”形成在透明导电膜14下。 | 对比文件公开了位于反射层（透明导电膜）下面的金属电极作为后收集器电极，用于收集电荷，作用与目标专利相同。 |
| 技术特征H：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成。《直接公开》 | 【0015】【0016】透明导电膜4和14均由ITO（透明导电层）形成。 | 对比文件明确记载防反射层（前透明导电膜）和反射层（后透明导电膜）均为透明导电层（ITO），与目标专利限定一致。 |
| 技术特征I：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度。《未公开》 | 【0015】【0016】两厚度均为约100nm，无厚度差异；【0017】等描述通过Sn掺杂控制电学和光学特性，未涉及氧的控制作用。 | 对比文件未公开反射层厚度小于防反射层厚度（两者相同），也未明确教导利用氧含量来控制电学和光学特性（仅涉及Sn掺杂）。本领域技术人员不能从对比文件毫无疑义地得出厚度差异或氧控制特征，即使宽松判断也无法合理推断出该技术方案。 |
| 技术特征J：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量。《未公开》 | 对比文件全文未提及氧含量差异；仅公开Sn掺杂含量差异（前高后低）【0017】。 | 对比文件没有公开关于氧含量的任何信息，也未暗示氧含量差异。本领域技术人员无法从Sn掺杂差异推断出氧含量差异，故不公开。 |
| 技术特征K：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率。《直接公开》 | 【0028】“背面侧透明导电膜的Sn掺杂含量在0.5-3wt%范围内时，因金属电极反射的光的吸收被抑制，输出改善率提高”；【图6】显示背面低掺杂降低吸收。 | 对比文件公开了背面透明导电膜（反射层）的吸光率低于正面透明导电膜（防反射层）的效果，尽管实现手段是Sn掺杂而非氧含量，但技术效果本身已被直接公开。该效果在对比文件中的作用与目标专利相同（提高电池性能）。 |
| 技术特征L：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm。《未公开》 | 【0017】“背面侧透明导电膜14的Sn掺杂含量少，因此电阻变高”（即薄膜电阻关系）；【0016】背面透明导电膜厚度为约100nm，不在25-75nm范围。 | 对比文件公开了薄膜电阻关系（前小后大），但未公开第二厚度范围为25-75nm（其厚度为100nm）。因为该特征包含厚度条件，而厚度未被公开，所以整体未被公开。 |
| 技术特征M：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成。《直接公开》 | 【0015】【0016】透明导电膜4和14均由ITO（氧化铟锡）形成。 | 对比文件明确记载前、后透明导电膜均为相同的ITO材料，与目标专利一致。 |
| 技术特征N：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层。《直接公开》 | 【0015】【0016】“ITO膜（氧化铟锡）”，即包含In2O3为主要成分且含Sn杂质。 | 对比文件公开了ITO材料，其符合“包含氧化铟作为主要成分且包含锡作为杂质”，因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征O：或者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层。《未公开》 | 对比文件全文未涉及Ti或Ta掺杂的透明导电层。 | 对比文件没有公开任何关于钛或钽掺杂氧化铟的内容，也无法合理推断。 |
| 技术特征P：或者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层。《直接公开》 | 【0032】“也可以使用ZnO膜，作为掺杂剂可使用Al或Ga”。 | 对比文件明确公开了ZnO膜可包含Al或Ga杂质，符合该特征。 |
| 技术特征Q：或者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层。《未公开》 | 对比文件全文未涉及氟掺杂氧化锡（FTO）。 | 对比文件未公开FTO材料。 |
| 技术特征R：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极。《未公开》 | 【0015】【0016】仅描述为“金属电极”，未说明电极的具体图形结构。 | 对比文件没有描述电极具有指状和汇流条结构，本领域技术人员不能从对比文件推断出该特定电极图案。 |
| 技术特征S：所述多个指状电极沿着第一方向延伸。《未公开》 | 同特征R，无指状电极描述。 | 对比文件未公开指状电极及其延伸方向。 |
| 技术特征T：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极。《未公开》 | 同特征R，无相关描述。 | 对比文件未公开汇流条电极及其连接关系。 |
| 技术特征U：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm。《直接公开》 | 【0015】“约100nm厚度的ITO膜”。 | 对比文件公开前透明导电膜厚度为100nm，属于70-100nm范围。 |
| 技术特征V：还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间。《直接公开》 | 【0015】“约5nm厚度的实质量本征非掺杂非晶硅膜2”形成在基板和p型非晶硅膜之间。 | 对比文件公开了本征非晶硅膜作为前钝化层，位于基板和前掺杂层之间，作用为钝化。 |
| 技术特征W：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间。《直接公开》 | 【0016】“约5nm厚度的实质量本征非掺杂非晶硅膜12”形成在基板和n型非晶硅膜之间。 | 对比文件公开了本征非晶硅膜作为后钝化层。 |
| 技术特征X：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成。《直接公开》 | 【0015】p型非晶硅膜3（含B杂质），【0016】n型非晶硅膜13（含P杂质）；【0015】【0016】本征非晶硅膜2和12。 | 对比文件完全公开了掺杂非晶硅层和本征非晶硅钝化层。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。《未公开》 | 对比文件全文未提及基板表面的纹理化结构。 | 对比文件没有公开半导体基板表面具有纹理化特征，也无法从其他内容合理推断。 |
| 技术特征Z：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面。《未公开》 | 对比文件全文未提及透明导电膜表面的纹理化结构。 | 对比文件未公开防反射层或反射层具有纹理化表面。 |
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